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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

碳化硅6吋基板供過于求 價(jià)格崩盤

  • 碳化硅（SiC）6吋基板新產(chǎn)能大量開出，嚴(yán)重供過于求，報(bào)價(jià)幾乎季季跳水，2024年年中每片低于500美元（約中國大陸制造成本價(jià)），第四季價(jià)格已有喊到450、400美元（9月400～600美元），甚至更低。產(chǎn)業(yè)人士指出，價(jià)格崩盤已讓絕大多數(shù)業(yè)者陷入賠錢銷售，而買家不敢輕易出手撿便宜，因?yàn)橘I方預(yù)期SiC價(jià)格還會再下降。而明日之星的8吋SiC基板，雖未到真正量產(chǎn)，但2024年報(bào)價(jià)已快速下滑，尤其是中國大陸價(jià)格直落，彷佛坐上溜滑梯，下修速度甚快。業(yè)者分析，8吋SiC基板并沒有標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格，供應(yīng)鏈端仍屬于試產(chǎn)階段，供給
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聚焦碳化硅項(xiàng)目，鉅芯半導(dǎo)體等三方達(dá)成合作

  • 據(jù)“融中心”消息，大連市中韓經(jīng)濟(jì)文化交流協(xié)會、韓中文化協(xié)會及安徽鉅芯半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱：鉅芯半導(dǎo)體）在安徽省池州市舉行了一場簽約儀式。此次簽約標(biāo)志著三方在碳化硅領(lǐng)域的合作正式開始。據(jù)悉，三方本次合作的核心內(nèi)容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車空調(diào)關(guān)鍵零部件的生產(chǎn)展開，將共同打造高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)品生產(chǎn)線。據(jù)了解，今年以來，部分韓國半導(dǎo)體廠商正在持續(xù)發(fā)力碳化硅產(chǎn)業(yè)，并不斷取得新進(jìn)展。據(jù)韓媒ETnews報(bào)道，今年3月26日，半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司Power Cube Semi宣布，已在韓國首次成功開發(fā)出2
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高功率SiC模塊助力實(shí)現(xiàn)可持續(xù)軌道交通

  • 國際能源署（IEA）今年發(fā)布的報(bào)告稱，2023年全球與能源相關(guān)的二氧化碳排放量達(dá)到374億噸，較2022年增加4.1億噸，再創(chuàng)新的記錄。其中，交通運(yùn)輸排放增長最為顯著，激增近2.4億噸，位居第一。軌道交通的溫室氣體排放約為航空出行的五分之一，對于由可再生能源發(fā)電驅(qū)動的電氣化列車，這一比率則更低。因此，擴(kuò)建軌道交通基礎(chǔ)設(shè)施及電氣化改造是減少CO2排放和實(shí)現(xiàn)氣候目標(biāo)的關(guān)鍵。與電動汽車不同的是，電力機(jī)車已被廣泛使用了一百多年。然而，全球范圍內(nèi)的軌道交通電氣化轉(zhuǎn)型仍然方興未艾，不同國家和地區(qū)的軌道交通電氣化率存在
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意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問世！為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制

  • 意法半導(dǎo)體（簡稱ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時(shí)，意法半導(dǎo)體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計(jì)劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導(dǎo)體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術(shù)，推動電動汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
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劍指8英寸碳化硅！兩大廠官宣合作

  • 9月24日，Resonac（原昭和電工）在官網(wǎng)宣布，其與Soitec簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，雙方將共同開發(fā)用于功率半導(dǎo)體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開發(fā)中，Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶，Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術(shù)加速碳化硅8英寸轉(zhuǎn)型據(jù)悉，Soitec擁有一種獨(dú)有的SmartSiC?技術(shù)，該技術(shù)通過處理高質(zhì)量的碳化硅單晶襯底，將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底，然后將單晶襯底分割成薄膜，從而從一個(gè)碳化硅單晶襯底生產(chǎn)出多個(gè)高質(zhì)量的碳化硅晶圓，由此顯著提
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【測試案例分享】 如何評估熱載流子引導(dǎo)的MOSFET衰退

  • 隨著MOSFET柵極長度的減小，熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問題之一。在熱載流子效應(yīng)中，載流子被通道電場加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會引起測量器件參數(shù)的時(shí)間相關(guān)位移，例如閾值電壓?(VTH)、跨導(dǎo) (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時(shí)間的推移，可能會發(fā)生實(shí)質(zhì)性的器件參數(shù)退化，從而導(dǎo)致器件失效。用于測量HCI的儀器必須提供以下三個(gè)關(guān)鍵功能：自動提取設(shè)備參數(shù)創(chuàng)建具有各種應(yīng)力時(shí)間的應(yīng)力測量序列輕松導(dǎo)出測量數(shù)據(jù)進(jìn)行高級分析本文說明描述了如何在Kei
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美印宣布將在印度建立半導(dǎo)體工廠，生產(chǎn)氮化鎵、碳化硅等芯片

