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IR推出全新基準MOSFET,將封裝電流額定值提升了60%

作者: 時間:2008-12-18 來源:電子產品世界 收藏

全球和管理方案領導廠商 – 國際公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列,適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。 
  

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/90339.htm

新器件的封裝電流額定值達到195A,比典型封裝電流額定值高出60%。新款MOSFET具有更低的導通電阻 (RDS (on)) ,并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封裝。此外,7 管腳D2PAK封裝的電流額定值達到240A的卓越水平,使它成為市場上最耐用的表面貼裝封裝之一。這種7管腳D2PAK封裝比D2PAK封裝具更低的RDS (on) 。

IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“這些封裝提供的更高電流額定值有助于利用不需要的瞬態(tài)提供更多防護頻帶,而且還能讓數(shù)枚MOSFET分享高電流的平行式拓撲得以減少器件數(shù)目。”

全新N信道MOSFET系列提供60V至200V的電壓,并達到工業(yè)級別及濕度敏感度第一階(MSL1) 標準。新器件均不含鉛及符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。

產品基本規(guī)格如下:


器件編號

通道
類型

Bvdss
(V)

RDS(on)
(mΩ)

25ºC Id
(A)

Qg
(nC)

封裝

IRFB3006PBF

N

60

2.5

195*

200

TO-220

IRFS3006PBF

N

60

2.5

195*

200

D2PAK

IRFS3006-7PPBF

N

60

2.1

240*

200

D2PAK-7

IRFS3107PBF

N

75

3.0

195*

160

D2PAK

IRFS3107-7PPBF

N

75

2.6

240*

160

D2PAK-7

IRFS4010PBF

N

100

4.7

180

143

D2PAK

IRFS4010-7PPBF

N

100

4.0

190

150

D2PAK-7

IRFB4115PBF

N

150

11

104

77

TO-220

IRFS4115PBF

N

150

12.1

99

77

D2PAK

IRFS4115-7PPBF

N

150

11.8

105

73

D2PAK-7

IRFB4127PBF

N

200

20

76

100

TO-220

IRFS4127PBF

N

200

22

72

100

D2PAK

* 封裝限制

新款MOSFET系列已經開始供貨。產品詳細資料可瀏覽IR 網址: www.irf.com。
      
IR簡介

國際公司 (簡稱IR,紐約證交所代號IRF) 是全球和管理方案領導廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設備) ,是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準。

IR成立于1947年,總部設在美國洛杉磯,在二十個國家設有辦事處。IR全球網站:www.irf.com,亞洲網站:www.irf-asia.com ,中國網站:www.irf.com.cn。


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