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“白菜化”的有源相控陣?yán)走_(dá)

  • 就在幾個(gè)月之前，一則消息被各大媒體平臺(tái)報(bào)道：2023年7月3日，為維護(hù)國(guó)家安全和利益，中國(guó)相關(guān)部門(mén)發(fā)布公告，決定自8月1日起，對(duì)鎵和鍺兩種關(guān)鍵金屬實(shí)行出口管制。至此有不少不關(guān)注該領(lǐng)域的讀者突然意識(shí)到，不知道從什么時(shí)候開(kāi)始，我國(guó)的鎵和鍺已經(jīng)悄悄成為了世界最大的出口國(guó)。根據(jù)一份中國(guó)地質(zhì)科學(xué)院礦產(chǎn)資源研究所2020年的一份報(bào)告顯示，目前鎵的世界總儲(chǔ)量約 23 萬(wàn)噸，中國(guó)的鎵金屬儲(chǔ)量居世界第一，約占世界總儲(chǔ)量的 80%-85%，而我國(guó)的鎵產(chǎn)量則是壓倒性的占到了全球產(chǎn)量的90%到95%。而作為鎵的化合物，砷化鎵、氮
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瑞薩電子3.39億美元收購(gòu)Transphorm

  • 1月12日消息，日前，半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm達(dá)成最終協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)Transphorm，較Transphorm 在1月10日的收盤(pán)價(jià)溢價(jià)約35%，總估值約為3.39億美元。此次收購(gòu)將為瑞薩提供GaN的內(nèi)部技術(shù)，從而擴(kuò)展其在電動(dòng)汽車(chē)、計(jì)算（數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施）、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長(zhǎng)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)范圍。據(jù)悉，瑞薩將采用Transphorm的汽車(chē)級(jí)GaN技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)新的增強(qiáng)型
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垂直GaN JFET的動(dòng)態(tài)性能

  • 美國(guó)弗吉尼亞理工學(xué)院、州立大學(xué)和NexGen電力系統(tǒng)公司首次對(duì)垂直氮化鎵（GaN）功率晶體管的動(dòng)態(tài)電阻（?RON）和閾值電壓（VTH）穩(wěn)定性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)表征。研究人員研究了額定電壓高達(dá)1200V（1.2kV）的NexGen結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）器件。動(dòng)態(tài)?RON描述了開(kāi)關(guān)晶體管的電阻相對(duì)于穩(wěn)定直流狀態(tài)下的電阻的增加。該團(tuán)隊(duì)評(píng)論道：“這個(gè)問(wèn)題可能會(huì)導(dǎo)致器件的導(dǎo)通損耗增加，并縮短器件在應(yīng)用中的壽命。”研究人員將NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ級(jí)GaN JFET（
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電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)催生碳化硅新前景

  • 第三代半導(dǎo)體材料是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率以及電子飽和速率，并且在抗輻射能力方面也具有優(yōu)勢(shì)。這些特性使得第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件適用于高電壓、高頻率場(chǎng)景，并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運(yùn)行能力。因此，第三代半導(dǎo)體材料在5G基站、新能源車(chē)、光伏、風(fēng)電、高鐵等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。其中，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，在汽車(chē)電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司將在CES 2024展示基于氮化鎵技術(shù)的消費(fèi)電子應(yīng)用場(chǎng)景

  • PC公司的氮化鎵專家將在國(guó)際消費(fèi)電子展(CES)上分享氮化鎵技術(shù)如何增強(qiáng)消費(fèi)電子產(chǎn)品的功能和性能?增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)將在CES 2024展會(huì)展示其卓越的氮化鎵技術(shù)如何為消費(fèi)電子產(chǎn)品在功能和性能方面做出貢獻(xiàn) ，包括實(shí)現(xiàn)更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會(huì)期間，EPC的技術(shù)專家將于1月9日至12日在套房與客戶會(huì)面、進(jìn)行技術(shù)交流、討論氮化鎵技術(shù)及其應(yīng)用場(chǎng)景的最新發(fā)展。氮化鎵技術(shù)正在改變大批量消費(fèi)應(yīng)用的關(guān)鍵領(lǐng)域包括：推動(dòng)人工智能
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意法半導(dǎo)體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價(jià)值

  • 意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計(jì)目標(biāo)。意法半導(dǎo)體的MasterGaN產(chǎn)品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器、系統(tǒng)保護(hù)功能，以及在啟動(dòng)時(shí)為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設(shè)計(jì)者處理GaN晶體管柵極驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)難題。這兩款產(chǎn)品采用緊湊的電源封裝，提高了可靠性，減少了物料成本，簡(jiǎn)化了電路布局。這兩款新器件內(nèi)置兩個(gè)連接成半橋的Ga
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中國(guó)科學(xué)院在氮化鎵 GaN 器件可靠性及熱管理研究方面取得重要進(jìn)展

