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　意法半導體 文章 進入　意法半導體技術社區(qū)

巨頭搶灘第三代半導體

  • 長期以來，英飛凌、意法半導體等功率半導體Top級廠商更多的產品是硅基器件，如硅基IGBT、硅基MOSFET等，隨著5G、新能源汽車等一系列技術迭代和市場需求推動之下，第三代半導體憑借各自高頻、高壓等優(yōu)...延續(xù)了一年的第三代半導體發(fā)展熱潮并未止息，多家功率半導體國際巨頭競相在公布2022年財報前后宣布了新建工廠計劃。如Infineon（英飛凌）、STMicroelectronics（意法半導體）都表示將在全球不同國家建設碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相關工廠。雖然在目前階段來看，碳化硅的應用和技術發(fā)展
  • 關鍵字： 意法半導體  硅基IGBT  硅基MOSFET  

意法半導體連手MACOM 攻射頻硅基氮化鎵有成

  • 意法半導體（STMicroelectronics）和電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導體解決方案供貨商MACOM技術解決方案控股有限公司（那斯達克股票代碼：MTSI」）宣布，已成功制造出射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片。有鑒于此佳績，意法半導體與MACOM將繼續(xù)合作，并加強雙方的合作關系。射頻硅基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發(fā)展?jié)摿ΑＴ缙谑来纳漕l功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally-Diffused Metal
  • 關鍵字： 意法半導體  MACOM  射頻  硅基氮化鎵  

意法半導體與MACOM成功生產射頻硅基氮化鎵原型

  •  5月13日，意法半導體和MACOM宣布宣布成功生產射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si為5G和6G基礎設施提供了巨大潛力。長期存在的射頻功率技術橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)主導了早期射頻功率放大器(PA)。對于這些射頻功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射頻特性和顯著更高的輸出功率。此外，它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率應用對SiC晶圓的競爭以及其非主流半導體加工，RF GaN-on-SiC可能會更昂貴。目前，意法半導體和
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意法半導體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉換技術1

  • 合作研制先進的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構,并將其量產利用IRT納電子技術研究所的研究結果，工藝技術將會從Leti的200mm研發(fā)線轉到意法半導體的200mm晶圓試產線，2020年前投入運營中國 / 24 Sep 2018橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關器件制造技術。該硅基氮化鎵功率技術將讓意法半導體能
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意法半導體為什么看好硅基氮化鎵技術?

  • 日前，意法半導體和CEATech旗下之研究所Leti宣布合作研發(fā)硅基氮化鎵(GaN)功率切換元件制造技術。該硅基氮化鎵功率技術將讓意法半導體滿足高效能、高功率的應用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和伺服器?！　”竞献饔媱澲攸c是在200mm晶圓上開發(fā)和驗證制造先進硅基氮化鎵架構的功率二極體和電晶體。研究公司HIS預測，該市場將在2024年前將保持超過20%的年復合成長率。意法半導體和Leti利用IRT奈米電子研究所的框架計劃，在Leti的200mm研發(fā)線上開發(fā)制程技術，預計在2019年完成可供
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意法半導體和MACOM成功開發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片，取得技術與性能階段突破

  • 產品達到成本和性能雙重目標，現(xiàn)進入認證測試階段實現(xiàn)彈性量產和供貨取得巨大進展服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導體解決方案供應商MACOM技術解決方案控股有限公司(納斯達克股票代碼:MTSI，以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導體和MACOM將繼續(xù)攜手，深化合作。射頻硅基氮化鎵可為5G和
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意法半導體與賽米控合作,在下一代電動汽車驅動系統(tǒng)中集成碳化硅功率技術

  • 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日宣布，為世界排名前列的電源模塊系統(tǒng)廠商賽米控（Semikron）的eMPack?電動汽車電源模塊提供碳化硅(SiC)技術。該供貨協(xié)議是兩家公司為期四年的技術合作開發(fā)成果。采用意法半導體先進的 SiC 功率半導體，雙方致力于在更緊湊的系統(tǒng)中實現(xiàn)卓越的能效，并在性能方面達到行業(yè)標桿。SiC 正迅速成為汽車行業(yè)首選的電動汽車牽引驅動的電源技術，有助于提高行駛里程和可靠性。賽米控最近宣布已獲得一筆價值 1
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耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET

  • 在線性模式供電的電子系統(tǒng)中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統(tǒng)總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢所在。?在線性模式工作時，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。?意法半導體 (ST) 推出了一款采用先進的 STPOWER STripFET F7制造技術和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
  • 關鍵字： 意法半導體  功率  MOSFET  耐用性  

