電容器文章進入電容器技術(shù)社區(qū)

東芝開發(fā)新型128MB電容器DRAM

近日，日本東芝公司已經(jīng)在一個SOI（絕緣體上外延硅）晶圓上制造出一款128MB無輸出電容器DRAM芯片，正在對這款芯片進行測試運作。　　東芝公司報告稱，去年二月份在最尖端半導體電路技術(shù)國際會議（ISSCC）上東芝公司報告了無輸出電容器DRAM芯片的設(shè)計和模擬效果。在本周舉行的電子裝置國際會議上，東芝公司展示了這款芯片的運作。聲稱是全球最大儲存密度無輸出電容器DRAM芯片。　　無輸出電容器DRAM芯片是在絕緣薄膜下電池產(chǎn)生的浮體效
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東芝開發(fā)新型電容器DRAM芯片

近日，日本東芝公司已經(jīng)在一個SOI（絕緣體上外延硅）晶圓上制造出一款128MB無輸出電容器DRAM芯片，正在對這款芯片進行測試運作。　　東芝公司報告稱，去年二月份在最尖端半導體電路技術(shù)國際會議（ISSCC）上東芝公司報告了無輸出電容器DRAM芯片的設(shè)計和模擬效果。在本周舉行的電子裝置國際會議上，東芝公司展示了這款芯片的運作。聲稱是全球最大儲存密度無輸出電容器DRAM芯片。　　無輸出電容器DRAM芯片是在絕緣薄膜下電池產(chǎn)生的浮體效應取代了電容
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AVX新電容可在125℃高溫下使用

AVX的TCJ系列鉭電容近期新增幾款大電容器件，據(jù)稱可提供業(yè)內(nèi)最高等級的電容，有助于縮小封裝體積。　　據(jù)介紹，TCJ系列電容的電容值(CV)比同類器件高出1至3級，工程師使用這些電容可以減小便攜器件的尺寸。0805尺寸電容在4V時電容值為100μF，1206尺寸在6.3V時為47μF，1210尺寸在6.3V時為10μF。　　TCJ電容的工作電壓為12V，可在125℃高溫下使用。這些電容經(jīng)回流焊后仍能保持等效串聯(lián)電阻值(ESR)，并可承受260℃回流焊溫度
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凌特推出照相閃光燈電容充電器

　凌特推出LT3485系列照相閃光燈電容充電器集成電路，該器件集成了完整的照相閃光燈電容充電器和 IGBT 驅(qū)動器。LT3485 已獲得專利的控制技術(shù)允許它使用極小的“標準化”變壓器。無需外部組件設(shè)置輸出電壓。在充電時，一個與電容器電壓成正比的輸出可用來進行監(jiān)視。輸入電流被嚴格控制以提供一致的充電時間。　　該系列器件用 1.8V 至 10V 的輸入電壓工作，非常適用于由兩節(jié) AA 堿性、單節(jié)鋰離子電池或
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Syfer新型表面安裝貼片電容

Syfer Technology近日推出系列表面安裝貼片電容，該產(chǎn)品采用傳統(tǒng)的錫/鉛端子，主要面向不受歐盟RoHS規(guī)范限制的應用，包括軍事/航空、空間以及汽車等產(chǎn)品。　　某些特殊應用目前還未受到歐盟RoHS規(guī)范的限制，雖然采用錫制產(chǎn)品的可行性還在調(diào)研當中，但Syfer相信一些特定的應用仍將繼續(xù)使用錫/鉛材料。　　該公司提供的錫/鉛端子中含有不超過10/%的鉛，包括多種多層陶瓷貼片電容(MLCC)。容值范圍從0.45pF至82μF，工作電壓在16
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Vishay推出新型鉭電容器僅2.5mm

