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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 　意法半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體NanoEdge AI Studio更新，支持智能傳感器上的設(shè)備端學(xué)習(xí)和診斷

  • 意法半導(dǎo)體擴(kuò)大 NanoEdge AI Studio機(jī)器學(xué)習(xí)設(shè)計軟件的支持設(shè)備范圍，新增包含意法半導(dǎo)體嵌入式智能傳感器處理單元 (ISPU) 的智能傳感器。新版擴(kuò)展了這一獨(dú)步市場的機(jī)器學(xué)習(xí)工具的功能性，讓AI人工智能模型能夠直接在設(shè)備上學(xué)習(xí)，在智能傳感器上發(fā)現(xiàn)異常事件。現(xiàn)在，設(shè)計人員可以用NanoEdge AI Studio把推理任務(wù)分配給系統(tǒng)微控制器(MCU)和內(nèi)置ISPU的傳感器等多個設(shè)備，從而顯著降低應(yīng)用功耗。在執(zhí)行事件檢測任務(wù)時，內(nèi)置ISPU 的常開傳感器的功耗非常低，僅在傳感器檢測到異常時才會喚
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意法半導(dǎo)體靈活高壓運(yùn)放瞄準(zhǔn)汽車和工業(yè)環(huán)境應(yīng)用

  • 意法半導(dǎo)體 TSB622通用低功耗雙算放大器(運(yùn)放)增強(qiáng)在工業(yè)和汽車應(yīng)用中的魯棒性和靈活性。 TSB622的單位增益穩(wěn)定，工作溫度范圍擴(kuò)至 -40°C 至 125°C，取得了車規(guī)級認(rèn)證，支持2.7V 至 36V 的寬電源電壓，設(shè)計人員可以用同一器件設(shè)計有不同電壓域的多種應(yīng)用，軌到軌輸出最大限度地提高動態(tài)范圍，同時1mV 的輸入失調(diào)電壓確保低功耗運(yùn)放同樣具有很高的精度。 增益帶寬積 (GBW)為1.7MHz ，每通道最大工作電流為375μA (在 36V 電源下)，TSB622 取得了高
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意法半導(dǎo)體非易失性存儲器取得突破，率先在業(yè)界推出串行頁EEPROM

  • 依托在串行EEPROM技術(shù)領(lǐng)域的積累和沉淀，意法半導(dǎo)體率先業(yè)界推出了串行頁EEPROM （Serial Page EEPROM）。這款全新類別的EEPROM 是一種SPI串行接口的高容量頁可擦除存儲器，擦寫靈活性、讀寫性能和超低功耗獨(dú)步業(yè)界，前所未有。意法半導(dǎo)體新的串行頁EEPROM產(chǎn)品家族前期先推出32Mbit 的M95P32，稍后在適當(dāng)?shù)臅r候增加16Mbit 和 8Mbit 產(chǎn)品。這個創(chuàng)新架構(gòu)讓設(shè)計人員能夠在同一存儲器上管理固件和靈活存儲數(shù)據(jù)，這種組合在以前是沒有的。更高的存儲器集成度可以減少終端產(chǎn)品
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意法半導(dǎo)體5G M2M 嵌入式SIM卡芯片通過最新GSMA eSA(安全保障)認(rèn)證

  • 意法半導(dǎo)體宣布推出ST4SIM-201機(jī)器間通信(M2M)嵌入式 SIM (eSIM)芯片，新產(chǎn)品符合最新的5G 網(wǎng)絡(luò)接入和M2M 安全規(guī)范，以及靈活的遠(yuǎn)程激活管理標(biāo)準(zhǔn)。ST4SIM-201 符合 ETSI/3GPP標(biāo)準(zhǔn)16 版，可以連接到 5G 獨(dú)立組網(wǎng)(SA)，還可以連接到 3G 和 4G 網(wǎng)絡(luò)，以及低功耗廣域 (LPWA)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)，例如，機(jī)器長期演進(jìn) (LTE-M)網(wǎng)絡(luò)和窄帶物聯(lián)網(wǎng) (NB-IoT)。 ST4SIM-201通過了最新的 GSMA eUICC M2M 規(guī)范 SGP.02 4.
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意法半導(dǎo)體第二代多區(qū)飛行時間傳感器性能升級

