臺(tái)積電與CEA-Leti合作推動(dòng)無(wú)光罩微影技術(shù)
為積極朝向22納米制程技術(shù)前進(jìn),臺(tái)積電宣布與法國(guó)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti簽訂合作協(xié)議,將參與由CEA-Leti主持的IMAGINE產(chǎn)業(yè)研究計(jì)畫,就半導(dǎo)體制造中的無(wú)光罩微影技術(shù)進(jìn)行合作,這項(xiàng)計(jì)畫為期3年。日前曾傳出,由于經(jīng)濟(jì)前景不明,部分設(shè)備商延后22納米制程技術(shù)研發(fā),臺(tái)積電此舉則希望更積極主動(dòng)推動(dòng)22納米無(wú)光罩微影技術(shù)。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/96019.htm這次臺(tái)積電參與的CEA-Leti IMAGINE研究計(jì)畫為期3年,所有參與這項(xiàng)計(jì)畫的公司都可取得無(wú)光罩微影架構(gòu)供IC制造使用,也可以藉由設(shè)備商Mapper所提供的技術(shù)提高生產(chǎn)效率。這項(xiàng)研究計(jì)畫包涵了無(wú)光罩技術(shù)的設(shè)備評(píng)估、制像與制程整合、資料處理、原型制作與成本分析等多項(xiàng)技術(shù)。
臺(tái)積電研發(fā)副總孫元成表示,推動(dòng)具成本效益的微影技術(shù),而發(fā)展無(wú)光罩微影技術(shù)即是潛在的解決方案之一。之前臺(tái)積電已宣布與Mapper一同開發(fā)多重電子束微影技術(shù),供22納米及更先進(jìn)的制程使用,這次藉由參與CEA-Leti的IMAGINE研究計(jì)畫,希望與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)盟,加速無(wú)光罩微影技術(shù)在IC制造領(lǐng)域的發(fā)展與推廣。
CEA-Leti總執(zhí)行長(zhǎng)Laurent Malier也指出,微影技術(shù)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一項(xiàng)主要挑戰(zhàn),未來(lái)采用無(wú)光罩的解決方案可提供彈性與得到機(jī)臺(tái)的成本優(yōu)勢(shì),同時(shí)與設(shè)備商Mapper相結(jié)合,也看到了提升生產(chǎn)效率的可能性。這次臺(tái)積電的加入對(duì)IMAGINE研究計(jì)劃相當(dāng)重要,從臺(tái)積電的角度,不僅可強(qiáng)化制造可行性的評(píng)估,同時(shí)重量級(jí)業(yè)者參加,也將帶領(lǐng)無(wú)光罩微影技術(shù)邁向發(fā)展進(jìn)程下一步,成為可運(yùn)用在22納米制程的解決方案。
臺(tái)積電日前表示,目前Fab12 P4已經(jīng)導(dǎo)入機(jī)器設(shè)備,接下來(lái)將做為臺(tái)積電的研發(fā)總部,未來(lái)將投入28、22納米制程技術(shù)研發(fā)與先期量產(chǎn)工作。臺(tái)積電于45納米導(dǎo)入浸潤(rùn)式微顯影(immersion lithography)也是與設(shè)備商ASML共同開發(fā)的成果,而在22納米制程技術(shù)以下,臺(tái)積電除了與ASML共同合作深紫外光(EUV)解決方案,也尋求無(wú)光罩微顯影的解決方案。
評(píng)論