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高通820又跳票 魅族PRO 5性能強到無朋友

作者: 時間:2015-10-10 來源:科技訊 收藏
編者按:手機芯片霸主之一的高通驍龍820又傳來跳票消息,驍龍810的慘痛表現(xiàn),使得高通對押寶驍龍820的行動更加審慎,為求萬無一失,希望通過更多的優(yōu)化獲得更好的表現(xiàn)。

  近日,手機芯片霸主之一的高通又傳來跳票消息,其最新研發(fā)的驍龍820原定于今年年底出貨,現(xiàn)將推遲至2016年面市。目前安卓陣型的手機芯片綜合素質和性能王者還當屬三星Exynos7420,而搭載該芯片的的PRO5,高達7.5萬的跑分更是強到無朋友。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/281071.htm



  Exynos7420采用了14nmFinFET工藝制程

  PRO5內置的手機芯片——目前僅搭載于三星自家旗艦機型GalaxyS6和GalaxyS6edge+等機型上,之所以能優(yōu)先拿到這堪稱2015年手機處理器王者的Exynos7420,得益于與三星多年的合作關系。而三星今年也算爭了一口氣,直接上馬14nmFinFET工藝制程,使得其旗艦芯片的綜合素質和跑分力壓高通和聯(lián)發(fā)科等芯片廠商,實際表現(xiàn)相當搶眼。

  相比同期采用20nmSoC制程的高通驍龍810以及28nm制程的聯(lián)發(fā)科HelioX10,Exynos7420在處理器的功耗和發(fā)熱上都有先天優(yōu)勢,其中功耗上相比上一代20nm處理器減少30~35%。從具體架構上來說,Exynos7420采用4個2.1GHz主頻的Cortex-A57核心+4個1.5GHz主頻的Cortex-A53核心組成異步大小核架構,GPU部分則采用了八核的Mali-T760MP8,主頻為772MHz,基于14NMFinFET工藝制造,基帶芯片能達到LTECAT6級別,內存控制器可支持雙通道LPDDR4(1552MHz),有效內存帶寬24.8GBps。

  因此,兼顧了性能和功耗的Exynos7420,在魅族PRO5的深度優(yōu)化下迸發(fā)出更強的跑分和更逆天的續(xù)航,使得PRO5在多方評測中都大受贊譽,甚至有網(wǎng)友打趣稱“沒有高通820的事了?!?/p>



  性能強勁和外觀搶眼的魅族PRO5

  配合魅族自家Flyme的深度系統(tǒng)優(yōu)化,還有頂配的UFS2.0閃存、LPDDR3/4GB運存和實用的1080P的5.7寸AMolED屏幕,使得魅族PRO5的7.5萬分跑分力壓三星的旗艦機型。更難能可貴的是,PRO5在確保性能強勁的同時,快充功能也進行了升級。mCharge2.0技術將充電器的充電電壓提升至12V,最高可支持24W的快充規(guī)格,相比MX5的18W快充方案,性能提升了25%,從0%電量充電至65%電量最快只需要30分鐘,5小時重度使用后仍有43%的電量,續(xù)航能力相當亮眼。

  延續(xù)MX5的經典三段式外觀,魅族PRO5采用全金屬機身搭配2.5D曲邊屏幕,帶來圓潤別致手感,正面?zhèn)冗吔涖@石切邊工藝而成的高光亮邊,使其具有了獨特的外形亮點,更對制作工藝進行了優(yōu)化,使握感又上了一個臺階。屏幕下方則是魅族引以為豪的mTouch腰圓鍵,并內嵌了mTouch2.1,可實現(xiàn)指紋識別功能,指紋識別,指紋支付以及指紋加密應用等功能,且mTouch交互邏輯讓人上手后愛不釋手,操作更顯流暢便捷。

  隨著高通驍龍820的跳票,聯(lián)發(fā)科和麒麟芯片的最新芯片尚未問世,魅族PRO5仍將穩(wěn)占安卓旗艦機型的跑分天王地位一段時間。憑借著Exynos7420的14NMFinFET工藝的巨大優(yōu)勢,充分的釋放了其高性能優(yōu)勢,在外觀設計方面也延續(xù)了魅族一貫的美學,相當誘人,而諸如三焦合一的高質素攝像頭、mCharge2.0快充、mTouch2.1指紋識別等頂配硬件使其2799元的售價顯得性價比十足。有興趣的朋友可以登上魅族官網(wǎng)、天貓、京東、蘇寧等線上渠道,及其他社會渠道全面開啟預約的魅族PRO5,將分為標準版和高配版兩個版本進行銷售,標準版為3GB內存+32GB機身存儲空間,售價2799元。高配版則是4GB內存+64GB機身存儲空間,售價3099元,還將附贈價值199元的全新EP-31耳機,十分超值。

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關鍵詞: 魅族 PRO 5

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