半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

中國(guó)半導(dǎo)體公司破產(chǎn) — 最近有23家公司撤回IPO申請(qǐng)

據(jù)《中時(shí)電子報(bào)》報(bào)道，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)面臨著未完成項(xiàng)目再次增加的情況，因?yàn)橐恍┹^小的公司紛紛破產(chǎn)。近期的破產(chǎn)案例，如上海無聲半導(dǎo)體，引發(fā)了對(duì)廣泛關(guān)閉的擔(dān)憂。此外，自去年以來，已有23家半導(dǎo)體公司撤回了IPO申請(qǐng)，這反映了投資者日益增長(zhǎng)的謹(jǐn)慎態(tài)度。未完成的半導(dǎo)體項(xiàng)目的趨勢(shì)最初始于2020年，在2021年至2022年間，超過一萬家與芯片相關(guān)的中國(guó)公司不得不關(guān)閉。2023年有創(chuàng)紀(jì)錄的10,900家半導(dǎo)體相關(guān)公司注銷，這比2022年關(guān)閉的5,746家公司大幅增加。例如，上海無聲半導(dǎo)體是一家成立于2021年的公司，主
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美國(guó)和韓國(guó)《芯片法案》正在推動(dòng)投資，但代價(jià)高昂

2021年上任后不久，美國(guó)總統(tǒng)約瑟夫·R·拜登（Joseph R. Biden, Jr.）支持使用聯(lián)邦政府資源來增強(qiáng)美國(guó)生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體的能力，以應(yīng)對(duì)全球競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，特別是中國(guó)。由此產(chǎn)生的《2022年創(chuàng)建有益于生產(chǎn)半導(dǎo)體的激勵(lì)與科學(xué)法案》（CHIPS和Science Act）是當(dāng)今世界上最雄心勃勃的產(chǎn)業(yè)政策之一，預(yù)計(jì)2022-2031年將提供793億美元的補(bǔ)貼、貸款、稅收抵免和研發(fā)支持。事實(shí)上，《芯片法案》在吸引美國(guó)投資方面比預(yù)期更成功，吸引了原本可能會(huì)被其他國(guó)家誘惑的尖端芯片制造商。韓國(guó)企業(yè)是《芯片法案》資
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半導(dǎo)體過熱問題會(huì)通過量子波解決嗎？

摘要研究人員開發(fā)了一項(xiàng)技術(shù)，解決了下一代半導(dǎo)體技術(shù)、自旋電子學(xué)和軌道電子學(xué)的缺點(diǎn)。韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）物理系教授金世權(quán)和浦項(xiàng)科技大學(xué)（POSTECH）物理系教授李賢宇領(lǐng)導(dǎo)的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)，成功觀察到了可以在不產(chǎn)生電子熱的情況下傳輸信息的“磁振子”新運(yùn)動(dòng)。這一突破于6月17日公布。研究背景傳統(tǒng)的信息處理技術(shù)由于使用電子，在通過導(dǎo)體時(shí)因電阻產(chǎn)生熱量而損失大量能量。自旋電子學(xué)利用電子的電荷和磁自旋，而軌道電子學(xué)則利用電子軌道的位置，但兩者都面臨過熱問題。最近，人們希望通過使用稱為“磁振子”的量子波來解決這
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臺(tái)灣的阿喀琉斯之踵——能源

隨著俄羅斯繼續(xù)針對(duì)烏克蘭的能源基礎(chǔ)設(shè)施進(jìn)行攻擊，歐洲尋求與俄羅斯石油脫鉤，世界各地的政府也正重新關(guān)注能源安全，視其為國(guó)家安全的重要組成部分。臺(tái)灣便是其中一個(gè)能源狀況極其嚴(yán)峻且受到巨大外部威脅的國(guó)家。該島對(duì)外國(guó)能源進(jìn)口的依賴是對(duì)其國(guó)家安全的巨大威脅，需要立即解決。形勢(shì)十分嚴(yán)峻。臺(tái)灣97.7%的能源供應(yīng)依賴進(jìn)口化石燃料，使其高度容易受到全球供應(yīng)鏈中斷及中東沖突或中國(guó)陰謀等事件的影響。隨著北京對(duì)臺(tái)灣獨(dú)立舉措的可能性增加，臺(tái)灣的能源不安全性變得顯而易見。在封鎖、圍困或直接入侵的情況下，中國(guó)將迅速控制臺(tái)灣的能源供應(yīng)
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純化合物半導(dǎo)體代工廠推出全新RF GaN技術(shù)

