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ROHM:率先量產(chǎn)溝槽型SiC-MOSFET,看好太陽能、工業(yè)等領(lǐng)域前景

作者:王瑩 時間:2015-08-06 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  近日于世界率先開發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET,并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%,這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/278273.htm

  另外,此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出產(chǎn)品,目前已建立起了完備的產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為 Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣),后期工序的生產(chǎn)基地為總部工廠(日本京都市)。今后計劃還將逐步擴(kuò)充產(chǎn)品陣容。

  此次的新產(chǎn)品有“全SiC”和分立產(chǎn)品兩類。其中分立產(chǎn)品中,ROHM將依次展開額定電壓650V、1200V各3款產(chǎn)品的開發(fā)。額定電流將繼續(xù)開發(fā)118A(650V)、95A(1200V)的產(chǎn)品。

  另外,ROHM半導(dǎo)體(深圳)有限公司分立元器件部 高級經(jīng)理 水原德健解析了新產(chǎn)品的特點(diǎn),并展望了SiC的趨勢。

雙溝槽的優(yōu)勢

  單溝槽結(jié)構(gòu)如圖1左側(cè)所示,瓶頸之一就是單溝槽的門極底部電場過于集中,而雙溝槽結(jié)構(gòu)可緩和電場集中的問題(圖1右側(cè)),因此可以確保元器件的長期可靠性,實現(xiàn)量產(chǎn)化。

  關(guān)于雙溝槽的技術(shù)難度,受耐性是一個重要指標(biāo)。至于溝槽的精密化方面,SiC和硅的原理是一樣的,例如挖溝槽,希望挖得更細(xì),間距希望做得更緊。因為SiC和硅相比,SiC的硬度會更大,因此挖槽時候會更難。

導(dǎo)通電阻降低50%的意義

  ROHM跟一些大學(xué)共同研究后認(rèn)為:“一兩個百分點(diǎn)的提高是可能的”。對于最終產(chǎn)品,提高一個百分點(diǎn)已經(jīng)是很大的效率提高了。以太陽能發(fā)電為例,家用主要是2000W、4000W、6000W,例如4000W,一個百分點(diǎn)就是40W,即40度電/小時,如果銷售出去,收益還是很可觀的。

導(dǎo)通電阻減小的方法

  新一代產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻會增加40 mΩ、22mΩ,之所以能夠?qū)崿F(xiàn)小的導(dǎo)通電阻,主要是把芯片尺寸變大。因此,這也就解釋了在相同工藝下,22 mΩ產(chǎn)品比40 mΩ產(chǎn)品貴一些。但對于整個產(chǎn)品來說,總的趨勢是做得越來越小。比如同樣是40 mΩ,原有第二代和現(xiàn)在的第三代相比,第三代會變小。

SiC的技術(shù)市場

  SiC的突出優(yōu)勢是高效,但目前的發(fā)展瓶頸主要是價格,是同類Si產(chǎn)品的5、6倍左右的價格。一些專業(yè)人士認(rèn)為,如果SiC的價格是硅的2、3倍,應(yīng)該會有很大的市場。因此SiC目前主要定位于取代一些對價格不太敏感、要求高效率的應(yīng)用,例如電動汽車等。

  關(guān)于SiC市場,根據(jù)市場調(diào)查公司的數(shù)據(jù),去年SiC大約有1.2億美元左右的市場體量。到2020年以后,即EV(電動汽車)大規(guī)模推出時,市場可能會有放大式的發(fā)展。相比之下,去年硅功率器件(含IGBT)大約是100億美元市場。ROHM SiC在全球位居第三,占有率約為20%。

  在成本下降走勢方面,2010年左右SiC肖特基開始在一些廠家應(yīng)用,到去年為止,相同特性的產(chǎn)品價格大約已下降了一半。因此從2010年到現(xiàn)在大約用了四五年時間,價格下降了一半。未來四五年能否繼續(xù)降低一半?以現(xiàn)在的生產(chǎn)技術(shù)來看,應(yīng)該是降價速度比原來要慢一些,但如果有一個特殊的新技術(shù)出現(xiàn),可能價格會下降得快一些。

  為何碳化硅器件(SiC)的成本居高不下?原因之一是原材料和現(xiàn)在的生成技術(shù)所限。

  在應(yīng)用方面,SiC應(yīng)用很方便,例如SiC肖特基可以直接替換FRD。但是SiC模組取代IGBT模組,SiC MOSFET取代IGBT,因為它們前端驅(qū)動有些不一樣,因此驅(qū)動要有所改變,例如電感、電容要改動。一些大企業(yè)自己會去做這種改動,ROHM也會為一些廠家提供參考電路。



關(guān)鍵詞: ROHM 功率模塊 分立封裝 201508

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