分析師預(yù)言英特爾10納米技術(shù)細(xì)節(jié)
最近有位半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師針對英特爾(Intel)將在下兩個制程世代使用的技術(shù),提出了大膽且詳細(xì)的預(yù)測;如果他的預(yù)言成真,意味著晶片龍頭英特爾又將大幅超前其他半導(dǎo)體同業(yè)。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/273025.htm這位分析師David Kanter在他自己的網(wǎng)站發(fā)表一篇分析文章(參考連結(jié)),指出英特爾將會在10奈米節(jié)點(diǎn)采用量子阱(quantum well) FET;這種新的電晶體架構(gòu)將會采用兩種新材料──以砷化銦鎵(indium gallium arsenide,InGaAs)制作n型電晶體,以應(yīng)變鍺(strained germanium)制作p型電晶體。
若預(yù)測正確,英特爾最快在2016年可開始生產(chǎn)10奈米制程電晶體,且功耗能比其他制程技術(shù)低200毫伏(millivolts);Kanter預(yù)期,其他半導(dǎo)體制造業(yè)者在7奈米節(jié)點(diǎn)之前難以追上英特爾的技術(shù),差距約是兩年。Kanter指出,英特爾可能還要花一年多的時間才會公布其10奈米制程計畫,而他自認(rèn)其預(yù)測有八九成的準(zhǔn)確度。
英特爾曾在2009年的IEDM會議論文透露其正在開發(fā)的InGaAs制程技術(shù)
Kanter的分析文章是根據(jù)對英特爾在年度IEEE國際電子元件會議(IEDM)發(fā)表的數(shù)十篇篇論文研究所得,此外還有英特爾與晶片制造相關(guān)的專利;他在接受EETimes美國版訪問時表示:“我所看到的一切都朝這個方向發(fā)展;問題應(yīng)該不在于英特爾會不會制作量子阱FET,而是他們會在10奈米或7奈米節(jié)點(diǎn)開始進(jìn)行?!?/p>
“在電晶體通道采用復(fù)合半導(dǎo)體材料并非只有英特爾一家在研究,但顯然到目前為止沒有人做到像英特爾所發(fā)表的這么多;”Kanter指出:“英特爾在鍺材料方面的論文與專利很少,但該技術(shù)較廣為人知?!贝送馑A(yù)期英特爾會采用純鍺,不過也可能會透過先采用矽鍺(silicon germanium)來達(dá)到該目標(biāo)。
Kanter并表示他在發(fā)表分析文章之前,曾提供內(nèi)容給英特爾看;不過該公司婉拒發(fā)表任何相關(guān)評論。
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