ITO靶材向大尺寸高密度方向發(fā)展

　　熱壓工藝制作過(guò)程所需的成型壓力較小，燒結(jié)溫度較低，燒結(jié)時(shí)間較短。但熱壓法生產(chǎn)的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均勻，從而影響了生產(chǎn)ITO薄膜的均勻性，且不能生產(chǎn)大尺寸的靶。

　　燒結(jié)法

　　ITO靶材燒結(jié)制作法是在以銦錫氧化物共沉淀粉末或氧化銦和氧化錫混合粉末為原料，加入黏結(jié)劑和分散劑混合后，壓力成型，脫脂，然后于1400℃～1600℃燒結(jié)。

　　燒結(jié)法設(shè)備投入少，成本低，產(chǎn)品密度高、缺氧率低，尺寸大、但制造過(guò)程中對(duì)粉末的選擇性很強(qiáng)。

　　大尺寸高密度是研發(fā)重點(diǎn)

　　國(guó)外于上世紀(jì)70年代開(kāi)始研制ITO靶材，主要集中于日本、美國(guó)和德國(guó)，目前已形成規(guī)模產(chǎn)業(yè)，主要采用冷壓——— 燒結(jié)工藝成形和致密化，同時(shí)兼顧熱壓和熱等靜壓工藝，以獲得不同質(zhì)量檔次的靶材。日本在靶材制備技術(shù)和裝備技術(shù)上走在世界前列，已形成了從粉末、靶材制備、鍍膜到液晶顯示器件制造較完整的產(chǎn)業(yè)鏈。國(guó)內(nèi)于上世紀(jì)90年代初開(kāi)始研制ITO靶材，主要集中在大學(xué)和科研單位，主要工藝是熱壓法。

　　近年來(lái)，隨著平板顯示器尺寸大型化的發(fā)展，對(duì)ITO靶材尺寸及密度的要求也越來(lái)越高，熱壓設(shè)備與技術(shù)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足其要求。因此，以燒結(jié)工藝生產(chǎn)大尺寸、高密度ITO靶材已成為國(guó)內(nèi)各大靶材生產(chǎn)廠家研發(fā)的重點(diǎn)。

　　LCD經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的發(fā)展后，產(chǎn)品質(zhì)量不斷提升，成本也不斷下降，對(duì)ITO靶材的要求也隨之提高，因此，配合LCD的發(fā)展，未來(lái)ITO靶材發(fā)展大致有以下的趨勢(shì)：

　　1.降低電阻率。隨著LCD愈來(lái)愈精細(xì)化發(fā)展的趨向，以及它的驅(qū)動(dòng)程序不同，需要更小電阻率的透明導(dǎo)電膜。

　　2.高密度化。靶材密度的改善直接帶來(lái)的益處主要表現(xiàn)在減少黑化和降低電阻率方面。靶材若為低密度時(shí)，有效濺射表面積會(huì)減少，濺射速度也會(huì)降低，靶材表面黑化趨勢(shì)加劇。高密度靶的表面變化少，可以得到低電阻膜。靶材密度與壽命也有關(guān)，高密度的靶材壽命較長(zhǎng)，意味著可降低靶材成本。

　　3.尺寸大型化。隨著液晶模塊產(chǎn)品輕薄化和低價(jià)化趨勢(shì)的不斷發(fā)展，相應(yīng)的ITO玻璃基板也出現(xiàn)了明顯的大型化的趨勢(shì)，因此ITO靶材單片尺寸大型化不可避免。

　　4.靶材本體一體化。如前所述，靶材將朝大面積發(fā)展，以往技術(shù)能力不足時(shí)，必須使用多片靶材拼焊成大面積，但由于接合處會(huì)造成鍍膜質(zhì)量下降，因此目前大多以一體成形為主，以提升鍍膜質(zhì)量與使用率。未來(lái)新世代LCD玻璃基板尺寸的加大，對(duì)靶材生產(chǎn)廠家是一項(xiàng)嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。

　　5.使用高效率化。靶材使用率的提升，一直是設(shè)備商、使用者及靶材制造商共同努力的方向。目前靶材利用率可達(dá)40%，隨著液晶顯示器行業(yè)對(duì)材料成本要求的提高，提高ITO靶材的利用率也將是未來(lái)靶材研發(fā)的方向之一。