太陽能時(shí)代來臨　臺(tái)灣設(shè)備業(yè)風(fēng)雨中迎契機(jī)

　　面板業(yè)碰上歷年來最嚴(yán)峻的金融海嘯襲擊，遞延、砍單效應(yīng)持續(xù)發(fā)威，在面臨訂單腰斬的考驗(yàn)下，太陽能產(chǎn)業(yè)成了臺(tái)系設(shè)備廠的“綠色奇跡”，然而景氣陰霾揮之不去，前有歐美大廠大陣仗堵住去路，后有大陸追兵，臺(tái)系設(shè)備廠的太陽能夢，如何才能撥云見日，重現(xiàn)當(dāng)年臺(tái)廠面板設(shè)備廠蓬勃的榮景?

　　生不逢時(shí)　烏云掩蓋太陽商機(jī)

　　首先，從太陽能產(chǎn)業(yè)面來看，自2008年第4季受金融風(fēng)暴及西班牙補(bǔ)助政策急轉(zhuǎn)彎，需求大減，市況陷入一片混亂，多晶硅料源價(jià)格狂跌，太陽能業(yè)者面臨虧損命運(yùn)，料源始終是隱憂，也因此讓無料源之憂的薄膜趁勢崛起，于是擴(kuò)產(chǎn)競賽再次上演，借著大買國際設(shè)備廠的Turnkey設(shè)備，看起來似乎頗有與多晶硅分庭抗禮的意味。然而說到底，太陽能產(chǎn)業(yè)終究還是強(qiáng)褓中的嬰兒，至于設(shè)備產(chǎn)業(yè)則可說還在胚胎期。

　　然而在孕育成長的過程中，大環(huán)境始終迷霧籠罩，過度擴(kuò)產(chǎn)的結(jié)果，在景氣照妖鏡下一一現(xiàn)形，太陽能廠自身難保，只得減緩?fù)顿Y，而當(dāng)中又屬設(shè)備的投資金額最高，當(dāng)然成為企業(yè)瘦身的獻(xiàn)祭品。自2009年初，多晶硅與薄膜設(shè)備訂單，皆開始出現(xiàn)遞延，設(shè)備廠營運(yùn)也大受影響。

　　而從以上情況可以發(fā)現(xiàn)設(shè)備廠正面臨幾個(gè)問題，第1、起步時(shí)間落后國外設(shè)備大廠數(shù)年，雖然已急起直追，縮短差距，但是短期間，難以扭轉(zhuǎn)臺(tái)灣太陽能廠偏愛進(jìn)口設(shè)備的心態(tài);其次，晶硅與薄膜，究竟選擇何者發(fā)展，對臺(tái)系廠是一場豪賭;第3、雖然有過去面板設(shè)備的發(fā)展經(jīng)驗(yàn)，然而關(guān)鍵制程如化學(xué)器氣象沉積(PECVD)、燒結(jié)爐(Firing Furnace)、擴(kuò)散爐(Diffusion)等仍技術(shù)不足。

　　晶硅與薄膜制程

　　回歸到制程設(shè)備來看臺(tái)灣廠商的發(fā)展現(xiàn)況，首先談較成熟的晶硅太陽能電池制程，總共有4個(gè)主要階段，分為硅原料(Silicon)、硅晶圓(Wafer)、太陽能電池(Cell)及模塊(Module)。設(shè)備廠主要發(fā)展Cell段制程設(shè)備，先將硅晶圓經(jīng)過撿片機(jī)挑選、檢測及清洗(Incoming Wafer Inspection)，接著進(jìn)行表面粗化制程(Texturing)減少陽光的反射，然后經(jīng)過擴(kuò)散爐(Diffusion)在p型基板上，形成1層薄薄的n型半導(dǎo)體，經(jīng)由蝕刻(etching)將n型邊緣除去，才能彰顯出p-n二極管的結(jié)構(gòu)，接著經(jīng)過電漿鍍膜(SiN-coating)、金屬鍍膜(Metallization)等方式在晶圓上印出導(dǎo)電電極，再經(jīng)燒結(jié)爐(Firing Furnace )干燥，最后進(jìn)行電池測試與分級(Testing and Sorting)。

　　至于非晶硅(Amorphous Silicon)薄膜太陽能電池模塊(Thin-Film Solar Cell)，則是一種利用濺鍍或是化學(xué)氣相沉積方式，在玻璃或金屬基板上，生成薄膜的薄膜太陽能生產(chǎn)方式。其制程是先清洗玻璃基板(Glass Cleaning)，而后藉由化學(xué)氣象沉積(PECVD)制程設(shè)備在玻璃基板鍍上透明導(dǎo)電膜(TCO coating)，進(jìn)行雷射切割(Laser Scribing)分割玻璃上的TCO膜，接著形成金屬膜(Coating Absorber)，再進(jìn)行雷射切割，接著鍍上背面電極(Coating Back Contact)后進(jìn)行第3次雷射切割，最后經(jīng)過檢測(Inspection)、模塊封裝(Module Production)即完成出貨。

　　另外，不論在晶硅或薄膜，制程與制程間，皆需要自動(dòng)化設(shè)備進(jìn)行基板抓取、運(yùn)送，提升產(chǎn)品量率、生產(chǎn)速度及制程穩(wěn)定性。

　　簡而言之，可以將設(shè)備大抵分為制程設(shè)備及外圍設(shè)備。晶硅部分的制程設(shè)備包括酸堿清洗槽、擴(kuò)散爐、電漿蝕刻機(jī)、電漿鍍膜設(shè)備、網(wǎng)印機(jī)、烘烤爐、紅外線高溫?zé)Y(jié)爐等，外圍設(shè)備包括晶圓檢測機(jī)、電池檢測及分級設(shè)備及自動(dòng)化設(shè)備等。