SiC功率模塊關鍵在價格,核心在技術
日前,碳化硅(SiC)技術全球領導者半導體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產品目標用途包括感應加熱設備、電機驅動器、太陽能和風能逆變器、UPS和開關電源以及牽引設備等。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/279888.htm世強代理的CAS300M12BM2外殼采用行業(yè)標準的62mm x 106mm x 30mm,封裝則采用Half-Bridge Module,具有超低損耗、高頻率特性以及易于并聯(lián)等特點。漏極電流方面,連續(xù)通電時最大為404A(@25℃),285A(@90℃), 脈沖通電時最大為1500A(@25℃),導通電阻在柵源間電壓為+20V、周圍溫度為25℃時只有5mΩ(標準值)。此外,即使周圍溫度上升至+150℃,導通電阻也只有8.6mΩ(標準值),溫度上升對導通電阻增加的影響非常小??倴艠O電荷僅1025nC(標準值),因此十分容易提高開關頻率。
圖1:Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2
Cree方面表示,如果使用SiC功率模塊,與使用Si功率的電源裝置相比,由開關損失引起的功率損耗可降低5倍以上。與采用Si材料IGBT的電源裝置相比,CAS300M12BM2可改善裝置整體的轉換效率,而且能將開關頻率提高,從而能夠縮小外置部件,因此可削減電源裝置整體的體積和重量。在感應效率達到99%的同時,CAS300M12BM2在高頻感應加熱系統(tǒng)可減少2.5倍的電源模塊數(shù)。CAS300M12BM2的轉換效率和性能可使設計師減少冷卻片和散熱片,降低系統(tǒng)的熱要求,提升兩倍的功率密度并降低系統(tǒng)成本,最終減少了用戶的成本。
圖2:使用SiC與Si技術比較
Cree功率和RF產品營銷經理MrinalDas表示:“Cree的SiC功率模塊系列還可以為太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和工業(yè)電源等應用帶來極大益處。即使設計人員只是在電動機中用SiC取代硅模塊,SiC的增強性能也可以降低功率耗損和冷卻要求,從而降低動力電子設備系統(tǒng)的尺寸、重量、復雜性和總成本”。
Cree與世強已于日前宣布,雙方將展開緊密合作,共同開拓汽車和工業(yè)市場。來自Cree的CAS300M12BM2現(xiàn)可通過世強訂購。歡迎致電世強熱線400-887-3266咨詢。
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