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通富微電框架類封裝

  • Bump SeriesProduction Overview        TFME is able to provide Solder bump, Cu pillar bump and Gold bump for customer to meet different requirement.Feature                 Solder bump&nb
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通富微電測試技術(shù)

  • Semiconductor ICs are increasingly becoming denser with more functionality resulting in a more complex test environment, requiring more advanced test systems and capabilities. TFME provides a complete range of semiconductor testing services including wafe
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通富微電基板類封裝

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長電科技:2021圓滿收官 看好2022業(yè)績持續(xù)性增長

  • 2021 年業(yè)績符合我們預(yù)期    公司公布2021 年業(yè)績:收入305.0 億元,同比增長15.3%,毛利率18.4%,同比提升2.9ppts;歸母凈利潤29.6 億元,同比增長126.8%,扣非后凈利潤24.9 億元,同比增長161.2%,上述主要財(cái)務(wù)指標(biāo)均創(chuàng)下歷史新高。對(duì)應(yīng)到4Q21 單季度來看,公司實(shí)現(xiàn)收入85.9 億元,環(huán)比增長6.0%;毛利率19.8%,環(huán)比繼續(xù)提升1.0ppts;歸母凈利潤8.4 億元,環(huán)比增長6.3%。整體業(yè)績符合我們預(yù)期。 &nbs
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長電科技焊線封裝技術(shù)

  • 焊線封裝技術(shù)焊線形成芯片與基材、基材與基材、基材與封裝之間的互連。焊線被普遍視為最經(jīng)濟(jì)高效和靈活的互連技術(shù),目前用于組裝絕大多數(shù)的半導(dǎo)體封裝。長電技術(shù)優(yōu)勢長電科技可以使用金線、銀線、銅線等多種金屬進(jìn)行焊線封裝。作為金線的低成本替代品,銅線正在成為焊線封裝中首選的互連材料。銅線具有與金線相近的電氣特性和性能,而且電阻更低,在需要較低的焊線電阻以提高器件性能的情況下,這將是一大優(yōu)勢。長電科技可以提供各類焊線封裝類型,并最大程度地節(jié)省物料成本,從而實(shí)現(xiàn)最具成本效益的銅焊線解決方案。解決方案LGABGA/FBGA
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長電科技MEMS與傳感器封裝技術(shù)

  • ?MEMS與傳感器隨著消費(fèi)者對(duì)能夠?qū)崿F(xiàn)傳感、通信、控制應(yīng)用的智能設(shè)備的需求日益增長,MEMS 和傳感器因其更小的尺寸、更薄的外形和功能集成能力,正在成為一種非常關(guān)鍵的封裝方式。MEMS 和傳感器可廣泛應(yīng)用于通信、消費(fèi)、醫(yī)療、工業(yè)和汽車市場的眾多系統(tǒng)中。長電技術(shù)優(yōu)勢憑借我們的技術(shù)組合和專業(yè) MEMS 團(tuán)隊(duì),長電科技能夠提供全面的一站式解決方案,為您的量產(chǎn)提供支持,我們的服務(wù)包括封裝協(xié)同設(shè)計(jì)、模擬、物料清單 (BOM) 驗(yàn)證、組裝、質(zhì)量保證和內(nèi)部測試解決方案。長電科技能夠?yàn)榭蛻舻慕K端產(chǎn)品提供更小外形
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長電科技倒裝封裝技術(shù)

  • 倒裝封裝技術(shù)在倒裝芯片封裝中,硅芯片使用焊接凸塊而非焊線直接固定在基材上,提供密集的互連,具有很高的電氣性能和熱性能。倒裝芯片互連實(shí)現(xiàn)了終極的微型化,減少了封裝寄生效應(yīng),并且實(shí)現(xiàn)了其他傳統(tǒng)封裝方法無法實(shí)現(xiàn)的芯片功率分配和地線分配新模式。長電技術(shù)優(yōu)勢長電科技提供豐富的倒裝芯片產(chǎn)品組合,從搭載無源元器件的大型單芯片封裝,到模塊和復(fù)雜的先進(jìn) 3D 封裝,包含多種不同的低成本創(chuàng)新選項(xiàng)。解決方案FCBGAfcCSPfcLGAfcPoPFCOL - Flip Chip on Leadframe
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長電科技系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)

