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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術社區(qū)

滿足開關電源要求的功率MOSFET

  • 近年來，電源的輸出電壓越來越低、輸出電流越來越大（某些電源系統(tǒng)輸出幾十安培到上百安培）。因此，電源設計中采用...
  • 關鍵字： 開關電源  MOSFET  

Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產品獎

  • 2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產品獎的獲獎產品。
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  

只用兩只MOSFET的雙線圈繼電器驅動器

  • 閉鎖繼電器在給線圈一個短電壓脈沖時，會改變自己的狀態(tài)。由于這些繼電器不需要連續(xù)的線圈電流來保持狀態(tài)...
  • 關鍵字： MOSFET  繼電器  驅動器  

基于TLE6210和L9349設計的ABS驅動電路

  • ABS作為如今汽車上必備的安全電子設備，其功能越來越受到人們的重視。ABS系統(tǒng)通過電磁閥和回油泵來完成對...
  • 關鍵字： 驅動電路  ABSTLE6210  MOSFET  

兩種常見的MOSFET驅動電路設計

  • 由分立器件組成的驅動電路((如圖所示)，驅動電路工作原理如下：　　A.當HS為高電平時，Q7、Q4導通，Q6關閉，電容C4上的電壓(約14V)經過Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導通。在導通期間，Q5的源極電壓(Phase)接近電源電
  • 關鍵字： 電路設計  驅動  MOSFET  常見  

安森美半導體持續(xù)擴充下一代計算產品平臺方案

  • Sept. 21, 2011 – 應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續(xù)為簡化及加快計算平臺設計而擴充其產品系列。
  • 關鍵字： 安森美  半導體  MOSFET  

Power Integrations推出HiperLCS系列高壓LLC電源IC

  • 美國加利福尼亞州圣何塞，2011年9月14日訊 – 用于高能效功率轉換的高壓集成電路業(yè)界的領導者Power Integrations公司（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新的HiperLCS系列高壓LLC電源IC，新器件將控制器、高壓端和低壓端驅動器以及兩個MOSFET同時集成到了一個低成本封裝中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的設計靈活性，既可提升效率（最高效率可超過97%），又可縮小尺寸，即利用高頻工作（最高達750 kHz）來減小變壓器的尺寸和輸出電容的占板面積。
  • 關鍵字： Power Integrations  MOSFET  HiperLCS器件  

電動自行車控制器MOSFET驅動電路的設計

  • 電動自行車具有環(huán)保節(jié)能，價格合適，無噪聲，便利等特點，因此，電動自行車成為當今社會人們主要的代步工具。與此同時，消費者和商家對整車的質量及可靠性要求也越來越高。作為整車四大件之一的控制器的可靠性顯得尤
  • 關鍵字： 電路  設計  驅動  MOSFET  自行車  控制器  電動  

節(jié)省汽車燃料的有效途徑：“啟動/停止”系統(tǒng)

  • 許多汽車制造商設計了一種節(jié)省汽車燃料的巧妙方法，就是運用了被稱為“啟動/停止”系統(tǒng)的新概念。該系統(tǒng)...
  • 關鍵字： MOSFET  引擎  離合器  

集成MOSFET驅動器的全橋移相控制器-LM5046

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
    關鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個PIN腳功能

    1 LM
  • 關鍵字： 控制器  -LM5046  全橋移  驅動器  MOSFET  集成  

低VCEsat雙極結晶體管和MOSFET的比較

  • 新型低VCEsat BJT技術為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設計人員設計出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產品?！　”銛y式產品(如手機、數(shù)碼照相機、
  • 關鍵字： 比較  MOSFET  晶體管  雙極結  VCEsat  

高精度MOSFET設計技巧

  • 隨著個人計算機行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設計工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的
  • 關鍵字： MOSFET  高精度  設計技巧    

IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

  • 全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝，電壓范圍從 40V 至 200V。標準和邏輯電平柵級驅動 MOSFET 都為 IR 車用塑料封裝 MOSFET 產品系列設定了導通電阻性能新標準?；鶞蕦娮柙?40V 下最大為 1.25 毫歐，60V 下最大為2.1 毫歐，75V 下為 2.6 毫歐，100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達 240A。
  • 關鍵字： IR  MOSFET  

新日本無線推出有30V耐圧、4A輸出的半橋驅動器

  • 為了減輕對環(huán)境的影響，最新的電子設備急需高效率化，并且對其中配備的電機、LED等功率器件的控制也逐漸形成用微處理器/DSP等來控制的趨勢（軟件控制）。因此，電子設計工程師除了需要微處理器/DSP的知識之外，關于功率器件的驅動知識也是必不可少。
  • 關鍵字： 新日本無線  MOSFET  驅動器NJW4800  

IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

  • 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制，以及內燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺上的其它重載應用。
  • 關鍵字： IR  MOSFET  
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碳化硅 mosfet介紹

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