  • 服務(wù)橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出最新的FlightSense飛行時間（ToF）測距傳感器，適用于智能型手機(jī)鏡頭管理和擴(kuò)增實(shí)境和虛擬現(xiàn)實(shí)裝置。透過大幅提升關(guān)鍵組件的性能，意法半導(dǎo)體最新ToF模塊的測距性能相較上一代產(chǎn)品提升一倍，室內(nèi)全區(qū)模式測距長達(dá)4公尺，在相同條件下，功耗比上一代產(chǎn)品降低了一半。意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁暨模擬、MEMS和傳感器事業(yè)群之影像子事業(yè)部總經(jīng)理Eric Aussedat表示，ST的ToF技術(shù)在商用領(lǐng)域獲得了傲人的
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意法半導(dǎo)體新慣性傳感器模塊可實(shí)現(xiàn)在傳感器內(nèi)訓(xùn)練AI

  • 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出了內(nèi)置智能傳感器處理單元 (ISPU) 的新慣性傳感器，推動onlife （一直在線）生活時代的到來，人們與經(jīng)過訓(xùn)練的智能設(shè)備互動，智能技術(shù)從網(wǎng)絡(luò)邊緣移向深度邊緣設(shè)備。 ISM330ISN常開 (always-on) 6 軸慣性測量單元 (IMU)傳感器內(nèi)部嵌入智能技術(shù)，就尺寸和功耗而言，其測量性能和精準(zhǔn)度堪稱業(yè)界一流。意法半導(dǎo)
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意法半導(dǎo)體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管，具備更好的節(jié)能降噪特性

  • 意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制和配電電路的能耗和噪聲。新型 40V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充溝槽技術(shù)實(shí)現(xiàn)卓越的品質(zhì)因數(shù)。在柵源電壓 (VGS)為 10V 時，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大導(dǎo)通電阻 (Rds(on))分別為 0.8毫歐和和0.75毫歐。新MOSFET的裸片單位
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意法半導(dǎo)體推出即用型安全汽車進(jìn)入車載系統(tǒng)芯片解決方案，符合車聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟數(shù)字車鑰匙標(biāo)準(zhǔn)3.0版

  •  v  整合基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的 ST33K-A安全芯片的安全單元和Java? Card 平臺，以及 G+D Digital Key? 小程序，為開發(fā)安全汽車進(jìn)入系統(tǒng)提供系統(tǒng)芯片解決方案v  提高用車便利性和安全性，符合車聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟 (CCC)最新的數(shù)字車鑰匙標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出一個能夠加快數(shù)字車鑰匙開發(fā)的新平臺。有了數(shù)字鑰匙，消費(fèi)者可以通過移動設(shè)備，無需鑰匙也能進(jìn)入汽車。除了加強(qiáng)安全性
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兩款全新的eDesign Suite NFC/RFID計算器為開發(fā)標(biāo)簽和讀取器賦能

  • 意法半導(dǎo)體在 eDesign Suite軟件套件中發(fā)布了兩款新的 NFC/RFID 計算器。eDesignSuite 是一整套易于使用的設(shè)計輔助實(shí)用程序，可幫助您使用各種 ST 產(chǎn)品簡化系統(tǒng)開發(fā)流程。UHF Link Budget鏈路預(yù)算工具可幫助設(shè)計人員確定RFID 讀取器的通信距離。NFC Tuning Circuit 調(diào)諧電路讓工程師能夠優(yōu)化基于ST25R3911B 或 ST253916的NFC 讀取器設(shè)計。這個兩個工具可以提高非接觸式應(yīng)用開發(fā)優(yōu)化工作的可及性，讓企業(yè)、學(xué)生和愛好者都能參與
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ST最新NFC讀取器加速支付與消費(fèi)性應(yīng)用設(shè)計

  • 服務(wù)橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）新推出之ST25R3916B-AQWT和ST25R3917B-AQWT NFC Forum讀寫器芯片輸出功率大、效能高，且價格具有競爭力，并支持NFC啟動器、目標(biāo)設(shè)備、讀寫器和卡模擬四種模式，應(yīng)用包括零接觸支付、裝置配對、無線充電、品牌保護(hù)以及其他工業(yè)和消費(fèi)性應(yīng)用。新裝置導(dǎo)引彈性更高的主動波形整形（Active Wave Shaping，AWS）改良技術(shù)，可以簡化射頻輸出調(diào)整過程，便于優(yōu)化過沖和下沖問題。
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意法半導(dǎo)體和Sensory 開展合作，通過STM32Cube 軟件生態(tài)系統(tǒng)賦能大眾市場嵌入式聲控技術(shù)應(yīng)用

