應(yīng)用材料公司推出BLOk II 低K電介質(zhì)技術(shù)

　　近日，低K電介質(zhì)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者應(yīng)用材料公司宣布推出Applied Producer® BLOk™ II PECVD系統(tǒng)。這個全新的系統(tǒng)能夠提供先進的阻擋層低K電介質(zhì)技術(shù)，用于亞45納米技術(shù)節(jié)點制造速度更快、功耗更小的邏輯芯片。通過超低K介電質(zhì)（如應(yīng)用材料的Black Diamond®薄膜）的應(yīng)用，BLOk II 阻擋薄膜最高可降低互連電介質(zhì)疊合層的有效K值10%，從而加速了信號傳輸速度。Producer系統(tǒng)的單硅片處理結(jié)構(gòu)使得至關(guān)重要的預(yù)清洗可以在同一系統(tǒng)中進行，其結(jié)果使電遷移抵御能力高于相匹敵阻擋層技術(shù)30%，從而確保了可靠的粘合度并提高了器件可靠性。

　　應(yīng)用材料公司資深副總裁兼薄膜事業(yè)部總經(jīng)理Farhad Moghadam博士表示：“在持續(xù)推動互連技術(shù)延伸的材料創(chuàng)新方面，應(yīng)用材料公司站在了最前沿。最佳互連性能的關(guān)鍵是薄膜的整合，也就是控制銅和低K電介質(zhì)界面的能力，從而確保最終可靠性和封裝后的成品率。我們獨特的Producer BLOk系統(tǒng)提供了創(chuàng)新的界面工程工藝（具有專利的在同一系統(tǒng)中進行銅氧化物去除步驟）實現(xiàn)了良好的薄膜粘合度和很高的電性可靠度。目前市場上沒有任何其他的系統(tǒng)可以媲美如此杰出的界面性能?！?/P>

　　BLOk II系統(tǒng)和Black Diamond薄膜的整合性能已經(jīng)在應(yīng)用材料公司的Maydan技術(shù)中心得到了驗證，Applied Centura® Enabler®刻蝕系統(tǒng)對這些疊合層成功進行了刻蝕，而且優(yōu)化了選擇性和刻蝕率，控制了不良側(cè)蝕。這一先進經(jīng)驗將使客戶更快更好的將BLOk II技術(shù)整合到他們新一代低K薄膜疊合層中。

　　應(yīng)用材料公司的BLOk II薄膜能夠提供無與倫比的超薄阻擋層和非常低的介電值，目前正被全球多個客戶用于32納米的開發(fā)。應(yīng)用材料公司有超過250臺BLOk反應(yīng)腔用于生產(chǎn)，通過已被驗證的制造工藝，它們可以平穩(wěn)升級到BLOk II技術(shù)水平。