意法半導體和亞馬遜云科技合作開發(fā)安全的物聯(lián)網AWS云連接方案

  • 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)?與ST授權合作伙伴亞馬遜云科技(Amazon Web Services，簡稱AWS)?合作開發(fā)出一款獲得AWS FreeRTOS?認證的基于?TF-M?的物聯(lián)網設備上云參考設計，讓物聯(lián)網設備輕松、安全地連接到?AWS?云端。AWS?物聯(lián)網設備總經理?Dave Kranzler表示：“
  • 關鍵字： 云  意法半導體  亞馬遜  物聯(lián)網  AWS  云連接方案  

意法半導體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效

  • 意法半導體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數(shù)據(jù)中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統(tǒng)尺寸。兩款產品的最大導通電阻(RDS(on)max)都處于同類領先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43
  • 關鍵字： 意法半導體  MDmesh  MOSFET  

意法半導體單片數(shù)字電源控制器簡化LED照明應用設計,提高設計靈活性

  • 意法半導體的STNRG012是一款高集成度且節(jié)省空間的數(shù)字電源控制器，具有先進的失真抑制功能，是開發(fā)LED 照明應用的理想解決方案。該器件集成一個多模功率因數(shù)校正(PFC)控制器、諧振半橋控制器、800V啟動電路，以及管理這三個模塊的數(shù)字引擎。PFC 控制器可以在過渡模式、非連續(xù)電流模式(DCM) 和谷底跳躍之間動態(tài)切換，以實現(xiàn)最佳能效。半橋控制器執(zhí)行意法半導體的時移控制 (TSC)專利技術，以實現(xiàn)精確的軟開關操作。STNRG012的最高輸入電壓為305VAC，還支持直流工作電源，目標應用是最高300W的
  • 關鍵字： 意法半導體  數(shù)字電源控制器  LED  照明應用設計  

意法半導體推出新全局快門圖像傳感器，讓駕駛員監(jiān)控安全系統(tǒng)經濟又可靠

  • 2022年5月16日，中國 – 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 發(fā)布了新一代駕駛員監(jiān)控系統(tǒng)(DMS)全局快門圖像傳感器，助力車企提高汽車安全性。
  • 關鍵字： 意法半導體  ST  VB56G4A  全局快門  

意法半導體推全套型STGesture手勢識別技術

  • 服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST），推出能在設計簡單、注重成本的消費性與工業(yè)應用中，加入非接觸式手勢控制的解決方案。該解決方案包括意法半導體的VL53L5CX FlightSense飛行時間（Time-of-Flight，ToF）多區(qū)測距傳感器和免費的工程開發(fā)用軟件。采用ToF傳感器的姿態(tài)識別是一項突破性的人機互動技術，讓使用者能夠與各種設備進行復雜的互動。手勢控制人機互動最初是高階汽車的一項功能配置，現(xiàn)在則可以改善并加強多種設備的人機互
  • 關鍵字： 意法半導體  STGesture  手勢識別技術  ToF  

意法半導體推出新全局快門圖像傳感器,讓駕駛員監(jiān)控安全系統(tǒng)經濟又可靠

  • 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日發(fā)布了新一代駕駛員監(jiān)控系統(tǒng)(DMS)全局快門圖像傳感器，助力車企提高汽車安全性。駕駛員監(jiān)控系統(tǒng)DMS持續(xù)監(jiān)測駕駛員的頭部運動，識別困倦和分心跡象，使汽車系統(tǒng)能夠生成警告提示，保護乘員的安全。據(jù)交通管理局估計，大約?95%?的道路交通事故是人為錯誤造成的，其中許多可以使用DMS?等系統(tǒng)避免。2020?年歐洲交通事故死亡人數(shù)接近19,000?人，最近頒
  • 關鍵字： 意法半導體  全局快門  圖像傳感器  駕駛員監(jiān)控  

意法半導體首款氮化鎵功率轉換器瞄準下一代50W高能效電源設計

  • VIPERGAN50是意法半導體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓（9 V至23 V）下提供高達50?W功率的產品。這也是ST首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件，VIPERGAN50在自適應間歇工作模式(burstmode) 開啟的情況下，待機功耗低于30 mW。此外，該器件的保護功能可提高穩(wěn)健性并有助于減少所用的物料。QFN5x6 mm封裝也使其成為業(yè)內同等功率輸出中封裝最小的器件之一。VIPERGAN50已批量供貨，配有USB-PD供電端口的開
  • 關鍵字： 意法半導體  氮化鎵  功率轉換器  氮化鎵  電源  
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