安森美半導(dǎo)體過壓保護(hù)IC用于便攜充電

安森美半導(dǎo)體推出的NCP346過壓保護(hù)電路，采用強(qiáng)化BiCMOS工藝制造，可在少于1ms內(nèi)關(guān)斷一系列PFET且可承受高達(dá)30V的過壓瞬變(或25V穩(wěn)態(tài)電壓）。此器件的檢測臨界為4.45V 或5.5V，具有優(yōu)良的電壓能力且關(guān)斷速度比標(biāo)準(zhǔn)CMOS監(jiān)測電路更快，適用于手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、便攜計算機(jī)、PDA和便攜式CD播放機(jī)。  www.onsemi.com