6月14日，純化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴(kuò)大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測(cè)試版NP12-0B平臺(tái)。目前，NP12-0B鑒定測(cè)試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預(yù)計(jì)將于2024年8月完成，并計(jì)劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據(jù)穩(wěn)懋半導(dǎo)體介紹，該平臺(tái)的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結(jié)合了多項(xiàng)改進(jìn)，以增強(qiáng)直流和射頻的耐用性，并增加芯片級(jí)防潮性。NP12-0
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ASML今年將向臺(tái)積電交付最新款光刻機(jī) 單價(jià)3.8億美元

6月6日消息，荷蘭光刻機(jī)制造商ASML今年將向臺(tái)積電交付其最新款光刻機(jī)。據(jù)公司發(fā)言人莫尼克·莫爾斯（Monique Mols）透露，首席財(cái)務(wù)官羅杰·達(dá)森（Roger Dassen）在近期的分析師電話會(huì)議中表示，包括臺(tái)積電和英特爾在內(nèi)的ASML兩大客戶都將在今年年底前拿到高數(shù)值孔徑極紫外線（high-NA EUV）光刻機(jī)。英特爾已經(jīng)下單購(gòu)買了這款最新的光刻機(jī)，并于去年12月底將第一臺(tái)機(jī)器運(yùn)至其位于俄勒岡州的工廠。目前尚不清楚臺(tái)積電何時(shí)會(huì)收到這些設(shè)備。臺(tái)積電代表表示，公司一直與供應(yīng)商保持密切合作，但拒絕對(duì)此事
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大基金三期成立有望充分帶動(dòng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展

大基金三期成立有望充分帶動(dòng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)ETF漲近3%】今日（6月3日），中證半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)指數(shù)(931865)開盤拉升漲近3%，成分股中，和林微納漲超7%，安集科技漲超5%，中微公司、芯源微、北方華創(chuàng)、盛美上海等股票跟漲。今日（6月3日），中證半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)指數(shù)(931865)開盤拉升漲近3%，成分股中，和林微納漲超7%，安集科技漲超5%，中微公司、芯源微、北方華創(chuàng)、盛美上海等股票跟漲。ETF方面，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)ETF（159582）快速拉升漲近3%，換手率13.46%，交投活躍。此前，據(jù)國(guó)家企業(yè)
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中國(guó)“被卡脖子”的芯片行業(yè)獲得500億美元的救命稻草

中國(guó)的半導(dǎo)體行業(yè)受到拜登政府一系列措施的嚴(yán)重打擊。中國(guó)并沒有失去對(duì)在芯片供應(yīng)鏈中擺脫外國(guó)組件依賴的信心。
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英偉達(dá)的黃仁勛承諾由中國(guó)臺(tái)灣科技引領(lǐng)的新計(jì)算時(shí)代

英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛展示了利用人工智能的即將到來的技術(shù)，包括“AI筆記本電腦”和“數(shù)字人類”
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ST Microelectronics獲22億美元建造世界首個(gè)碳化硅工廠

STMicroelectronics將獲得意大利政府提供的20億歐元（22億美元）資助，用于在西西里島建設(shè)一座價(jià)值50億歐元（54億美元）的芯片生產(chǎn)設(shè)施。據(jù)報(bào)道，這將是世界上首個(gè)完全一體化的碳化硅（SiC）半導(dǎo)體工廠，旨在為電動(dòng)汽車制造微芯片。據(jù)路透社報(bào)道，這項(xiàng)資助屬于歐盟為建立本土芯片生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施的投資努力，類似于美國(guó)的CHIPS法案和中國(guó)的大基金。這些在微芯片生產(chǎn)方面的巨額投資凸顯了半導(dǎo)體對(duì)全球經(jīng)濟(jì)的重要性，特別是在2020年全球疫情期間的芯片短缺暴露了萬億美元產(chǎn)業(yè)對(duì)中斷的脆弱性。STMicroele
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2024年半導(dǎo)體未來論壇：規(guī)劃沙特阿拉伯電子芯片制造和設(shè)計(jì)的未來

2024年第三屆未來半導(dǎo)體論壇將在利雅得舉行，由阿卜杜勒阿齊茲國(guó)王科學(xué)技術(shù)城（KACST）與阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)（KAUST）合作主辦。該活動(dòng)定于2024年6月5日至6日在利雅得的Garage創(chuàng)新區(qū)舉行，旨在促進(jìn)本國(guó)電子芯片的生產(chǎn)并推動(dòng)沙特阿拉伯的數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展。此次論壇將匯聚半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的知名政策制定者、工業(yè)先鋒、專家和學(xué)者。重要參與者包括因開發(fā)藍(lán)/綠LED和紫激光二極管而獲得諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)的中村修二，以及電氣工程和計(jì)算機(jī)科學(xué)教授、加州大學(xué)洛杉磯分校量子科學(xué)與工程中心聯(lián)席主任、雷神公司電氣工程教授王康。
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半導(dǎo)體巨頭在對(duì)AI需求激增的背景下財(cái)富增加

