半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

中國IC產(chǎn)量強(qiáng)勢增長國際半導(dǎo)體巨頭搶進(jìn)

　　研究機(jī)構(gòu)ICInsights表示，到了2017年，中國境內(nèi)IC產(chǎn)能將有70%來自國際半導(dǎo)體業(yè)者，較2012年大幅提升58%，不過中國整體IC總產(chǎn)量卻僅占全球6%市占率，這也顯示雖然中國已成為全球最大個人電子消費(fèi)市場，但并不代表IC生產(chǎn)量也會馬上在境內(nèi)大量生產(chǎn)，但已有愈來愈多國際半導(dǎo)體廠開始前進(jìn)中國，在當(dāng)?shù)亟⑸a(chǎn)據(jù)點(diǎn)，因此預(yù)期2012~2017年，中國IC產(chǎn)量將會出現(xiàn)強(qiáng)勁成長走勢，年復(fù)合成長率17.6%。　　ICInsights表示，近年來SK海力士、臺積電、英特爾、三星都在2012年積極展開在中
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中國智能制造萬億市場大半拱手讓人

　　勞動力成本的上升正在給中國制造業(yè)帶來前所未有的壓力，而以自動化為標(biāo)志的智能制造無疑為中國制造業(yè)提供了一根救命稻草。比較尷尬的是，在這塊未來前景可達(dá)上萬億元的新市場，外資企業(yè)已經(jīng)占據(jù)了70%以上的份額。　　“無論從政府政策引導(dǎo)和財政支持，還是企業(yè)研發(fā)投入的增加來講，中國智能制造業(yè)的發(fā)展動力都在不斷增強(qiáng)，行業(yè)水平也在不斷提升。但是先天不足比較嚴(yán) 重，未來能否實(shí)現(xiàn)國內(nèi)市場占有率30%甚至50%的目標(biāo)還不好說。”慧聰研究ICT事業(yè)部負(fù)責(zé)人張本厚對《中國企業(yè)報》記者說。　　制造業(yè)
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半導(dǎo)體廠談3D IC應(yīng)用

　　半導(dǎo)體技術(shù)走向系統(tǒng)化，集成不同芯片堆疊而成的3D IC將成為主流發(fā)展趨勢。2.5D IC從設(shè)計工具、制造、封裝測試等所有流程的解決方案大致已準(zhǔn)備就緒，今年最重要的課題即在于如何提升其量產(chǎn)能力，以期2014年能讓2.5D IC正式進(jìn)入量產(chǎn)。　　SiP Global Summit 2013(系統(tǒng)級封測國際高峰論壇)將于9月5日至6日與臺灣最大半導(dǎo)體專業(yè)展覽SEMICON Taiwan 2013(國際半導(dǎo)體展)同期登場，特別邀請臺積電、日月光、矽品、欣興電子、Amkor、Qualcomm、STATS C
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意法半導(dǎo)體公布第二季度財報：同比虧損擴(kuò)大

新浪科技訊北京時間7月23日早間消息，意法半導(dǎo)體今天發(fā)布了2013財年第二季度財報。報告顯示，意法半導(dǎo)體第二季度凈營收為20.45億美元，低于去年同期的21.48億美元，但高于上一季度的20.09億美元;歸屬于母公司的凈虧損為1.52億美元，去年同期凈虧損為7500萬美元，上一季度凈虧損為1.71億美元。
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分析師質(zhì)疑聯(lián)電在廈門建晶圓廠的合理性

　　多家臺灣媒體報道，臺灣聯(lián)電(UMC)正與廈門市政府合作，將投資3億美元在當(dāng)?shù)匦陆ㄒ蛔A廠。iSuppli公司半導(dǎo)體首席分析師顧文軍撰文表示質(zhì)疑，認(rèn)為聯(lián)電在廈門建廠缺乏合理性。文章全文如下：　　據(jù)臺灣的媒體(工商時報和經(jīng)濟(jì)日報等)報道，聯(lián)電將在廈門新建8寸或者12寸廠。其實(shí)很久之前我也聽說這個消息了，因?yàn)榻陙砺?lián)電在資本支出上遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競爭對手,資金缺口很大，所以一直尋找在大陸合作，希望“不差錢”的大陸金主能夠“慷慨解囊”“雪中送炭&rd
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違反物理定律的石墨烯沖擊半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