  • IT之家 12 月 11 日消息，據(jù)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所消息，近日，微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團(tuán)隊(duì)在氮化鎵電子器件可靠性及熱管理方面取得突破，六項(xiàng)研究成果入選第 14 屆氮化物半導(dǎo)體國(guó)際會(huì)議 ICNS-14（The 14th International Conference on Nitride Semiconductors）。氮化物半導(dǎo)體材料在光電子、能源、通信等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。隨著下游新應(yīng)用的快速發(fā)展以及襯底制備技術(shù)的不斷突破，氮化物半導(dǎo)體功率器件實(shí)現(xiàn)了成本和效率的大幅改善，
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德州儀器發(fā)布低功耗氮化鎵系列新品,可將交流/直流電源適配器體積縮小一半

  • ●? ?助力工程師開(kāi)發(fā)系統(tǒng)尺寸減半且效率超過(guò) 95% 的交流/直流解決方案，從而簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì)●? ?全新氮化鎵器件可兼容交流/直流電源轉(zhuǎn)換中常見(jiàn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)德州儀器 (TI)近日發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統(tǒng)效率，同時(shí)縮小交流/直流消費(fèi)類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺寸。德州儀器的 GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 全系列產(chǎn)品均集成了柵極驅(qū)動(dòng)器，能解決常見(jiàn)的散熱設(shè)計(jì)問(wèn)題，既能讓適配器保持涼爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。德州儀
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Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件,助力計(jì)算、人工智能、能源和汽車(chē)電源系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)卓越的熱性能和電氣性能

  • 新推出器件是業(yè)界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管,擴(kuò)展Transphorm多樣化的產(chǎn)品封裝組合
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實(shí)現(xiàn)電源芯片國(guó)產(chǎn)化替代，鈺泰半導(dǎo)體ACDC獲聯(lián)想、意象快充采用

  • 多年前，僅僅65W左右的筆記充電器如同磚頭一般大小，外出攜帶十分不便，但隨著隨著氮化鎵器件的全面使用，充電器的功率密度已經(jīng)翻了一倍有余，同樣65W的充電器只有之前的一半大小，很輕松就可以放入包內(nèi)攜帶。但隨著充電器集成度越來(lái)越高，對(duì)ACDC芯片的要求也愈加苛刻。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求，鈺泰半導(dǎo)體潛心研發(fā)，相繼推出ETA8003、ETA8047、ETA8056、ETA80033多款A(yù)CDC芯片。鈺泰半導(dǎo)體ACDC芯片鈺泰半導(dǎo)體ETA8003、ETA8047、ETA8056、ETA80033多款A(yù)CDC芯片部分規(guī)格如圖
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Omdia：人工智能將在電動(dòng)汽車(chē)革命中超越下一代半導(dǎo)體

  • 倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預(yù)測(cè)電動(dòng)汽車(chē) (EV) 革命將引發(fā)新型半導(dǎo)體激增，電力半導(dǎo)體行業(yè)的幾十年舊規(guī)范正面臨挑戰(zhàn)。人工智能熱潮是否會(huì)產(chǎn)生類似的影響？功率分立器件、模塊和IC預(yù)測(cè)Omdia半導(dǎo)體元件高級(jí)分析師卡勒姆·米德?tīng)栴D表示：“長(zhǎng)期以來(lái)依賴硅技術(shù)的行業(yè)正受到新材料制造的設(shè)備的挑戰(zhàn)和推動(dòng)。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開(kāi)發(fā)始于上個(gè)世紀(jì)，但它們的技術(shù)成熟度與可持續(xù)發(fā)展運(yùn)動(dòng)相匹配，新材料制造的設(shè)備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升?！?018 年，特斯拉首次
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氮化鎵取代碳化硅，從PI開(kāi)始？

  • 在功率器件選擇過(guò)程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來(lái)越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細(xì)解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)劣，以及PI對(duì)于三種產(chǎn)品未來(lái)的判斷，同時(shí)還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)。在功率器件選擇過(guò)程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來(lái)越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
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Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應(yīng)用的最佳器件

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統(tǒng)的未來(lái)、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經(jīng)驗(yàn)證的高壓動(dòng)態(tài)(開(kāi)關(guān))導(dǎo)通電阻可
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Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN?開(kāi)關(guān)技術(shù)。InnoSwitch?3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線反激式開(kāi)關(guān)IC產(chǎn)品系列的最新成員。它具有同步整流和FluxLink?安全隔離反饋功能，并且提供豐富的開(kāi)關(guān)選項(xiàng)，包括725V硅開(kāi)關(guān)、1700V碳化硅開(kāi)關(guān)以及其它衍生出
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巧用這三個(gè)GaN 器件 輕松搞定緊湊型電源設(shè)計(jì)

  • 緊湊型 100 瓦電源的應(yīng)用范圍不斷增加，從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器，到 LED 照明、白色家電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能儀表和工業(yè)系統(tǒng)等。對(duì)于這些離線反激式電源的設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō)，面臨的挑戰(zhàn)是如何確保穩(wěn)健性和可靠性，同時(shí)繼續(xù)降低成本，提高效率，縮小外形尺寸以提高功率密度。為了解決其中的許多問(wèn)題，設(shè)計(jì)者可以用基于寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的器件 (GaN) 來(lái)取代硅 (Si) 功率開(kāi)關(guān)。這樣做直接轉(zhuǎn)化為提高電源效率和減少對(duì)散熱器的需求，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。然
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?氮化鎵介紹

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