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技術(shù)知識:硅頻率控制器(SFC)-晶體替代市場的寵兒

  • 引言晶體的主要組成部分是二氧化硅,俗稱石英。石英具有非凡的機械和壓電特性,使得從19世紀(jì)40年代中期以來一直...
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研究人員期待硅半導(dǎo)體的替代物

  •   美國的研究人員相信,他們已經(jīng)克服了發(fā)展硅半導(dǎo)體功能替代物的一個主要障礙。   硅半導(dǎo)體在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中無處不在,但這些設(shè)備有局限性,其中包括在高溫下未能正常運作。   一個有前途的替代物是由鋁和氮形成氮化鋁(AlN)半導(dǎo)體,比他的硅對應(yīng)物更強更穩(wěn)定,可在高溫下運行,壓電的,對可見光透明,可以發(fā)出可見光。   生產(chǎn)AIN層的傳統(tǒng)工藝運行溫度高達1150℃,并對層厚控制有限。這個新的技術(shù)聲稱提供了一種方法來生產(chǎn)原子尺寸厚度的高質(zhì)量的氮化鋁(AlN)層,僅用其他方法溫度的一半。   
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帶晶體濾波器的45MHz IF放大器

  • 帶晶體濾波器的45MHz IF放大器一個40673型雙柵極MOSFET與一個45MHz的晶體濾波器相匹配,這個濾波器的阻抗大 ...
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PIC單片機振蕩電路中如何選擇晶體?

  • 對于一個高可靠性的系統(tǒng)設(shè)計,晶體的選擇非常重要,尤其設(shè)計帶有睡眠喚醒(往往用低電壓以求低功耗)的系統(tǒng)。這 ...
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GT推出碳化硅爐新產(chǎn)品線

  • GT Advanced Technologies(納斯達克:GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長技術(shù),能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊,可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段,SiClone100主要針對本身已經(jīng)擁有熱場、合格的晶體塊生產(chǎn)配方及正準(zhǔn)備開始量產(chǎn)的客戶。
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晶體硅電池優(yōu)勢地位將保持20年

  •   隨著石油可開采量逐漸見底和生態(tài)環(huán)境日益惡化,人們越來越企盼太陽能發(fā)電時代的到來。   太陽能電池是一種利用光伏效應(yīng)將太陽光能直接轉(zhuǎn)換為電能的電子器件。所謂光伏效應(yīng)(photovoltaiceffect)是指當(dāng)物體受到光照時,物體內(nèi)的電荷分布狀態(tài)發(fā)生變化而產(chǎn)生電動勢和電流的一種效應(yīng)。1839年法國物理學(xué)家貝克勒爾(Becquerel)首次在液體中發(fā)現(xiàn)了這種效應(yīng),他觀察到浸入電解液中的兩電極間電壓隨光照強度發(fā)生變化的現(xiàn)象。1883年,科學(xué)家們又在半導(dǎo)體硒和金屬接觸界面發(fā)現(xiàn)了固體光伏效應(yīng)。在此后相當(dāng)長的一
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選擇性發(fā)射極晶體硅太陽電池實現(xiàn)方法分析

  • 所謂選擇性發(fā)射極(SE-selectiveemiter)晶體硅太陽電池,即在金屬柵線(電極)與硅片接觸部位進行重摻雜,在電極之間位置進行輕摻雜。這樣的結(jié)構(gòu)可降低擴散層復(fù)合,由此可提高光線的短波響應(yīng),同時減少前金屬電極與硅的
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光子晶體光纖壓力傳感器穩(wěn)定性研究

  • 摘要: 光子晶體光纖傳感器的穩(wěn)定性在實際工程應(yīng)用中具有重要影響。文章分析了光子晶體光纖壓力傳感器的基本原理, 介紹了光子晶體光纖壓力傳感器的系統(tǒng)組成, 從理論上分析了傳感器系統(tǒng)相對于光源波長變化、輸出信號
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【光伏技術(shù)】高效晶體硅電池技術(shù)-表面鈍化

  • 早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以增加對入射光的吸收,但該方法均需先單獨采用熱氧化方法生長一層10~20umSiO2使硅片表面非晶化、且對多晶效果不理想。SixNy膜層不僅減緩漿料中玻璃體對硅的腐蝕抑制Ag的擴散速度從而
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首臺可在室溫下工作的微波激射器研制成功

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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左擁臺積右抱GF ARM忙擴事業(yè)版圖

  •   繼日前與臺積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程,安謀國際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約,雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC),并攜手發(fā)展新一代Mali繪圖處理器(GPU)核心。
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MCU晶體旁邊電容的作用及振蕩電路的分析

  • 絕大多數(shù)的MCU愛好者對MCU晶體兩邊要接一個22pF附近的電容不理解,因為這個電容有些時候是可以不要的。參考很多書籍,講解的很少,往往提到最多的是起穩(wěn)定作用,負載電容之類的話,都不是很深入理論的分析。問題是很
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電源:高效晶體硅太陽能電池-PERL電池

  • :PESC、PERC、PERL電池是新南威爾士大學(xué)研究了近20年的先進電池系列,前兩個子母PE(Passivated Emitter)代表前表面的鈍化(選擇性擴散),后兩個子母代表后表面的擴散和接觸情況。其中PERL衍生了南京中電的SE電池與尚德
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詳解硅頻率控制器(SFC)可以替代晶體的原因

  • 晶體的主要組成部分是二氧化硅,俗稱石英。石英具有非凡的機械和壓電特性,使得從19世紀(jì)40年代中期以來一直作為基本的時鐘器件。如今,只要需要時鐘的地方,工程師首先想到的就是晶體,但是隨著應(yīng)用的不斷深入,晶體
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復(fù)合材料提升塑料電子元件的傳輸速率

  • 智能手機對于觸控的響應(yīng)速度是由各種顯示組件之間電荷的流通速率決定的。倫敦帝國理工學(xué)院(Imperial College London,簡稱 ICL)的科學(xué)家們與阿卜杜拉國王科技大學(xué)(King Abdullah University of Science and Technology,簡稱 KAUST)的同仁們將合作制造有機薄膜晶體管 (OTFT),這些有機薄膜晶體管通過融合兩種有機半導(dǎo)體的細致溶液處理方法不斷取得創(chuàng)紀(jì)錄的載流子遷移率。這些有機薄膜晶體管及其處理方法提供了一系列未來的電子應(yīng)用。
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晶體介紹

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