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智能電網(wǎng)端口保護：這不是一顆“料”在戰(zhàn)斗!

  • 　　今天，做一個產(chǎn)品或系統(tǒng)的電路保護方案，特別是智能電網(wǎng)等工業(yè)應用的端口保護設(shè)計，就像是組織一場足球比賽的防御戰(zhàn)：你需要有大牌的球(yuan)星(jian)，還需要有將他們捏合在一起的戰(zhàn)術(shù)，去抵御來自對手的每一次可能的“進攻”。這其中的門道兒不少，但也有套路可尋，今天我們就來看看世健(Excelpoint)作為工業(yè)電路保護界的“豪門”，是怎么玩兒的?！　∧切┟餍窃　∠葋砑殧?shù)一下世健帳下那些在智能電網(wǎng)上可堪重用的電路保護元件“球星”，它們大多來自Bourns公司，每顆料都很有“料”。比如：　　TBU高速
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1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性

  • SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當然，要進行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外，還必須具備適當?shù)目煽啃?，以及足夠的閾值電壓和以應用為導向的短路耐受能力等?？膳cIGBT兼容的VGS=15V導通驅(qū)動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
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電源模塊性能的PCB布局優(yōu)化

  • 全球出現(xiàn)的能源短缺問題使各國政府都開始大力推行節(jié)能新政。電子產(chǎn)品的能耗標準越來越嚴格，對于電源設(shè)計工程師，如何設(shè)計更高效率、更高性能的電源是一個永恒的挑戰(zhàn)。本文從電源PCB的布局出發(fā)。
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三極管和MOS管做開關(guān)用時的區(qū)別

  • 實際上就是三極管比較便宜，用起來方便，常用在數(shù)字電路開關(guān)控制。MOS管用于高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場合，普通應用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管
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功率MOSFET的結(jié)構(gòu),工作原理及應用

  • “MOSFET(場效應管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(場效應管)(Power MOSFET(場效應管))是指它能輸出較大的工作電流
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MOSFET安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應用的意義所在

  • 即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調(diào)整容量時，任務關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問題。控制器 IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) (圖 1)。電路板插入后，MOSFE
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電源設(shè)計小貼士43：分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案

  • 在本設(shè)計小貼士中，我們來了解一下自驅(qū)動同整流器并探討何時需要分立驅(qū)動器來保護同步整流器柵極免受過高電壓帶來的損壞。理想情況下，您可以利用電源變壓器直接驅(qū)動同步整流器，但是由于寬泛的輸入電壓變量，變壓器電壓會變得很高以至于可能會損壞同步整流器。
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電源設(shè)計小貼士 42：可替代集成MOSFET的分立器件

  • 分立器件可以幫助您節(jié)約成本。價值大約 0.04 美元的分立器件可以將驅(qū)動器 IC 成本降低 10 倍。分立驅(qū)動器可提供超過2A 的電流并且可以使您從控制 IC 中獲得電力。此外，該器件還可去除控制 IC 中的高開關(guān)電流，從而提高穩(wěn)壓和噪聲性能。
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電源設(shè)計小貼士31：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

電源設(shè)計小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升

  • 在本《電源設(shè)計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設(shè)計小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。遍及整個網(wǎng)絡(luò)的各種電壓代表各個溫度。
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意法半導體推出5x6mm雙面散熱微型封裝汽車級功率MOSFET管

  • 　　意法半導體推出了采用先進的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管，新產(chǎn)品可提高汽車系統(tǒng)電控單元(ECU)的功率密度，已被為全球所有的汽車廠商提供先進技術(shù)的汽車零配件大廠電裝株式會社選用。　　STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管，可用于汽車電機控制、電池極性接反保護和高性能功率開關(guān)。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標準封裝的尺寸和高散熱效率的底部設(shè)計，同時將頂部的源極曝露在
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全新高壓MOSFET高效支持大小功率應用

  • 　　英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)壯大現(xiàn)有的CoolMOS?技術(shù)產(chǎn)品陣容，推出600 V CoolMOS? P7和600 V CoolMOS? C7 Gold (G7)系列。這兩個產(chǎn)品系列的擊穿電壓高達600 V，具備更出色的超結(jié)MOSFET性能。它們可在目標應用中實現(xiàn)非常出色的功率密度。　　600 V CoolMOS&
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東芝面向風扇電機推出600V／500V小型封裝高壓智能功率器件

  • 　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出新系列小型封裝高壓智能功率器件(IPD)，這些產(chǎn)品用于空調(diào)、空氣凈化器和空氣泵等各類風扇電機。該新系列包括600V/2.5A “TPD4204F"和500V/2.5A “TPD4206F2"兩款產(chǎn)品，產(chǎn)品出貨即日啟動?！　±脰|芝最新的MOSFET技術(shù)，新系列IPD在新開發(fā)的小型表面貼裝“SOP30”封裝中實現(xiàn)高壓和低功率損耗，該封裝尺寸僅為20.0mm x 14.2mm。其封裝空間僅約為東
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東芝推出EMI性能更佳的600V/650V超結(jié)N溝道功率MOSFET

  • 　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超結(jié)N溝道功率MOSFET，該產(chǎn)品適用于工業(yè)和辦公設(shè)備。該新“DTMOS V系列”最初將提供12款產(chǎn)品。樣品發(fā)貨即日啟動，批量生產(chǎn)發(fā)貨計劃于3月中旬啟動?！　≡撔孪盗袚碛信c東芝當前的“DTMOS IV系列”相同水平的低導通電阻、高速開關(guān)性能，同時，其優(yōu)化的設(shè)計流程使EMI性能提升約3至5dB[1]。而且，降低的單位面積導通電阻(RON x A)性能使新的650v 0.
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