能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)?a class="contentlabel" href="http://butianyuan.cn/news/listbylabel/label/功率">功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高,從而引發(fā)可靠性和其它問題。在極端環(huán)境下(如引擎蓋下面的汽車電子應(yīng)用),溫度的迅速上升會(huì)使MOSFET意外導(dǎo)通,致使閾值電壓接近零伏。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/160420.htm此外,MOSFET還必須能夠承受開關(guān)關(guān)閉瞬間和負(fù)載突降故障所導(dǎo)致的高壓尖脈沖。電氣配線中大量的接頭(位于適當(dāng)位置以方便裝配和維修接線)也大幅增加了與器件的電氣連接中斷的可能性。汽車工業(yè)非常關(guān)注質(zhì)量和可靠性,因此MOSFET必須符合國(guó)際公認(rèn)的AEC Q101標(biāo)準(zhǔn)。
上述每個(gè)方面都非常重要。但還有另外一個(gè)挑戰(zhàn),即提供更高的能量利用效率。在過去的幾年里,以電子方式控制的汽車功能所占比重急劇增長(zhǎng)。因此,車內(nèi)的半導(dǎo)體數(shù)量也不斷增加。某些車輛的IC數(shù)量已超過100個(gè)。MOSFET必須能夠滿足為更多IC提供電力所帶來的日益增長(zhǎng)的能量要求。汽車子系統(tǒng)本身的發(fā)展也需要更多的能源。在輕型車輛中日益普及的電動(dòng)轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和防抱死剎車系統(tǒng)就是兩個(gè)很好的實(shí)例??傊?,所有這些趨勢(shì)都刺激了對(duì)可承載更大電流的IC的強(qiáng)烈需求。
為了滿足對(duì)更大電流的需求,半導(dǎo)體公司必須開發(fā)出能夠使導(dǎo)通電阻(電流流動(dòng)時(shí)的電阻值)下降的功率MOSFET。與常規(guī)的MOSFET相比,采用溝槽(Trench)半導(dǎo)體制造工藝生產(chǎn)的MOSFET有助于將導(dǎo)通電阻值降低20%到40%。
但近幾年,功率MOSFET技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)步已經(jīng)將單位硅片面積的導(dǎo)通電阻降至極低的水平,因此器件制造商現(xiàn)在必須尋找其它途徑來改進(jìn)他們的產(chǎn)品。這在采用高密度溝槽技術(shù)制造具有低漏極到源極電壓的器件時(shí)尤其重要。保護(hù)是IC公司用來向他們的汽車客戶提供性能優(yōu)勢(shì)的策略之一。
更多的MOSFET選擇
時(shí)至今日,挑選MOSFET器件的汽車設(shè)計(jì)人員只有兩種選擇:1. 選擇無保護(hù)策略的“簡(jiǎn)易型”PowerMOS;2. 選擇可在環(huán)境條件超出規(guī)格時(shí)自動(dòng)關(guān)斷的帶完全保護(hù)的器件。
不幸的是,具有附加邏輯電路和保護(hù)電路的完全保護(hù)器件也有弊端,即實(shí)現(xiàn)保護(hù)的成本太高。因此,領(lǐng)先的IC公司已在開發(fā)一種新型器件,以結(jié)合這兩者各自的優(yōu)點(diǎn)。
飛利浦半導(dǎo)體公司的TrenchPLUS系列產(chǎn)品就是一個(gè)很好的實(shí)例。TrenchPLUS將TrenchMOS技術(shù)和附加的功能完整地集成到芯片上。1996年開始采用的TrenchMOS生產(chǎn)工藝把功率MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(on)減小了一半。TrenchMOS與其它功能相結(jié)合的優(yōu)勢(shì)在于可以保護(hù)系統(tǒng)、節(jié)約空間,而且無需昂貴的智能功率器件。
TrenchPLUS技術(shù)
TrenchPLUS器件集成了板上溫度和電流檢測(cè)特性及附加的電阻和二極管(包括ESD保護(hù))。TrenchPLUS解決方案有助于系統(tǒng)工程師創(chuàng)造出可以在工作過程中測(cè)量系統(tǒng)活動(dòng)的設(shè)計(jì),以改善安全性和優(yōu)化性能。
圖1顯示了TrenchPLUS類型器件的典型元件集。
圖1:TrenchPLUS器件可能具有的附加功能
突出顯示的元件組成一個(gè)特性板,可以將其中的功能集成到MOSFET中。這些元件從右上角開始按順時(shí)針方向?yàn)椋簻囟雀袘?yīng)二極管、電流傳感器、鉗位二極管(內(nèi)部二極管,未顯示)和門電阻器。通過加入鉗位二極管和門電阻器眾所周知的保護(hù)特性,可以保護(hù)對(duì)電壓敏感的柵氧化層免受危險(xiǎn)電場(chǎng)的破壞。
為在過高的溫度環(huán)境下保護(hù)器件,飛利浦在芯片表面集成了溫度感應(yīng)二極管。這樣集成的理由是:只有直接測(cè)量結(jié)溫方可確保及時(shí)檢測(cè)到會(huì)導(dǎo)致危險(xiǎn)的高的門電路溫度。為準(zhǔn)確測(cè)量電流,可以將電流傳感器集成到場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)中。這樣,就不再需要低阻抗分流電阻器了。
溫度感應(yīng)
直接測(cè)量芯片溫度的常規(guī)解決方案是增加一個(gè)比較器和若干無源元件。但是,隨著設(shè)計(jì)的日益完善,出現(xiàn)了更好的解決方案。TrenchPLUS使用微控制器取代了比較器和無源元件。
由于準(zhǔn)確度對(duì)MOSFET的溫度測(cè)量至關(guān)重要,所以,我們就從該角度來說明此解決方案。理論上,溫度傳感器的準(zhǔn)確度取決于以下三個(gè)因素:
正向電壓Vf的誤差;
溫度系數(shù)值Sf的誤差;
基準(zhǔn)電壓Vfref的選擇。
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評(píng)論