英飛凌推出面向高性能產(chǎn)品、具備業(yè)界領(lǐng)先的低功耗特性的DDR2模塊

    2005年5月10日,北京訊—英飛凌科技今日發(fā)布了新款高速DDR2模塊，該模塊適用于高端臺式機和服務(wù)器，具備業(yè)界最低功耗和最佳散熱特性：

•    面向高性能PC市場的DDR2-800 無緩沖型DIMM—英飛凌成為華碩的首選供應(yīng)商

•    基于雙晶片技術(shù)的定制化8GB DDR2-533寄存型Tall DIMM

采用DRAM溝槽工藝制造的英飛凌 DDR2 DRAM 組件在存儲電荷時，需要較低的電源陣列工作電壓，這對諸如高密度服務(wù)器系統(tǒng)和筆記本等對熱量和功耗相當(dāng)敏感的產(chǎn)品而言是一個巨大的優(yōu)勢。低功耗意味著更低的能源成本、更低的散熱和更低的制冷系統(tǒng)成本。例如，初步測試表明，英飛凌DDR2 SO-DIMM模塊的功耗僅為同類解決方案的三分之二，散熱量降低了18%左右。

面向高性能PC市場的DDR2-800 無緩沖型DIMM 

英飛凌率先推出面向高性能PC市場的DDR2-800內(nèi)存模塊，從而驗證了其作為領(lǐng)先內(nèi)存供應(yīng)商的地位，同時英飛凌被華碩選為512MB DDR2-800無緩沖型DIMM的“首選供應(yīng)商”。該內(nèi)存模塊融合了華碩P5WD2 Premium 主板的DDR2-800 性能，為PC發(fā)燒友提供高達(dá)800Mbit/s的內(nèi)存帶寬，從而最大限度提升臺式機的性能?！傲钗覀兪指吲d的是，英飛凌模塊的測試結(jié)果使我們成功地打破了芯片組的限制，獲得了最佳的系統(tǒng)性能，”華碩主板事業(yè)部總監(jiān)Joe Hsieh聲稱。

英飛凌512MB DDR2-800無緩沖型DIMM與現(xiàn)有的高性能內(nèi)存模塊相比，將臺式機的數(shù)據(jù)吞吐量提高了約20%，并可與最先進(jìn)的處理器前端總線完美匹配。該模塊是針對那些不愿對自己的系統(tǒng)進(jìn)行超頻的最終用戶而設(shè)計的。由于英飛凌的DDR2內(nèi)存產(chǎn)品具備業(yè)界領(lǐng)先的低功耗特性，因此英飛凌成為擯棄使用超級散熱器的唯一DRAM供應(yīng)商，目前，這種散熱器是數(shù)據(jù)速率達(dá)到800Mbit/s的高速模塊的標(biāo)準(zhǔn)配置。 

英飛凌DDR2-800無緩沖型模塊有兩種密度，即256MB和512MB。256MB和512MB模塊基于256Mbit DDR2組件，采用符合JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）標(biāo)準(zhǔn)的60引腳FBGA封裝。現(xiàn)在客戶可獲得256MB 和 512MB模塊的樣品，批量生產(chǎn)擬于2005年6月開始。

定制化8GB DDR2-533堆疊式寄存型DIMM

英飛凌目前正在試供業(yè)界第一款面向?qū)＠头?wù)器的雙晶片8GB DDR2-533 寄存型 DIMM 內(nèi)存模塊。這些專有服務(wù)器并不是基于英特爾或者AMD芯片，而是采用了制造商自己研制的芯片組。新式內(nèi)存模塊包含36顆基于雙晶片技術(shù)的2Gbit  DDR2顆粒，該顆粒由兩片1Gb DDR2 SDRAM晶片堆疊實現(xiàn)。這種技術(shù)可以將內(nèi)存顆粒容量增加一倍，而厚度僅增加0.1毫米。

英飛凌的8GB DDR2-553寄存型DIMM內(nèi)存模塊厚4.1毫米，高30毫米，比同類產(chǎn)品的厚度減少約40%，大大超出了客戶對堆疊式解決方案的要求。這種更薄的內(nèi)存模塊可以改善高端DDR2服務(wù)器系統(tǒng)內(nèi)的氣流和散熱狀況。此外，由于采用了 英飛凌的低功耗DDR2顆粒，系統(tǒng)散熱條件得到了進(jìn)一步的改善。