　　石墨烯有很多匪夷所思的特性，至今連科學(xué)家也解釋不了。例如，它有生物兼容性，植入生物體后不會有排異反應(yīng)，這樣給很多現(xiàn)代診療帶來福音，還有，它在抗癌上也很神奇，在石墨烯上癌細(xì)胞難以成活但是正常細(xì)胞可以存活。　　一、撕膠帶大法發(fā)現(xiàn)石墨烯　　1930年以來的物理理論都認(rèn)為二維結(jié)構(gòu)會在原子力的作用下塌縮成一個點(diǎn)，因此二維材料只存在于理論上，例如著名俄國物理學(xué)家朗道(LevLandau)等人就已證明，二維材料的熱運(yùn)動漲落會破壞自身的結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)上制備石墨烯的種種失敗嘗試似乎也在佐證著這一結(jié)論，比如石墨層越薄
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臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)晶圓廠西進(jìn)政策

　　臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)晶圓廠西進(jìn)政策，在8寸晶圓廠時代是以「總量管制、技術(shù)領(lǐng)先」為兩大原則，其中總量管制是至2005年以核準(zhǔn)3座8寸晶圓廠為上限，當(dāng)時是晶圓代工廠臺積電，以及記憶體廠茂德和力晶申請。　　技術(shù)領(lǐng)先的規(guī)定是指到大陸設(shè)立8寸晶圓廠的半導(dǎo)體廠必須已在臺灣設(shè)有12寸晶圓廠，且12寸晶圓廠達(dá)量產(chǎn)規(guī)模后，才可提出申請，且不能是先進(jìn)制程。當(dāng)時臺積電松江8寸廠和茂德渝德8寸廠成功西進(jìn)大陸，力晶后來則因?yàn)镈RAM產(chǎn)業(yè)景氣走下坡，財報連年虧損而沒有赴大陸。　　2009年在總統(tǒng)大選過后，開始討論松綁12寸晶圓
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半導(dǎo)體20強(qiáng)中國工程師薪資調(diào)查排行榜

　公司排名工程師軟件工程師美國英特爾￥12,535 ￥15,609 韓國三星電子￥8,350 ￥14,9
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半導(dǎo)體維持成長幅度恐趨緩

　　重量級半導(dǎo)體廠法人說明會本周將陸續(xù)登場。第3季為傳統(tǒng)旺季，廠商業(yè)績多可較第2季再成長，但因基期較高，成長幅度恐將小于傳統(tǒng)季節(jié)性水準(zhǔn)。　　晶圓代工龍頭廠臺積電法說會即將于18日登場，為半導(dǎo)體廠法說會旺季揭開序幕。　　臺塑集團(tuán)旗下動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)廠南科與華亞科將緊接著于23日召開法說會。　　晶圓代工廠聯(lián)電與面板驅(qū)動IC廠聯(lián)詠8月7日舉行法說會;IC設(shè)計服務(wù)廠創(chuàng)意將于8月9日法說。　　盡管第2季為半導(dǎo)體業(yè)傳統(tǒng)淡季，不過，中國大陸智慧手機(jī)市場高成長，平板電腦百家爭鳴，帶動半導(dǎo)體廠
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快捷半導(dǎo)體八英寸晶圓生產(chǎn)線開始營運(yùn)

　　全球功率半導(dǎo)體供應(yīng)商快捷半導(dǎo)體宣布，位于韓國富川的八英寸晶圓生產(chǎn)線正式啟動。　　快捷半導(dǎo)體指出，新廠象征公司專注于創(chuàng)新功率半導(dǎo)體解決方案，以及在提高產(chǎn)品品質(zhì)及回應(yīng)不斷變化的市場動態(tài)方面進(jìn)行投資。　　快捷半導(dǎo)體認(rèn)為，新增韓國晶圓廠可增強(qiáng)快捷半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的靈活性及成本競爭力，從而更好地服務(wù)于亞洲快速發(fā)展的行動電話市場，以及充分利用該地區(qū)在諸如LED背光、液晶電視及消費(fèi)類電器等節(jié)能電子產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)力。
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四年艱苦攻關(guān) 中國22納米半導(dǎo)體工藝獲重大突破

