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安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟近日宣布與全球領(lǐng)先的工業(yè)NAND閃存存儲和硬件安全解決方案供應(yīng)商?Flexxon?建立新的合作伙伴關(guān)系。e絡(luò)盟是一家為電子和工業(yè)系統(tǒng)設(shè)計、維護(hù)和維修提供相關(guān)產(chǎn)品和技術(shù)的分......
近日，江波龍在接受機構(gòu)調(diào)研時表示，目前江波龍兩款自研主控芯片（WM6000、WM5000）已經(jīng)批量出貨，并已經(jīng)實現(xiàn)了超千萬顆的規(guī)?；a(chǎn)品導(dǎo)入，收到了良好的效果。主控芯片屬于集成電路設(shè)計領(lǐng)域，該領(lǐng)域具有高壁壘和高度細(xì)分的特......
據(jù)韓媒報道，三星近期將開始銷售前端和后端生產(chǎn)線的舊設(shè)備，其中包括位于中國西安的NAND工廠。報道稱，三星近期正在半導(dǎo)體部門（DS）實施大規(guī)模成本削減和產(chǎn)線調(diào)整，并正在考慮出售其中國半導(dǎo)體生產(chǎn)線的舊設(shè)備。預(yù)計出售程序?qū)⒂诿?.....
11 月 7 日消息，鎧俠日本當(dāng)?shù)貢r間昨日表示，其“創(chuàng)新型存儲制造技術(shù)開發(fā)”提案已獲日本新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)（NEDO）“加強后 5G 信息和通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項目 / 先進(jìn)半導(dǎo)體制造......
11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存。該產(chǎn)品可實現(xiàn) 48GB 的單堆棧容量，預(yù)計明年初出樣。雖然一......
在人工智能大型模型和邊緣智能領(lǐng)域的算力需求激增的推動下，市場對于高性能存儲解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預(yù)測，2024年全球存儲器市場的銷售額有望增長61.3%，達(dá)到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗，兼具高性能和......
2024 年 10 月，研華科技宣布推出新一代SQRAM CXL 2.0 Type 3 內(nèi)存模塊。Compute Express Link (CXL) 2.0 是內(nèi)存技術(shù)的下一代進(jìn)化產(chǎn)品，可通過高速、低延遲的互連實現(xiàn)內(nèi)存......
10 月 30 日消息，芝奇國際今日宣布再度刷新內(nèi)存頻率超頻世界紀(jì)錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績，通過液態(tài)氮極限超頻技術(shù)，創(chuàng)下 DDR5-12112 的超頻紀(jì)錄。該紀(jì)錄使用的是芝......
10 月 29 日消息，《韓國經(jīng)濟(jì)日報》當(dāng)?shù)貢r間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過 400，而預(yù)計于 2027 年推出的 0a n......
在全球數(shù)字化轉(zhuǎn)型和大模型興起的浪潮中，全球算力產(chǎn)業(yè)正逐漸從以計算單元為中心轉(zhuǎn)為以存儲單元為中心，存儲器已成為未來算力發(fā)展的核心組成部分，并迎來快速發(fā)展的黃金時期。億鑄科技，作為國內(nèi)領(lǐng)先的基于新型存儲的存算一體AI大算力芯......
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