安森美文章進入安森美技術(shù)社區(qū)

安森美與博格華納擴大碳化硅戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價值超10億美元

2023年7月19日--智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開展戰(zhàn)略合作，其中即包括EliteSiC器件。Viper 800V碳化硅逆變器安森美提供高性能的 Elit
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三相PFC轉(zhuǎn)換器如何大幅提高車載充電器的充電功率？

隨著汽車市場電氣化時代的到來，對電池充電器的需求越來越大。通過簡單的公式可以知道，功率越大，充電時間就越短。本文考慮的是三相電源，其所能提供的功率最高為單相電源的3 倍。這里提及的三相 PFC 板是基于碳化硅 MOSFET 的車載充電器系統(tǒng)第一級的示例，它會提高系統(tǒng)效率并減少 BOM 內(nèi)容。開發(fā) PFC 板的主要目的是方便訪問不同設(shè)備，從而為測試階段和測量提供便利；外形尺寸優(yōu)化從來不是 EVB 的目標。一輸出電壓在這里，三相 PFC 提供的輸出電壓被固定為 700 V（精度5%）。得益于
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SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324

前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時也分享了安森美在器件開發(fā)的一些特點和進展。到這里大家對于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對于一個SiC功率器件來說只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來，這次我們會從AQG324這個測試標準的角度來看芯片和封裝的開發(fā)與驗證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖，圖二是整個SSDC模塊的結(jié)構(gòu)圖，從圖一和圖二我們可以發(fā)現(xiàn)這個用在主驅(qū)的功率模塊還是比較復(fù)雜的，里面包含了許
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安森美將攜智能成像方案亮相Vision China 2023

中國上海 - 2023年7月7日--領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，將攜領(lǐng)先的圖像感知技術(shù)及方案亮相于7月11日至13日在上海國家會展中心舉辦的中國（上海）機器視覺展（Vision China 2023），展位號為5.1號館D204號展臺。安森美將展示基于其 AR0822圖像傳感器和Rockchip的RK3588處理器的高精度條碼掃描方案。AR0822支持120 dB高動態(tài)范圍片上融合（eHDRTM）、近紅外響應(yīng)增強（NIR+）和超
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IGBT如何選擇，你真的了解嗎？

最近，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體的應(yīng)用日益增多，受到廣泛關(guān)注。然而，在這些新技術(shù)出現(xiàn)之前，許多高功率應(yīng)用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實上，許多此類應(yīng)用仍然適合繼續(xù)使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的結(jié)構(gòu)和運行，并列舉多種不同 IGBT 應(yīng)用的電路拓撲結(jié)構(gòu)，然后探討這種多用途可靠技術(shù)的新興拓撲結(jié)構(gòu)。IGBT 器件結(jié)構(gòu)簡而言之，IGBT 是由 4 個交替層 (P-N-P-N) 組成的功率半導體晶體管，通過施加于金屬氧化物半導體 (MOS
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超低功耗無線 MCU：玩轉(zhuǎn)睡眠模式

支持藍牙低功耗 (LE) 的設(shè)計可讓設(shè)備長時間處于非工作狀態(tài)，因此，您可能需要選用具有超低功耗睡眠模式的高能效無線微控制器 (MCU)，這對于優(yōu)化整體系統(tǒng)性能至關(guān)重要。設(shè)計人員應(yīng)當仔細選擇采用藍牙低功耗技術(shù)的 MCU 的規(guī)格，確定超低功耗的真正含義。這不是對照數(shù)據(jù)表確定最低電流消耗值，針對應(yīng)用尋求最佳解決方案并非易事。睡眠模式（又稱低功耗模式或休眠模式）不僅意味著低電流，還需考慮以下幾個因素：?● 電流消耗● 喚醒源● 保留內(nèi)存●&n
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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級到 800V 電池架構(gòu)

自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時間可能會成為
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貿(mào)澤電子備貨安森美NCN26010以太網(wǎng)控制器