日前，Vishay宣布推出鉭電容器Sprague 592D系列，可在厚度僅2.5mm的封裝中提供3300μF電容。提供的該解決方案可取代在超薄應用中使用多個低值電容器實現(xiàn)充足電容的方式。　　Vishay采用“X”封裝尺寸的Sprague 592D共形敷膜(Conformal-Coated)固體鉭電容器主要面向PCMCIA卡、電源、線卡及手機等終端產(chǎn)品中的噪聲抑制、濾波、耦合及定時應用。新型592D電容器使用戶無需并行使用多個電容器來滿足
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利用開關(guān)電容濾波器實現(xiàn)抗混疊濾波

　　帶外雜散信號所引起的混疊現(xiàn)象是A/D 轉(zhuǎn)換器應用中所面臨的關(guān)鍵問題，如果沒有適當?shù)臑V波處理，這些信號會嚴重影響數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的性能指標。本文主要討論抗混疊濾波的原理及其對系統(tǒng)性能的影響。本文針對這一應用，提供了一個開關(guān)電容濾波器設(shè)計范例，該方案具有極高的性價比。本文幾乎涵蓋了所有與高性能系統(tǒng)設(shè)計有關(guān)的重要參數(shù)和實際問題。　　產(chǎn)生混疊的來源：這一點在奈奎斯特定理中給出了說明。奈奎斯特定理指出：時間連續(xù)信號轉(zhuǎn)換成離散信號時，需要在一個周期內(nèi)的采樣次數(shù)多于2 次。如果采樣次數(shù)不夠，將無法恢復丟失的信息。從
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5V轉(zhuǎn)換成 -10V的簡單電路

典型開關(guān)式電容器充電泵不需要電感器，因此容易設(shè)計，且能將正電壓加倍及將正電壓轉(zhuǎn)換成一個等效負電壓。但在某些應用中，只有正電源可用，且電源系統(tǒng)必須產(chǎn)生一個幅度比正電源電壓幅度更大的負電壓。圖1所示電路可將其輸入電壓反相的同時將所得負電壓加倍?！　⊥ǔ＃琈AX889T電壓反相器IC1可將一個正輸入電壓轉(zhuǎn)換成一個絕對幅度低于其輸入值的負輸出電壓。但此電路中，肖特基二極管D1、D2及電容器C4與C5可幫助產(chǎn)生一個更高的輸出電壓。該電路的額定輸出為VOUT=-(2
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高效照相閃光燈電容充電器

　　2005 年 9 月 19 日－北京－凌特公司（Linear Technology）推出 LT3484 系列高效率、超快、照相閃光燈電容（典型值為 320V）充電器。這些集成電路設(shè)計成獨立器件，無需通常與其他照相閃光燈充電器解決方案有關(guān)的微處理器負載和大量軟件開發(fā)。　　這個系列的照相閃光燈電容充電器 IC 是為空間十分寶貴的數(shù)碼相機和移動電話應用而設(shè)計。LT3484 獲得專利的控制技術(shù)允許它使用極小的變壓器，而且其片上 NPN 電源開關(guān)無需外部肖特基二極管箝位，縮小了解決方案尺寸。由于變壓
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Linear高效照相閃光燈電容充電器

Linear高效照相閃光燈電容充電器凌特公司（Linear Technology）推出 LT3484 系列高效率、超快、照相閃光燈電容（典型值為 320V）充電器。這些集成電路設(shè)計成獨立器件，無需通常與其他照相閃光燈充電器解決方案有關(guān)的微處理器負載和大量軟件開發(fā)。這個系列的照相閃光燈電容充電器 IC 是為空間十分寶貴的數(shù)碼相機和移動電話應用而設(shè)計。LT3484 獲得專利的控制技術(shù)允許它使用極小的變壓器，而且其片上 NPN&n
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ESR、穩(wěn)定性和 LDO 調(diào)節(jié)器

ESR、穩(wěn)定性和 LDO 調(diào)節(jié)器摘要由于特定的 ESR 要求，為帶有PNP或PMOS通路元件的LDO調(diào)節(jié)器選擇輸出電容器可能相當困難。本應用注釋解釋了為什么需要更高的ESR電容器，如何對其加以選擇，以及如何確定調(diào)節(jié)器是否穩(wěn)定。正如圖1給出的典型 PMOS 或 PNP 開環(huán)增益曲線圖所示，在基于 PMOS 或 PNP 調(diào)整元件的LDO 調(diào)節(jié)器中有三個重要的極點。主要極點 P（DOM）在調(diào)節(jié)器的誤差放大器中設(shè)置。負載極點 P（LOAD）由輸出電容器和負載形成，因此隨負載電流的不同而有所差異。
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NS推出無電感器開關(guān)電容白色發(fā)光二極管驅(qū)動器