　　說起先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，Intel、IBM、臺積電、三星電子這些耳熟能詳?shù)拿挚隙〞⒖坛霈F(xiàn)在大家的腦海中，而因?yàn)楦鞣矫娴南拗疲瑖鴥?nèi)在這方面的差距還非常非常大，只有中芯國際能拿得出手，但也總比國外落后幾個時代。　　不過據(jù)《中國科學(xué)報》最新消息，中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心(以下簡稱先導(dǎo)工藝研發(fā)中心)通過4年的艱苦攻關(guān)，在22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺建設(shè)上，實(shí)現(xiàn)了重要突破，在國內(nèi)首次采用后高K工藝成功研制出包含先進(jìn)高K/金屬柵模塊的22納米柵長MOSFETs，器件性能良好。
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SEMI：明年半導(dǎo)體芯片設(shè)備支出年增21%

　　國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)最新預(yù)估，明年全球半導(dǎo)體晶片設(shè)備支出將達(dá)430.98億美元，較2013年大幅成長21%。其中，臺灣比重仍將達(dá)四成，顯示明年臺灣半導(dǎo)體業(yè)仍將持續(xù)暢旺。　　SEMI表示，臺灣明年仍會是全球晶片設(shè)備支出最大的地區(qū)。若以年成長比例來看，中國增幅最大，由今年的28.1億美元，大幅增加到51.1億美元，年成長率達(dá)81.9%。　　盡管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)看好，但臺股今早開盤，臺積電(2330)股價持續(xù)探底，開盤后跌了1元為104元;聯(lián)電(2303)維持在平盤附近。
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詳解中國電子元器件的不同發(fā)展階段

　　電子元器件的發(fā)展及特點(diǎn)根據(jù)檢索，元器件的發(fā)展普遍的提法是：電子元器件發(fā)展階段已經(jīng)歷了以電子管為核心的經(jīng)典電子元器件時代、以半導(dǎo)體分立器件為核心的小型化電子元器件時代，現(xiàn)時已進(jìn)入以高頻和高速處理集成電路為核心的微電子元器件時代，如表1所示。　　微電子元器件包括集成電路、混合集成電路、片式和扁平式元件和機(jī)電組件、片式半導(dǎo)體分立器件等。微電子指采用微細(xì)工藝的集成電路，隨集成電路集成度和復(fù)雜度的大幅度提高、線寬越來越細(xì)和采用銅導(dǎo)線，其基頻和處理速度也大幅度提高，在電子線路中其周邊的其他元器件必然要有相
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淺析連接器在不同環(huán)境下的性能要求

　　同一個物體在不同的環(huán)境中會有不同的技術(shù)性能，因此，評價一個物體的好壞，看它能承受多大的環(huán)境條件也是一項重要指標(biāo)。對連接器這一電子工程領(lǐng)域再熟悉不過的部件來說，它被應(yīng)用到了我們生產(chǎn)生活的各個角落，要滿足在各種復(fù)雜惡劣環(huán)境應(yīng)用的需求，它的環(huán)境性能顯得尤為重要。　　我們知道連接器的環(huán)境對性能影響是很大的，主要影響因素有溫度、濕度、酸堿、振動和沖擊性以及液體浸漬等，這些因素也就影響著連接器的工作以及壽命，下面簡要介紹一下這些因素對連接器效能的影響。　　溫度能改變物體的物理狀態(tài)，它是影響連接器效能的一個
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半導(dǎo)體業(yè)吁：放寬外籍、陸籍高端人才來臺

　　經(jīng)濟(jì)部長張家祝昨(5)日與半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)行早餐會議，產(chǎn)業(yè)界提出四大建言，包括放寬引進(jìn)外、陸籍高階人力來臺、重新檢視員工分紅費(fèi)用化、正視產(chǎn)業(yè)發(fā)展以及政府應(yīng)提前布局5G。業(yè)者極力呼吁，應(yīng)該引進(jìn)陸籍高階人才來臺，以彌補(bǔ)產(chǎn)業(yè)人才缺口。　　張家祝昨日趕赴新竹，與半導(dǎo)體廠商包括臺積電、聯(lián)電、聯(lián)發(fā)科、日月光、矽品、瑞昱與鈺創(chuàng)等主管共進(jìn)早餐，向業(yè)者請益。　　業(yè)者投訴，我國在2008年實(shí)施員工分紅費(fèi)用化，造成人才流失，而此時，大陸與韓國也在挖角我人才，因此第一項建言就是政府應(yīng)松綁陸籍、外籍高階人力來臺，而陸籍人力
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]