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繼電器相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)及應(yīng)用電路設(shè)計(jì)匯總

　　繼電器是一種電控制器件，是當(dāng)輸入量(激勵(lì)量)的變化達(dá)到規(guī)定要求時(shí)，在電氣輸出電路中使被控量發(fā)生預(yù)定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統(tǒng)(又稱(chēng)輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱(chēng)輸出回路)之間的互動(dòng)關(guān)系。通常應(yīng)用于自動(dòng)化的控制電路中，它實(shí)際上是用小電流去控制大電流運(yùn)作的一種“自動(dòng)開(kāi)關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。　　極限條件下的時(shí)間繼電器設(shè)計(jì)方案　　時(shí)間繼電器是一種使用在較低的電壓或較小電流的電路上，用來(lái)接通或切斷較高電壓、較大電流的電路的電氣元件，也許可
關(guān)鍵字： PIC18F6585 MOSFET

Fairchild新的擴(kuò)展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS)正在利用其擴(kuò)展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴(kuò)充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)值的MOSFET高三倍。　　這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn)，換言之，其最大結(jié)溫可高達(dá)150° C，超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)150° C MOSFET能達(dá)到的125°
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET

Fairchild新的擴(kuò)展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應(yīng)用

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 正在利用其擴(kuò)展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴(kuò)充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)值的MOSFET高三倍。　　這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn)，換言之，其最大結(jié)溫可高達(dá)150° C，超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)150° C MOSFET能達(dá)到的125° C，使更大的設(shè)計(jì)裕量成
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET

Fairchild 的 800V SuperFET II MOSFET 系列提供最低的導(dǎo)通電阻和多種可選封裝

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列，該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設(shè)計(jì)師提高高性能解決方案(需要 600V/650V 以上的擊穿電壓)的效率、成本效益和可靠性，同時(shí)通過(guò)減少元件的使用從而減少這些設(shè)計(jì)的電路板空間。　　800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性，加上出色的效率和熱特性，使其成為各種應(yīng)用的理想之選
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET

一種軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)電路

　　摘要：在很多消費(fèi)電子設(shè)備中用到了軟啟動(dòng)電路與防反接電路，其保護(hù)作用非常顯著。多數(shù)的設(shè)計(jì)中，這兩種電路獨(dú)立存在，或者僅有一種保護(hù)電路，導(dǎo)致部分保護(hù)功能缺失或者電路設(shè)計(jì)復(fù)雜。本設(shè)計(jì)提出一種設(shè)計(jì)方法，同時(shí)實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)功能，且電路簡(jiǎn)單。　　軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)電路對(duì)電子設(shè)備有很好的保護(hù)作用，由于消費(fèi)電子客戶存在多次開(kāi)關(guān)機(jī)的應(yīng)用場(chǎng)景和輸入接反的可能性。但是由于成本與電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，很多設(shè)計(jì)中只提供了一種保護(hù)電路。本文基于提供全面保護(hù)與降低成本、降低設(shè)計(jì)復(fù)雜性的角度，提出一種電路，整合了軟啟動(dòng)與防反
關(guān)鍵字：保護(hù)電路軟啟動(dòng) 繼電器 MOSFET 反接電路二極管 201503

一種高性能可智能控制型LED路燈驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)

　　摘要：本文針對(duì)傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電源電能損耗大、效率和智能化程度低的缺點(diǎn)，設(shè)計(jì)了一款適用于大功率LED路燈的高性能可智能控制型驅(qū)動(dòng)電源。本文選擇了多級(jí)驅(qū)動(dòng)方案，即功率因數(shù)校正(PFC)電路、LLC諧振控制電路和多路恒流輸出的三級(jí)式結(jié)構(gòu)。本文采用合理的設(shè)計(jì)，優(yōu)化了功率校正因數(shù)，增大了輸入電壓范圍，提高了整機(jī)效率，使輸出電流在全負(fù)載范圍內(nèi)更加穩(wěn)定，同時(shí)增加了PWM調(diào)光控制功能，可根據(jù)外界環(huán)境的變化智能控制LED路燈的亮度，從而達(dá)到進(jìn)一步節(jié)能減排的效果。　　引言　　由于具有高光效、長(zhǎng)壽命、燈具效率高、環(huán)保和易
關(guān)鍵字： LED 驅(qū)動(dòng)電源 PFC LLC PWM MOSFET 201503

意法半導(dǎo)體(ST)擴(kuò)大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，為更多應(yīng)用帶來(lái)寬帶隙技術(shù)優(yōu)勢(shì)

　　意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進(jìn)的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應(yīng)用帶來(lái)技術(shù)優(yōu)勢(shì)，包括純電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)的逆變器、太陽(yáng)能或風(fēng)力發(fā)電、高能效驅(qū)動(dòng)器、電源以及智能電網(wǎng)設(shè)備。　　意法半導(dǎo)體是業(yè)界少數(shù)具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導(dǎo)體研發(fā)的領(lǐng)導(dǎo)廠商之一，并始終致力于技術(shù)的研發(fā)與升級(jí)。這次推出的1200V SCT20N120進(jìn)一步擴(kuò)大了碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，具有小于290m?的通態(tài)電阻 (RDS(ON
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 SCT20N120 MOSFET

LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的5大關(guān)鍵

　　要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術(shù)性的問(wèn)題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegrations市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的心得。　　一、不要使用雙極型功率器件　　DougBailey指出由于雙極型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一個(gè)，所以一些設(shè)計(jì)師為了降低LED驅(qū)動(dòng)成本而使用雙極型功率器件，這樣會(huì)嚴(yán)重影響電路的可靠性，因?yàn)殡S著LED驅(qū)動(dòng)電路板溫度的提升，雙極型器件的有效工作范圍會(huì)迅速縮小，這樣會(huì)導(dǎo)致器件在溫度
關(guān)鍵字： LED MOSFET