提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) NCN26010工業(yè)以太網(wǎng)控制器。這款新型10BASE-T1S以太網(wǎng)控制器設(shè)計用于為工業(yè)環(huán)境提供可靠的多點通信。安森美NCN26010是一款10Mb/s、符合IEEE 802.3cg標準的器件，包含媒體訪問控制器 (MAC)、PLCA協(xié)調(diào)子層 (RS) 和10BASE-T1S PHY，設(shè)計用于工業(yè)多點以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)。該器件可在單根雙絞線上實現(xiàn)40多個節(jié)點，
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安森美推出端對端定位系統(tǒng),助力實現(xiàn)更省電的高精度資產(chǎn)追蹤

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美（onsemi），推出了一款端對端定位系統(tǒng)，讓設(shè)計人員可以更方便快速地開發(fā)出更高精度、更具成本效益、更省電的資產(chǎn)追蹤解決方案。該系統(tǒng)基于安森美的RSL15 MCU，這是業(yè)界功耗最低的Bluetooth? 5.2 MCU，并采用了Unikie和CoreHW的軟件算法和組件，形成一個全集成的解決方案，其組件已經(jīng)過優(yōu)化，可以協(xié)同工作。新的藍牙低功耗（Bluetooth LE）解決方案使標簽?zāi)軌蛴糜谠谝?guī)定的封閉空間（如倉庫、商店或其他建筑物）中以亞米級的精度追蹤物體或人員。它
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安森美(onsemi)M3S EliteSiC MOSFET讓車載充電器升級到800V電池架構(gòu)

自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時間可能會成為
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動器使用指南

SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP517
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安森美引領(lǐng)行業(yè)的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術(shù)優(yōu)勢

本文旨在介紹安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術(shù)優(yōu)勢，提供有關(guān)如何使用在線工具和可用功能的更多詳細信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關(guān)的基礎(chǔ)知識，接下來介紹開關(guān)損耗提取技術(shù)和寄生效應(yīng)影響的詳細信息，并介紹虛擬開關(guān)損耗環(huán)境的概念和優(yōu)勢。該虛擬環(huán)境還可用來研究系統(tǒng)性能對半導體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細介紹對軟硬開關(guān)皆適用的 PLECS 模型以及相關(guān)的影響?？偨Y(jié)部分闡明了安森美工具比業(yè)內(nèi)
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深度剖析IGBT柵極驅(qū)動注意事項

IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅(qū)動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路圖 2. IGBT的導通電流為了快速導通和關(guān)斷 BJT，必須在每個方向上硬驅(qū)動柵極電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當 MOSFET 的柵極被驅(qū)動為高電平時，會存在一個從雙
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安森美Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的優(yōu)勢

簡介? ? ??本文旨在介紹安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術(shù)優(yōu)勢，提供有關(guān)如何使用在線工具和可用功能的更多詳細信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關(guān)的基礎(chǔ)知識，接下來介紹開關(guān)損耗提取技術(shù)和寄生效應(yīng)影響的詳細信息，并介紹虛擬開關(guān)損耗環(huán)境的概念和優(yōu)勢。該虛擬環(huán)境還可用來研究系統(tǒng)性能對半導體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細介紹對軟硬開關(guān)皆適用的 PLE
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分步解析，半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計要點

在眾多諧振轉(zhuǎn)換器中，LLC 諧振轉(zhuǎn)換器有著高功率密度應(yīng)用中最常用的拓撲結(jié)構(gòu)。之前我們介紹過采用 NCP4390 的半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計注意事項，其中包括有關(guān) LLC 諧振轉(zhuǎn)換器工作原理的說明、變壓器和諧振網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計，以及元件的選擇。今天我們將介紹設(shè)計程序的前9個步驟并配有設(shè)計示例來加以說明，幫助您完成 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計。設(shè)計程序本文介紹了使用圖 12 中的電路圖作為參考的設(shè)計程序，其中諧振電感是用漏感實現(xiàn)的。設(shè)計規(guī)格如下所示：● 標稱輸入電壓：396 VDC（PF
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安森美介紹

安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強大的產(chǎn)品系列，是計算機、通信、消費產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場客戶之首選高能效半導體技術(shù)供應(yīng)商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設(shè)計中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細 ]