  • 系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)半導(dǎo)體公司不斷面臨復(fù)雜的集成挑戰(zhàn),因?yàn)橄M(fèi)者希望他們的電子產(chǎn)品體積更小、速度更快、性能更高,并將更多功能集成到單部設(shè)備中。半導(dǎo)體封裝對(duì)于解決這些挑戰(zhàn)具有重大影響。當(dāng)前和未來對(duì)于提高系統(tǒng)性能、增加功能、降低功耗、縮小外形尺寸的要求,需要一種被稱為系統(tǒng)集成的先進(jìn)封裝方法。系統(tǒng)集成可將多個(gè)集成電路 (IC) 和元器件組合到單個(gè)系統(tǒng)或模塊化子系統(tǒng)中,以實(shí)現(xiàn)更高的性能、功能和處理速度,同時(shí)大幅降低電子器件內(nèi)部的空間要求。長電技術(shù)優(yōu)勢長電科技在SiP封裝的優(yōu)勢體現(xiàn)在3種先進(jìn)技術(shù):雙面塑形技術(shù)、EM
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長電科技晶圓級(jí)封裝技術(shù)

  • 晶圓級(jí)封裝技術(shù)晶圓級(jí)封裝(WLP)與扇出封裝技術(shù)當(dāng)今的消費(fèi)者正在尋找性能強(qiáng)大的多功能電子設(shè)備,這些設(shè)備不僅要提供前所未有的性能和速度,還要具有小巧的體積和低廉的成本。這給半導(dǎo)體制造商帶來了復(fù)雜的技術(shù)和制造挑戰(zhàn),他們試圖尋找新的方法,在小體積、低成本的器件中提供更出色的性能和功能。長電技術(shù)優(yōu)勢長電科技在提供全方位的晶圓級(jí)技術(shù)解決方案平臺(tái)方面處于行業(yè)領(lǐng)先地位,提供的解決方案包括扇入型晶圓級(jí)封裝 (FIWLP)、扇出型晶圓級(jí)封裝 (FOWLP)、集成無源器件 (IPD)、硅通孔 (TSV)、包封芯片封裝 (EC
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蘋果M1 Ultra封裝是普通CPU的3倍

  • 據(jù)外媒videocardz報(bào)道,Mac Studio的全面拆解表明,蘋果最新的M1 Ultra芯片到底有多大。此多芯片模塊包含兩個(gè)使用 UltraFusion 技術(shù)相互連接的 M1 max 芯片。需要注意的是,這款超大型封裝還包含128GB內(nèi)存。不幸的是,在拆卸過程中看不到硅芯片,因?yàn)檎麄€(gè)封裝被一個(gè)非常大的集成散熱器覆蓋。M1 Ultra具有兩個(gè)10核CPU和32核GPU。整體有1140億個(gè)晶體管。根據(jù)蘋果的基準(zhǔn)測試,該系統(tǒng)應(yīng)該與采用RTX 3090顯卡的高端臺(tái)式機(jī)競爭。雖然該系統(tǒng)確實(shí)功能強(qiáng)大,并
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三星電子調(diào)整組織架構(gòu) 提升封裝測試業(yè)務(wù)地位

  • 作為全球第二大的芯片代工廠,最近三星又在芯片領(lǐng)域做出重要一步。三星電子在其 DX 事業(yè)部的全球制造和基礎(chǔ)設(shè)施部門內(nèi)設(shè)立了測試和封裝(TP,Test & Package)中心。
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AMD 官宣 3D Chiplet 架構(gòu):可實(shí)現(xiàn)“3D 垂直緩存”