隨著人工智能（AI）需求的增長(zhǎng)，關(guān)鍵半導(dǎo)體公司如臺(tái)積電（TSMC）和日月光（ASE）的銷售額和股價(jià)大幅上漲，這些公司正擴(kuò)大海外投資以對(duì)沖風(fēng)險(xiǎn)。臺(tái)灣常被稱為“硅島”，長(zhǎng)期以來為世界供應(yīng)大部分半導(dǎo)體，創(chuàng)造了半導(dǎo)體公司創(chuàng)始人的財(cái)富。現(xiàn)在，對(duì)支持AI所需復(fù)雜微處理器的需求激增，使這些人的財(cái)富更加豐厚。當(dāng)?shù)氐陌雽?dǎo)體子指數(shù)較去年上漲了43%，優(yōu)于大盤的31%漲幅。臺(tái)積電是全球最大的半導(dǎo)體代工廠，2023年占全球市場(chǎng)份額的60%，據(jù)香港的Counterpoint Research公司稱。該公司報(bào)告稱，第一季度收入增長(zhǎng)了
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日本半導(dǎo)體大國(guó)成型中芯片巨頭計(jì)劃建廠落腳廣島

日本政府積極推動(dòng)半導(dǎo)體復(fù)興。除了臺(tái)積電布局熊本之外，美國(guó)芯片巨頭美光據(jù)傳也計(jì)劃在廣島興建新工廠，預(yù)計(jì)最快2027年底就可投入營(yíng)運(yùn)。綜合日媒報(bào)導(dǎo)，美國(guó)最大內(nèi)存制造商美光（Micron）預(yù)計(jì)將投入6000億日?qǐng)A至8000億日?qǐng)A（約275至368億元），在日本廣島縣興建生產(chǎn)DRAM芯片的新工廠，這座新廠預(yù)計(jì)將于2026年初動(dòng)工，并安裝EUV設(shè)備。美光在2013年收購(gòu)了日本前DRAM制造大廠爾必達(dá)，在日本擁有超過4000名工程師與技術(shù)人員。其實(shí)美光原本就有計(jì)劃在日本建廠，最初計(jì)劃要在2024年推動(dòng)新廠投入營(yíng)運(yùn)，但
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美國(guó)能源官員表示半導(dǎo)體行業(yè)的增長(zhǎng)將帶來電力需求的增加

能源官員在最近的美國(guó)參議院聽證會(huì)上警告說，隨著半導(dǎo)體行業(yè)的增長(zhǎng)，電力需求將會(huì)增加。美光科技公司（Micron Technology）負(fù)責(zé)美國(guó)前端擴(kuò)展的副總裁斯科特·加茨梅爾（Scott Gatzemeier）表示，美光選擇紐約中部的一個(gè)原因是，距離該設(shè)施正北40英里處有一座核電站，并且有直接的線路連接?！霸谶x擇我們的網(wǎng)站時(shí)，這是電網(wǎng)中最可靠的變電站之一，”加茨梅爾說?！耙虼?，系統(tǒng)的可靠性對(duì)半導(dǎo)體工廠至關(guān)重要，因?yàn)殡娏?yīng)中的一個(gè)毫秒的中斷都會(huì)導(dǎo)致我們的工廠停產(chǎn)長(zhǎng)達(dá)一周，影響生產(chǎn)過程?！彼f，這些中斷可能導(dǎo)
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人才大戰(zhàn)：馬來西亞半導(dǎo)體行業(yè)缺乏技術(shù)工人

在新雇主的制造工廠工作僅幾個(gè)月后，高級(jí)工藝工程師阿祖阿尼·阿卜杜勒·阿齊茲（Azzuani Abdul Aziz）就收到了多個(gè)工作邀請(qǐng)。這位35歲的馬來西亞人擁有十年的半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，參與高科技前端制造，其團(tuán)隊(duì)中每四名員工中就有一名是女性。她的技能使她在國(guó)內(nèi)非常搶手，馬來西亞已經(jīng)成為全球第六大半導(dǎo)體出口國(guó)。全球半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)計(jì)到2030年將價(jià)值一萬億美元。盡管馬來西亞的半導(dǎo)體行業(yè)蓬勃發(fā)展，但目前面臨著嚴(yán)重的人才短缺問題，政府表示需要5萬名技術(shù)工程師，而馬來西亞的大學(xué)每年僅培養(yǎng)約5000名工程師。行業(yè)參與者正
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]