- 微影設備業(yè)者ASML第一季已完成136臺極紫外光（EUV）曝光機出貨，累計超過7,000萬片晶圓完成EUV曝光。隨著EUV微影技術推進，預期2025年之后新一代EUV曝光機每小時曝光產量可達220片以上，以因應客戶端先進制程推進至埃米（Angstrom）世代對先進微影技術的強勁需求。雖然2023年半導體市況能見度低且不確定性高，但包括臺積電、英特爾、三星、SK海力士、美光等全球前五大半導體廠仍積極投資EUV產能，加上制程推進會帶動光罩層數(shù)增加，法人樂觀看好家登、帆宣、公準、意德士（等EUV概念股明年營運將
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微影技術 ASML EUV
- 據(jù)外國媒體報道，荷蘭微影設備廠ASML宣布，三星公司已同意向ASML投資5.03億歐元(約合6.29億美元)，獲得該公司3%股權。此外，三星承諾在未來5年將向ASML公司投資2.76億歐元(約合3.45億美元)，支持ASML研發(fā)下一代微影技術。
此前，臺積電和英特爾公司已宣布分別以8.38億歐元和33億歐元收購ASML公司5%和15%股權。同時，臺積電公司承諾在未來5年向ASML投入2.76億歐元，用于ASML的研發(fā)計劃。
ASML公司之前曾邀英特爾、臺積電和三星等公司加入由其
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三星 微影技術
- 目前次世代微影技術發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn)，而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術最快于2014年可望進入量產，而應用存儲器制程又將早于邏輯制程，他也指出，無光罩多重電子束恐怕來不及進入量產。
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微影技術 EUV
- 臺灣積體電路制造股份有限公司(臺積電)10日公布2009年6月營收報告，就非合并財務報表方面，營收約為新臺幣257億7800萬元，較2009年5月增加了5.3%，較去年同期減少了9.6%。累計2009年1至6月營收約為新臺幣1095億5600萬元，較去年同期減少了35.9%。
就合并財務報表方面，2009年6月營收約為新臺幣265億1500萬元，較2009年5月增加了5.0%，較去年同期減少了10.0%;累計2009年1至6月營收約為新臺幣1137億1200萬元，較去年同期減少了35.3%。
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臺積電 22納米 微影技術
- 為積極朝向22納米制程技術前進，臺積電宣布與法國半導體研究機構CEA-Leti簽訂合作協(xié)議，將參與由CEA-Leti主持的IMAGINE產業(yè)研究計畫，就半導體制造中的無光罩微影技術進行合作，這項計畫為期3年。日前曾傳出，由于經濟前景不明，部分設備商延后22納米制程技術研發(fā)，臺積電此舉則希望更積極主動推動22納米無光罩微影技術。
這次臺積電參與的CEA-Leti IMAGINE研究計畫為期3年，所有參與這項計畫的公司都可取得無光罩微影架構供IC制造使用，也可以藉由設備商Mapper所提供的技術提高
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臺積電 22納米 微影技術
微影技術介紹
微影技術(Lithography)是制造晶體管及它們之間的連結的關鍵技術，在半導體制程上較狹義之定義，一般是指以光子束經由圖罩(Mask, Reticle)對晶圓(Wafer)上之阻劑照射；以電子束、離子束經由圖罩、圖規(guī)(Stencil)對阻劑照射；或不經由圖罩、圖規(guī)，對阻劑直接照射（直寫），使阻劑產生極性變化、主鏈斷鏈、主鏈交連等化學作用，經顯影后將圖罩、圖規(guī)或直寫之特定圖案轉移至晶圓?！ ? [
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