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飛兆半導體推出光隔離 MOSFET 柵極驅(qū)動器

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作者: 時間:2007-02-13 來源: 收藏
    公司(FairchildSemiconductor)宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅(qū)動器系列的全新產(chǎn)品,能夠在工業(yè)應用中驅(qū)動高達30A/1200V的MOSFET。FOD3180(2A)和FOD3181(0.5A)具有200ns(最大)的上升/下降時間,能夠迅速開啟/關斷MOSFET以減小開關損耗。FOD3180具有高達2A的峰值輸出電流,毋須額外的功率放大線路便可直接驅(qū)動寬范圍的MOSFET。在太陽能逆變器、高性能不間斷電源(UPS)、DC/DC轉(zhuǎn)換器,以及等離子平板顯示器(PDP)等應用中,這些隔離MOSFET驅(qū)動器是提高系統(tǒng)效率和可靠性的最佳選擇。它們還豐富了提供的功率優(yōu)化產(chǎn)品,為設計人員提供從毫瓦至千瓦的全面解決方案。


    光電產(chǎn)品戰(zhàn)略市場經(jīng)理JohnConstantino稱:“FOD3180和FOD3181光隔離MOSFET柵極驅(qū)動器為飛兆半導體領先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列提供了關鍵的‘’,將低功耗邏輯產(chǎn)品與高功率分立MOSFET橋接起來。飛兆半導體的整體功率解決方案使設計人員能夠利用我們通過全球功率資源中心(GlobalPowerResourceTM)提供的在線設計工具、設計中心、評估板以及其它技術,對其供應鏈進行精簡化?!?nbsp;

    FOD3180和FOD3181的其它可靠性功能包括:5000V的額定隔離電壓可以滿足大多數(shù)安全認證標準;在電壓達到使能狀態(tài)時才導通的欠壓閉鎖功能,從而保護MOSFET;以及具有故障防護絕緣的共面結(jié)構(gòu)。這些器件還具有較寬的工作電壓(最大20V),而且其PMOS上拉晶體管和NMOS下拉晶體管提供17V的信號擺幅(VCC-VEE)。 

    FOD3180和FOD3181備有8腳DIP封裝形式,可滿足包括260C回流焊功能的RoHS要求。這些無鉛產(chǎn)品能達到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求,并符合現(xiàn)已生效的歐盟標準。 


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