美國國家半導體公司 (National Semiconductor Corporation) 宣布推出一款可提供 4.5 伏及 5.0 伏穩(wěn)壓輸出的固定頻率開關(guān)電容電荷泵。這款型號為 LM2751 的芯片可在 2.8 伏至 5.5 伏之間的輸入電壓范圍內(nèi)提供高達 150mA 的輸出電流，而且只需另加 4 顆成本低廉的陶瓷電容器為
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Dell自爆家丑　我們的主板電容有質(zhì)量問題

　　Dell已經(jīng)承認，其某些產(chǎn)品所使用的主板存在電容質(zhì)量問題。　　Dell的主板電容問題可以追溯到2002年十月，當時，有數(shù)家臺灣公司在電容中使用不合格的電解液，導致主板電容膨脹泄漏，對主板質(zhì)量造成很大影響。　　而Dell的OptiPlex GX270就受到該批問題電容主板的影響，有很多Dell用戶都對OptiPlex GX270存在的主板問題不滿，其中一名說道：“我們一共有61臺OptiPlex GX270系統(tǒng)，其中11臺主板電容出現(xiàn)膨脹泄漏問題，導致主板損毀?！?&n
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國內(nèi)汽車電子音響電容市場的價格非?；靵y

汽車電子市場快速發(fā)展后，業(yè)內(nèi)人士為滿足本土客戶對汽車音響電容的需求，其銷售重點也有從國際轉(zhuǎn)向國內(nèi)的趨勢。但由于市場尚處預熱階段，記者近日獲悉，新市場因市場秩序不規(guī)范，目前價格顯得相當混亂。　　記者從一位業(yè)內(nèi)人士處獲悉，目前國內(nèi)汽車電容市場存在很多以次充好的現(xiàn)象。比如市面較常見的一些“進口”汽車音響電容，標識的生產(chǎn)地多為美國、德國、臺灣等地，其報價一般比國產(chǎn)汽車電容的高出50%左右。但據(jù)這位業(yè)內(nèi)人士介紹，這些所謂“進口”的汽車音響電容，實際上就是國內(nèi)的一些O
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功率開關(guān)寄生電容用于磁芯去磁檢測

引言在工作于自激振蕩模式的SMPS中，需要檢測磁芯的完全去磁狀態(tài)。去磁檢測的最新技術(shù)基于對與變壓器主繞組耦合的輔助繞組的使用。此繞組可對磁芯實際去磁后出現(xiàn)的零電壓進行檢測(ZCD)。在準諧振工作中，重新啟動新一輪導通周期的最佳時機位于功率MOSFET漏極電壓的“谷點”處。電壓ZCD和漏極電壓谷點之間的時間間隔取決于漏極振鈴周期。本文描述了一種被稱為SOXYLESS的新技術(shù)，它無需采用輔助繞組和時間補償元件就能進行“谷點”檢測。Soxyless原理圖1表明了反激SMPS的功率MOSFET漏極上的電壓。圖1
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電容器介紹

電容器（capacitor）簡稱電容，也是組成電子電路的主要元件。它可以儲存電能，具有充電、放電及通交流、隔直流的特性。從某種意義上說，電容器有點像電池。盡管兩者的工作方式截然不同，但它們都能存儲電能。電池有兩個電極,在電池內(nèi)部，化學反應使一個電極產(chǎn)生電子，另一個電極吸收電子。而電容器則要簡單得多，它不能產(chǎn)生電子——它只是存儲電子。它是各類電子設(shè)備大量使用的不可缺少的基本元件之一。各種電容器在電路 [ 查看詳細 ]