MOS模擬集成電路 —— 作者： 時間：2007-12-29 來源：電子元器件網(wǎng) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> MOSFET與BJT相比,具有許多突出的優(yōu)點(diǎn)：MOSFET是電壓控制器件，輸入偏流很?。?/SPAN>10-12A以下），輸入電阻高(1012Ω以上)；MOSFET功耗小，集成度高，抗輻射能力強(qiáng)；MOS工藝簡單，便于大規(guī)模集成。因此，自70年代以來，MOS模擬集成電路得到了迅速發(fā)展，各種功能的集成電路不斷涌現(xiàn)，其性能不斷提高。由MOSFET構(gòu)成的模擬集成電路，如運(yùn)放、電壓比較器、模擬開關(guān)、定時器、開關(guān)電容電路、乘法器、鎖相環(huán)路、頻率合成器、A/D與D/A轉(zhuǎn)換器、脈沖調(diào)制編碼/解碼器等已廣泛應(yīng)用于電子技術(shù)各個領(lǐng)域。尤其是采用MOS工藝可以使模擬信號處理技術(shù)與數(shù)字處理及計算機(jī)技術(shù)有機(jī)結(jié)合起來，融為一體，構(gòu)成模擬信號數(shù)字化的單片集成系統(tǒng)，促進(jìn)了通訊、圖像、聲音、雷達(dá)信號處理及其它技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展。
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