共源共柵 文章 進入共源共柵技術(shù)社區(qū)
東芝級聯(lián)共源共柵技術(shù)解決 GaN 應用的痛點
- 和傳統(tǒng)的硅功率半導體相比,GaN(氮化鎵)和 SiC(碳化硅)有著更高的電壓能力、更快的開關(guān)速度、更高的工作溫度、更低導通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來新興的半導體材料。但他們也存在著各自不同的特性,簡單來說,GaN 的開關(guān)速度比 SiC 快,SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數(shù)極小,開關(guān)速度極高,比較適合高頻應用,例如:電動汽車的 DC-DC(直流 - 直流)轉(zhuǎn)換電路、OBC(車載充電)、低功率開關(guān)電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大
- 關(guān)鍵字: 202207 東芝 共源共柵 GaN
一款高性能共源共柵運算放大器設(shè)計
- 摘要:基于CSMC0.5mu;m標準CMOS工藝,采用復用型折疊式共源共柵結(jié)構(gòu),設(shè)計一種折疊式共源共柵運算放大器。該電路在5V電源電壓下驅(qū)動5pF負載電容,采用Cadence公司的模擬仿真工具Spectre對電路進行仿真。結(jié)果表明,
- 關(guān)鍵字: 性能 共源共柵 放大器設(shè)計 運算
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共源共柵介紹
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