晶體管文章進入晶體管技術(shù)社區(qū)

英特爾發(fā)布晶體管技術(shù)重大突破

英特爾公司宣布在基礎(chǔ)晶體管設(shè)計方面取得了一個最重大的突破，采用兩種完全不同以往的晶體管材料來構(gòu)建45納米晶體管的絕緣“墻”和切換“門”。在下一代英特爾®酷睿™2雙核、英特爾®酷睿™2四核以及英特爾®至強®系列多核處理器中，將置入數(shù)以億計的這種微觀晶體管或開關(guān)。英特爾公司同期宣布已有五種早期版本的產(chǎn)品正在運行，這是公司計劃中的15款45納米處理器產(chǎn)品的第一批。在臺式機、筆記本和服務(wù)器領(lǐng)域，晶體管技術(shù)的提升使得公司能夠繼續(xù)創(chuàng)造出處理器計算速度的全新紀錄
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瑞薩硅鍺功率晶體管可降低無線LAN功耗

瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布，RQG2003高性能的功率硅鍺HBT實現(xiàn)了業(yè)界最高水平性能，可用于諸如無線LAN終端、數(shù)字無繩電話和RF(射頻)標簽讀/寫機等產(chǎn)品。作為瑞薩科技目前HSG2002的后續(xù)產(chǎn)品，RQG2003是一種用于功率放大器的晶體管，它可以對傳輸無線LAN終端設(shè)備等RF前端功率進行放大。　　RQG2003的功能總結(jié)如下：　　業(yè)界最高的性能水
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瑞薩科技開發(fā)用于45納米節(jié)點及以上工藝芯片晶體管技術(shù)

瑞薩科技開發(fā)用于45納米節(jié)點及以上工藝芯片的高性能、低成本晶體管技術(shù) --可以經(jīng)濟地生產(chǎn)帶有采用金屬（P型）和多晶硅（N型）柵極混合結(jié)構(gòu)的CMIS晶體管而不必對現(xiàn)有的制造工藝進行重要改變— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，開發(fā)出一種可用于45nm（納米）節(jié)點及以上工藝微處理器和SoC（系統(tǒng)級芯片）產(chǎn)品的高性能和低成本晶體管技術(shù)。新開發(fā)的技術(shù)包括采用P型晶體管金屬柵極，以及N型晶體管傳統(tǒng)多晶硅柵極的混合結(jié)構(gòu)的高性能CMIS*1晶體管。它可以在不
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ST高效功率MOSFET晶體管提高照明應(yīng)用性能

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM)推出了新系列功率MOSFET產(chǎn)品的第一款產(chǎn)品。通態(tài)電阻極低，動態(tài)特性和雪崩特性非常優(yōu)異，新系列產(chǎn)品為客戶大幅度降低照明應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。商用照明應(yīng)用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導(dǎo)體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產(chǎn)品STD11NM60N就是一個這樣的挑戰(zhàn)半導(dǎo)體器件技術(shù)極限的實例，該產(chǎn)品采用ST自主開發(fā)的第二代 MDmeshTM 技術(shù)，最大通態(tài)電阻 RDS&nb
關(guān)鍵字： MOSFET ST 電源技術(shù) 晶體管模擬技術(shù) 消費電子意法半導(dǎo)體照明消費電子

低頻功率放大器

功率放大是一種能量轉(zhuǎn)換的電路，在輸入信號的作用下，晶體管把直流電源的能量，轉(zhuǎn)換的電路。 ...
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一種改善DDS性能的倍頻方法

介紹了一種利用倍頻的方法來改善DDS的上限頻率和雜散電平。首先對DDS的原理和雜散進行分析，在此基礎(chǔ)上提出了 ...
關(guān)鍵字：直接數(shù)字合成（DDS）技術(shù) 晶體管倍頻

安森美音頻晶體管可快速精確調(diào)整偏置

　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)日前推出ThermalTrak輸出晶體管新系列，具有內(nèi)部偏置控制的獨特功能，該器件為用于高端和具成本優(yōu)勢的消費電子音頻應(yīng)用及大功率專業(yè)聲音系統(tǒng)而設(shè)計，提高整體音質(zhì)，簡化設(shè)計。　　安森美半導(dǎo)體的音頻輸出晶體管采用ThermalTrak專利技術(shù)，消除累積預(yù)熱時間，能快速精確地調(diào)整偏置。實時溫度檢測讓設(shè)計人員更精確地監(jiān)控工作溫度，提高音質(zhì)和偏置穩(wěn)定性。該器件系列無需輸出驅(qū)動補償電路和昂貴的人手偏置調(diào)整，大大簡化了放大器設(shè)計。　　其中，
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實現(xiàn)過載延遲的晶體管

盡管SMPS（開關(guān)電源）本身能防止永久性短路，但在遇到瞬時過載時有時會出問題。瞬時過載并非短路，但卻會使電源超出其標稱負載值。這種情況會在開關(guān)電源連接典型負載，如打印機頭和小型電機時發(fā)生。
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1947年12月16日，晶體管誕生

　　1947年12月16日，貝爾實驗室的兩位研究員約翰·巴登和沃爾特·布拉頓發(fā)明了世界首個晶體管。　　他們的設(shè)備叫做“點接觸晶體管”(point contract transistor)，當時它主要用來導(dǎo)電以及放大信號，現(xiàn)在，這些工作主要交由真空管等部件來完成了。　　他們的同事威廉·肖克利隨后很快發(fā)明了“結(jié)型晶體管”(junction transistor)。盡管巴登與布拉頓是晶體管的第一批發(fā)明人，但肖克利的
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晶體管介紹

【簡介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細 ]