  • 6 月 1 日消息 在今日召開的 2021 臺(tái)北國際電腦展(Computex 2021)上,AMD CEO 蘇姿豐發(fā)布了 3D Chiplet 架構(gòu),這項(xiàng)技術(shù)首先將應(yīng)用于實(shí)現(xiàn)“3D 垂直緩存”(3D Vertical Cache),將于今年年底前準(zhǔn)備采用該技術(shù)生產(chǎn)一些高端產(chǎn)品。蘇姿豐表示,3D Chiplet 是 AMD 與臺(tái)積電合作的成果,該架構(gòu)將 chiplet 封裝技術(shù)與芯片堆疊技術(shù)相結(jié)合,設(shè)計(jì)出了銳龍 5000 系處理器原型。官方展示了該架構(gòu)的原理,3D Chiplet 將一個(gè) 64MB 的 7n
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英特爾對(duì)chiplet未來的一些看法

  • 在英特爾2020年架構(gòu)日活動(dòng)即將結(jié)束的時(shí)候,英特爾花了幾分鐘時(shí)間討論它認(rèn)為某些產(chǎn)品的未來。英特爾客戶計(jì)算部門副總裁兼首席技術(shù)官Brijesh Tripathi提出了對(duì)2024年以上未來客戶端產(chǎn)品前景的展望。他表示,他們將以英特爾的7+制造工藝為中心,目標(biāo)是啟用“Client 2.0”,這是一種通過更優(yōu)化的芯片開發(fā)策略來交付和實(shí)現(xiàn)沉浸式體驗(yàn)的新方法。Chiplet(小芯片)并不是新事物,特別是隨著英特爾競爭對(duì)手最近發(fā)布的芯片,并且隨著我們進(jìn)入更復(fù)雜的過程節(jié)點(diǎn)開發(fā),小芯片時(shí)代可以使芯片上市時(shí)間更快,給定產(chǎn)品的
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子單元長期存放對(duì)焊接質(zhì)量的影響*

  • 長期進(jìn)行IGBT器件焊接封裝發(fā)現(xiàn),IGBT器件封裝所用關(guān)鍵部件子單元的存放時(shí)間長短對(duì)焊接空洞影響較大,本文分別對(duì)兩批存放時(shí)間差別較大的子單元進(jìn)行封裝,通過實(shí)驗(yàn)對(duì)比兩批產(chǎn)品的空洞率,結(jié)果表明存放時(shí)間較短的子單元焊接的IGBT器件空洞率明顯偏小,從而提高了IGBT器件的可靠性。
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三星圖像傳感器計(jì)劃采用CSP封裝技術(shù) 以降低成本

  • 據(jù)國外媒體報(bào)道,三星電子計(jì)劃采用一種新的封裝技術(shù),以降低圖像傳感器的成本。從外媒的報(bào)道來看,三星圖像傳感器計(jì)劃采用的是芯片級(jí)封裝(Chip Scale Package,CSP)技術(shù),從明年開始采用,不過只會(huì)用于低分辨率的圖像傳感器。COB封裝技術(shù)據(jù)The Elec報(bào)道,目前三星電子的圖像傳感器采用板上芯片封裝(Chips on Board,COB) ——?COB是當(dāng)前圖像傳感器最常用的封裝方法,即將圖像傳感器放置在PCB上,并通過導(dǎo)線連接,再將鏡頭附著在上面。然而,該過程需要一個(gè)潔凈室,因?yàn)樵诜?/li>
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封裝介紹

程序  封裝 (encapsulation)   隱藏對(duì)象的屬性和實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié),僅對(duì)外公開接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪問級(jí)別.   封裝 (encapsulation)   封裝就是將抽象得到的數(shù)據(jù)和行為(或功能)相結(jié)合,形成一個(gè)有機(jī)的整體,也就是將數(shù)據(jù)與操作數(shù)據(jù)的源代碼進(jìn)行有機(jī)的結(jié)合,形成“類”,其中數(shù)據(jù)和函數(shù)都是類的成員。   封裝的目的是增強(qiáng)安全性和簡化編程,使用者不必了解具體的 [ 查看詳細(xì) ]

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