新聞中心

EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 新品快遞 > Fairchild推出雙MOSFET解決方案FDMC8200

Fairchild推出雙MOSFET解決方案FDMC8200

作者: 時(shí)間:2009-07-08 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  飛兆半導(dǎo)體公司 ( Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)業(yè)界領(lǐng)先的雙解決方案,可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計(jì)提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30V N溝道,二者均使用的專用先進(jìn)高性能® 7 技術(shù),提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD),這些性能最大限度地減少傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗,帶來(lái)更高效率。高側(cè)RDS(ON) 通常為24mOhm,低側(cè)則為9.5mOhm,可提供9A以上電流供主流計(jì)算應(yīng)用,而經(jīng)優(yōu)化的引腳輸出和占位面積,為布局和路由帶來(lái)便利,并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/96055.htm

  通過(guò)先進(jìn)的封裝技術(shù)和專有 7工藝,節(jié)省空間并提升熱性能,解決DC-DC應(yīng)用的主要設(shè)計(jì)難題。采用緊湊型高熱效3mm x 3mm Power33 MLP封裝和 7技術(shù),其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。

  這款雙MOSFET器件是飛兆半導(dǎo)體廣泛的先進(jìn)MOSFET技術(shù)產(chǎn)品系列的一部分,全系列均擁有廣闊的擊穿電壓范圍和現(xiàn)代化的封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)高效的功率管理和低熱阻的特點(diǎn)。同系列其它產(chǎn)品包括集成了FET模塊的FDMS9600S 和FDMS9620S器件,同樣能夠顯著減少電路板空間,并提升同步降壓設(shè)計(jì)以達(dá)到更高的轉(zhuǎn)換效率。



關(guān)鍵詞: Fairchild MOSFET PowerTrench FDMC8200

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