首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁 >> 主題列表 >> mosfet

空間受限型應(yīng)用中的PMBus熱插拔電路介紹

IR推出優(yōu)化版車用功率MOSFET產(chǎn)品

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動(dòng)機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  

詳細(xì)介紹如何運(yùn)用MOSFET實(shí)現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

  • 汽車上許多組建的多元應(yīng)用，從車上的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到啟動(dòng)馬達(dá)，不僅提供了各式各樣的高負(fù)載型、低成本效益的解決方案，也兼具了注重安全性汽車所必須的通訊和診斷能力。因此，設(shè)計(jì)人員為了增加車上電子
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  詳細(xì)介紹  如何運(yùn)用  安全系統(tǒng)    

MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算介紹

  • 我們先來看看MOS關(guān)模型：



    Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
    Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
    耗盡區(qū)電容
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  功耗計(jì)算    

提升電源轉(zhuǎn)換效率的自定時(shí)電壓檢測(cè)同步MOSFET控制方案

  • 標(biāo)簽：電源 諧振轉(zhuǎn)換器 高壓電源 直流電源 MOSFET現(xiàn)代電子設(shè)備功能越來越多，設(shè)備功能的高功耗對(duì)環(huán)境的影響也越來越大。提高電源效率是降低功耗的方法之一。諧振拓?fù)渚哂休^高效率，很多大功率消費(fèi)電子產(chǎn)品和計(jì)算機(jī)
  • 關(guān)鍵字： 同步  MOSFET  控制  方案  檢測(cè)  電壓  電源  轉(zhuǎn)換  效率  定時(shí)  

MOSFET雙峰效應(yīng)的評(píng)估方法簡(jiǎn)介

  • 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個(gè)金氧半(MOS)二機(jī)體和兩個(gè)與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  雙峰效  方法    

功率器件的新時(shí)代汽車電子功率MOSFET技術(shù)

  • 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷囯娮酉到y(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡(jiǎn)單，主要采用TO220 和 TO247
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  功率器件  汽車電子    

瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET

  • 瑞薩電子公司 (TSE: 6723)，高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商，日前宣布推出三款新型超級(jí)結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)三極管(超級(jí)結(jié)MOSFET)，具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  MOSFET  

MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法

  • 我們先來看看MOS關(guān)模型：



    Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
    Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
    耗盡區(qū)電容
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  功耗計(jì)算  方法    

Vishay推出新款8V N溝道TrenchFET 功率

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  SiA436DJ  

高效能低電壓Power MOSFET及其參數(shù)與應(yīng)用

  • 前言近年來，產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、有限的資源及日益嚴(yán)重的地球暖化現(xiàn)象，促使環(huán)保節(jié)能的觀念逐漸受到重視，更造...
  • 關(guān)鍵字： 高效能  Power  MOSFET  

MHP技術(shù)在鋰電池電路保護(hù)中的應(yīng)用

  • 鋰離子電池的先進(jìn)技術(shù)使得高能量的鋰離子電池具備更高的能量密度和更輕的重量，可以取代諸如電動(dòng)工具、電...
  • 關(guān)鍵字： MHP技術(shù)  鋰電池  電路保護(hù)  MOSFET  

理解MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

  • 本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  開關(guān)損耗  主導(dǎo)參數(shù)  

羅姆開發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  MOSFET  DC/DC  
共1258條 52/84 |‹ « 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 » ›|

mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì) mosfet的理解，并與今后在此搜索 mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473