Diodes芯片級(jí)雙向MOSFET節(jié)省空間有效提高鋰電池容量

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護(hù)。DMN2023UCB4的低導(dǎo)通電阻可降低功耗，纖薄的芯片級(jí)封裝則使設(shè)計(jì)人員能夠利用省下來(lái)的空間來(lái)提高電池容量。新產(chǎn)品的目標(biāo)終端市場(chǎng)包括智能手機(jī)、平板電腦、照相機(jī)、便攜式媒體播放器，以及對(duì)其尺寸丶重量和電池壽命都至關(guān)重要的同類(lèi)型消費(fèi)性產(chǎn)品。　　DMN2023UCB4的RSS(on) 少於26mΩ，旨在以最低的導(dǎo)通電阻來(lái)減低功耗。此外，其雙N通
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET

哪一個(gè)更簡(jiǎn)單，選擇熱插拔控制器，還是功率MOSFET？

　　我曾經(jīng)遇到過(guò)節(jié)假日有客人上門(mén)，必須跑到商店，在關(guān)門(mén)前挑選幾件物品的情況。我當(dāng)時(shí)就意識(shí)到“跑”這個(gè)單詞會(huì)有多少種意思呢。我聽(tīng)說(shuō)單單作為動(dòng)詞，他就有645個(gè)意思，并且還在不斷增加!表面上看起來(lái)很簡(jiǎn)單的事情實(shí)際上會(huì)很復(fù)雜。想一想，功率MOSFET只有三個(gè)引腳(柵極、源極、漏極)。長(zhǎng)假過(guò)后，當(dāng)回到辦公室開(kāi)始設(shè)計(jì)全新的電源管理熱插拔應(yīng)用時(shí)，我想到看起來(lái)簡(jiǎn)單的功率MOSFET會(huì)有多么復(fù)雜，還有就是在為熱插拔應(yīng)用和功率轉(zhuǎn)換分別選擇一款MOSFET時(shí)會(huì)有什么不同。　　熱插拔電路使用一個(gè)功率
關(guān)鍵字： MOSFET 熱插拔控制器

德州儀器推出NexFET? N溝道功率MOSFET 可實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低電阻

　　日前，德州儀器 (TI) 推出其N(xiāo)exFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。此外，TI面向低電壓電池供電型應(yīng)用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實(shí)現(xiàn)了比同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設(shè)計(jì)，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.ti.co
關(guān)鍵字：德州儀器 MOSFET CSD16570Q5B

Diodes全新MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提升轉(zhuǎn)換效率

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對(duì)1A額定值的40V緊湊型柵極驅(qū)動(dòng)器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式電源以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封裝) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封裝) 可縮減MOSFET的開(kāi)關(guān)時(shí)間，有助于盡量降低開(kāi)關(guān)損耗、改善功率密度，以及提升整體轉(zhuǎn)換效率。　　新驅(qū)動(dòng)器作為低功率控制IC的高增益緩沖級(jí)，能夠從僅10mA的輸入電流提供500mA的典型驅(qū)動(dòng)電流
關(guān)鍵字： Diodes 驅(qū)動(dòng)器 MOSFET

Exar推出通用PMIC輸入電壓高達(dá)40V,適合任何FPGA，SoC或DSP

　　領(lǐng)先的高性能集成電路和系統(tǒng)解決方案提供商Exar公司，即日宣布發(fā)布一款6V至40V的工作電壓范圍，四路輸出可編程通用PMIC-XR77129。其專(zhuān)利性的控制架構(gòu)，采用17-bit寬PID電壓型輸入前饋方式，非常適合40V輸入電壓范圍。該控制器提供單輸入電壓，四路輸出電壓軌，降壓式控制器內(nèi)部集成MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)和雙LDO輸出該產(chǎn)品還可以通過(guò)I2C總線實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電源狀態(tài)，動(dòng)態(tài)控制輸出電壓參數(shù)。五個(gè)可配置GPIO可以用于狀態(tài)指示和時(shí)序控制，以加速電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。　　XRP77129使用Exar設(shè)計(jì)工具P
關(guān)鍵字： MOSFET SMBus LDO

LED襯底第三代半導(dǎo)體SiC技術(shù)的崛起

　　第一代半導(dǎo)體材料Si點(diǎn)燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國(guó)硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群，促使英特爾等世界半導(dǎo)體巨頭的誕生，95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。　　　　目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉(zhuǎn)換最大耗散是半導(dǎo)體功率器件。曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當(dāng)今社會(huì)發(fā)展對(duì)于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型
關(guān)鍵字： LED SiC MOSFET

封裝寄生電感是否會(huì)影響MOSFET性能？

　　I.引言　　高效率已成為開(kāi)關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)的必需要求。為了達(dá)成這一要求，越來(lái)越多許多功率半導(dǎo)體研究人員開(kāi)發(fā)了快速開(kāi)關(guān)器件，舉例來(lái)說(shuō)，降低器件的寄生電容，并實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，以降低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。這些快速開(kāi)關(guān)器件容易觸發(fā)開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)沖。這對(duì)SMPS設(shè)計(jì)中電路板布局帶來(lái)了困難，并且容易引起了柵極信號(hào)振蕩。為了克服開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)沖，設(shè)計(jì)人員通常采取的做法是借助緩沖電路提高柵極電阻阻值，以減慢器件開(kāi)關(guān)速度，抑制過(guò)沖，但這會(huì)造成相對(duì)較高的開(kāi)關(guān)損耗。對(duì)于采用標(biāo)準(zhǔn)通孔封裝的快速開(kāi)關(guān)器件，總是存在效率與易用性的
關(guān)鍵字：寄生電感 MOSFET