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英飛凌拓寬嵌入式閃存制造工藝應(yīng)用范圍

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作者: 時(shí)間:2008-01-10 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  科技股份公司近日宣布與簽訂協(xié)議,拓寬公司成熟的大容量閃存制造工藝的應(yīng)用范圍 。將獲得130納米閃存工藝的使用許可,用于在北美地區(qū)制造全新的芯片。此外,將利用的晶圓代工服務(wù)生產(chǎn)基于該工藝的產(chǎn)品。

  在2006年初,英飛凌的130納米閃存工藝就已在英飛凌工廠中得到廣泛應(yīng)用,用于生產(chǎn)從汽車(chē)系統(tǒng)到低功率芯片卡設(shè)備等應(yīng)用所需的高級(jí)微控制器芯片。通過(guò)本協(xié)議,IBM還獲得了相關(guān)非易失性存儲(chǔ)器(NVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的使用許可。130納米嵌入式閃存工藝的采用將提高IBM的晶圓代工能力,使其滿足在單芯片上集成定制邏輯和高密度閃存的應(yīng)用需求。

  英飛凌執(zhí)行副總裁、管理委員會(huì)成員兼汽車(chē)、工業(yè)及多元化電子市場(chǎng)部主管Peter Bauer表示:“我們非常高興簽訂許可協(xié)議和晶圓代工服務(wù)協(xié)議,繼續(xù)與IBM的長(zhǎng)期合作和共同技術(shù)開(kāi)發(fā)。通過(guò)此次合作,英飛凌不僅能充分利用自己的制造知識(shí)產(chǎn)權(quán),贏得新的批量制造伙伴,而且加強(qiáng)了與長(zhǎng)期合作伙伴之間的關(guān)系?!?/P>

  IBM全球工程方案部半導(dǎo)體解決方案副總裁Steve Longoria表示:“通過(guò)與全球嵌入式閃存技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商英飛凌合作,我們拓寬了自己的半導(dǎo)體產(chǎn)品范圍。這項(xiàng)許可協(xié)議可充分利用我們現(xiàn)有的技術(shù)基礎(chǔ),而且給我們的模擬與混合信號(hào)技術(shù)帶來(lái)了有益補(bǔ)充?!?/P>

  該工藝的整合與驗(yàn)證工作已開(kāi)始在IBM位于佛蒙特州Burlington的200毫米晶圓廠進(jìn)行,計(jì)劃在2008年下半年推出初步設(shè)計(jì)套件。

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