  • 務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)，與世界排名前列的嵌入式語音識別技術(shù)供應(yīng)商、意法半導(dǎo)體授權(quán)合作伙伴 Sensory Inc公司宣布了一項合作協(xié)議，賦能STM32 微控制器 (MCU)用戶社區(qū)為各種智能嵌入式產(chǎn)品開發(fā)直觀的語音識別用戶界面及產(chǎn)品原型。該合作項目整合了意法半導(dǎo)體STM32軟硬件和Sensory的語音控制技術(shù)。其中新的VoiceHub 在線門戶支持使用自定義喚醒詞、語音控制命令集和大型自然語言語法
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意法半導(dǎo)體推出二代多區(qū)直接ToF傳感器

  • ·       VL53L8 直接飛行時間 (dToF) 傳感器非常適用于智能手機(jī)以及智能揚(yáng)聲器、人機(jī)界面、消費(fèi)類激光雷達(dá)和 AR/VR/MR·       傳感器集成新的革命性超表面透鏡 (metasurface lens) 技術(shù)和性能更強(qiáng)、能效更高的激光源和片上處理改進(jìn)技術(shù) 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(簡稱ST)推出了新一代FlightSense?飛行時
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Metalenz和意法半導(dǎo)體首創(chuàng)光學(xué)超表面技術(shù)metasurface，瞄準(zhǔn)消費(fèi)電子設(shè)備

  • 率先實(shí)現(xiàn)元鏡（meta-optics）商用的公司Metalenz與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體( (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)宣布，2021 年 6 月披露的雙方將合作開發(fā)的元鏡現(xiàn)已上市。作為該備受矚目的技術(shù)首秀，意法半導(dǎo)體剛剛發(fā)布的 VL53L8 直接飛行時間 (dToF) 傳感器已搭載這一突破技術(shù)隆重登場。Metalenz的元鏡技術(shù)是哈佛大學(xué)的科研成果，可以替代現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)復(fù)雜的多鏡片鏡頭。在嵌入一顆元鏡后，3D 傳感器模塊大
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意法半導(dǎo)體新NFC讀取器加快支付和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計

  • 意法半導(dǎo)體的 ST25R3916B-AQWT 和ST25R3917B-AQWT NFC Forum讀取器芯片輸出功率大，能效高，價格具有競爭力，支持 NFC 發(fā)起設(shè)備、目標(biāo)設(shè)備、讀取和卡模擬四種模式，目標(biāo)應(yīng)用包括非接支付、設(shè)備配對、無線充電、品牌保護(hù)以及其他工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用。新器件引入了靈活性更高的主動波形整形 (AWS)改進(jìn)技術(shù)，可以簡化射頻輸出調(diào)整過程，方便優(yōu)化過沖和下沖問題。射頻調(diào)整操作非常容易，先在支持的圖形界面軟件上修改寄存器設(shè)置，然后再用示波器進(jìn)行快速驗證。這項技術(shù)簡化了EMVCo 3.1a和
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意法半導(dǎo)體推出首款集成在一個封裝中的硅基驅(qū)動器和GaN晶體管

  • 　　瑞士意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出了MasterGaN，是第一個嵌入硅基半橋驅(qū)動芯片以及一對氮化鎵（GaN）晶體管的平臺。這個集成化的解決方案將加速下一代緊湊高效的充電器和電源適配器的開發(fā)，并用于高功率電子和工業(yè)應(yīng)用?！　∫夥ò雽?dǎo)體（ST）表示，其MasterGaN方法可縮短了產(chǎn)品上市時間，并確保了預(yù)期的性能，同時使封裝變得更小、更簡單、電路組件更少、系統(tǒng)可靠性更高。據(jù)估計，借助GaN技術(shù)和ST的集成產(chǎn)品，充電器和適配器將比普通硅基解決方案的尺寸縮小80％，將重量減少70％?！?/li>
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　意法半導(dǎo)體介紹

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