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恩智浦推出首款2mmx2mm超薄封裝MOSFET

  • 恩智浦半導(dǎo)體(納斯達克代碼:NXPI)日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測的優(yōu)勢,與傳統(tǒng)無引腳封裝相比,焊接連接質(zhì)量更好。
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IR推出車用功率MOSFET

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用堅固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列,適合包括無刷直流電機、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類汽車應(yīng)用。
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能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案

  • 工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應(yīng)用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高,從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動電路介紹及分析

  • 開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點,應(yīng)用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動功率低等優(yōu)點已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能
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MOSFET雙芯片功率封裝簡化電源設(shè)計

  • 目前,電源工程師面臨的一個主要難題是,隨著功能的日益增多,商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小,留給電源電路的空間越來越少。解決這個難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進步。通過在更小尺寸的封裝內(nèi)采用
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中國新一代汽車電子的兩大設(shè)計趨勢

  • 如今的汽車市場正受到經(jīng)濟危機的沖擊,與此同時,提高安全性能和綠色環(huán)保這兩大趨勢也驅(qū)動著新一代汽車的發(fā)展,并...
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恩智浦推出新型汽車級TrenchMOS器件

  • 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (納斯達克:NXPI)日前宣布推出全新汽車級功率MOSFET器件系列,該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù),具有極低導(dǎo)通電阻(RDSon)、極高的開關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級MOSFET已取得AEC-Q101認(rèn)證,成功通過了175?C高溫下超過1,600小時的延長壽命測試(性能遠(yuǎn)超Q101標(biāo)準(zhǔn)要求),同時具有極低PPM 水平。
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車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性

  • 工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應(yīng)用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高,從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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典型功率MOSFET驅(qū)動保護電路設(shè)計方案

  • 功率場效應(yīng)晶體管(PowerMOSFET)是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電的單極型電壓控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能好、...
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MOSFET的驅(qū)動保護電路的設(shè)計與應(yīng)用

  • 摘要:率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點而得到廣泛的應(yīng)用;但它承受短時過載的能力較弱,使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護電路的設(shè)計要求;計算了MOSFET驅(qū)動器的功耗及MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配
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精確測量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻

  • 電阻值的測量通常比較簡單。但是,對于非常小阻值的測量,我們必須謹(jǐn)慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀,如電線,Kelvin方法是非常精確的??梢允褂妙愃频姆椒▉頊y量均勻樣本的體電阻率和面電阻率,但是所使
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IR推出緊湊型PowIRaudio模塊

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出PowIRaudio集成式功率模塊系列,適用于高性能家庭影院系統(tǒng)及車用音頻放大器。新器件將脈沖寬度調(diào)制控制器和兩個數(shù)字音頻功率MOSFET集成至單一封裝,提供高效緊湊的解決方案,有助于減少零部件數(shù)量,縮小高達70% 的電路板尺寸,并能簡化D類放大器設(shè)計。
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功率MOSFET的鋰電池保護電路設(shè)計

  • 鉛酸電池具有安全、便宜、易維護的特點,因此目前仍然廣泛的應(yīng)用于電動自行車。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少,隨著世界各國對環(huán)保要求越來越高,鉛酸電池的使用會越來越受到限制。磷酸鐵鋰電池作為一種新型
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飛兆開發(fā)出P溝道PowerTrench WL-CSP MOSFET

  • 便攜設(shè)備的設(shè)計人員面臨著在終端應(yīng)用中節(jié)省空間、提高效率和應(yīng)對散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應(yīng)這一趨勢,飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench?薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
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飛兆推出一款低側(cè)高雙功率芯片非對稱N溝道模塊

  • 隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能,電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高雙功率芯片非對稱N溝道模塊 FDPC8011S,幫助設(shè)計人員應(yīng)對這一系統(tǒng)挑戰(zhàn)。
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