  • 美國和印度達(dá)成協(xié)議，將共同在印度建立一家半導(dǎo)體制造廠，助力印度總理莫迪加強(qiáng)該國制造業(yè)的雄心計(jì)劃。據(jù)白宮消息人士稱，擬建的工廠將生產(chǎn)紅外、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體，這是美國總統(tǒng)拜登和莫迪在特拉華州會晤后發(fā)布的。消息人士稱，該工廠的建立將得到印度半導(dǎo)體計(jì)劃（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊(duì)之間的戰(zhàn)略技術(shù)伙伴關(guān)系的支持。印度在亞洲的戰(zhàn)略地緣政治地位為該國及其在技術(shù)領(lǐng)域所能提供的機(jī)會提供了新的關(guān)注點(diǎn)。在過去十年中，莫迪曾多次表示，他將把印度定位為中國的替代品，并
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Littelfuse推出高頻應(yīng)用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動器

  • 芝加哥，2024年9月19日--Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司榮幸地宣布推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動器。這些柵極驅(qū)動器專為驅(qū)動MOSFET而設(shè)計(jì)，通過增加其余兩個(gè)邏輯輸入版本完善了現(xiàn)有的IX434x驅(qū)動器系列。IX434x系列現(xiàn)在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本，為客戶提供了全面的選擇。IX4341和IX4342驅(qū)動器具有16納秒的短傳播延遲時(shí)間和7納秒的短暫
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EPC Power 攜手 Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級儲能方案

  • 幾十年來，電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費(fèi)者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開關(guān)，便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而，隨著太陽能和風(fēng)能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長，現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應(yīng)對新的挑戰(zhàn)（包括整合儲能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應(yīng)充足。 EPC Power 作為一家提供尖端功率轉(zhuǎn)換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案，共同應(yīng)對儲能挑戰(zhàn)。此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強(qiáng)大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲能系統(tǒng)比以往任何時(shí)
  • 關(guān)鍵字： EPC Power  Wolfspeed  碳化硅  模塊化  電網(wǎng)級儲能  

EPC Power攜手Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級儲能方案

  • 幾十年來，電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費(fèi)者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開關(guān)，便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而，隨著太陽能和風(fēng)能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長，現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應(yīng)對新的挑戰(zhàn)（包括整合儲能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應(yīng)充足。EPC Power 作為一家提供尖端功率轉(zhuǎn)換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案，共同應(yīng)對儲能挑戰(zhàn)。此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強(qiáng)大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲能系統(tǒng)比以往任何時(shí)候
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8英寸碳化硅時(shí)代呼嘯而來！

  • 近日，我國在8英寸碳化硅領(lǐng)域多番突破，中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級，三義激光首批碳化硅激光設(shè)備正式交付，天岳先進(jìn)8英寸碳化硅襯底批量銷售，上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時(shí)代已呼嘯而來，未來將會有更多廠商帶來新的產(chǎn)品和技術(shù)，我們拭目以待。關(guān)鍵突破！中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級近日，中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)再獲突破。圖片來源：中國電科據(jù)中國電科官方消息，碳化硅外延爐是第三代半導(dǎo)體碳化硅器件制造的核心裝備之一。此次“全新升級”的8英寸碳化硅外延
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高壓柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析，一文get√

  • 高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動集成電路（HVIC）是專為半橋開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的高邊和低邊柵極驅(qū)動集成電路，驅(qū)動高壓、高速M(fèi)OSFET 而設(shè)計(jì)?！陡邏簴艠O驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態(tài)功率損耗分析、動態(tài)功率損耗分析、柵極驅(qū)動損耗分析等方面進(jìn)行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內(nèi)部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護(hù)、電平轉(zhuǎn)換器和輸出驅(qū)動級。柵極驅(qū)動器損耗
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  IGBT  柵極驅(qū)動器  功率耗散  

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

  • 9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報(bào)道稱國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現(xiàn)我國在該領(lǐng)域的首次突破。項(xiàng)目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)，目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  mosfet  第三代半導(dǎo)體  寬禁帶  

國家隊(duì)加持，芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破

  • 據(jù)南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí)4年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領(lǐng)域的首次突破。公開資料顯示，碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)。目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點(diǎn)是當(dāng)電流被
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羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應(yīng)用于吉利集團(tuán)電動汽車品牌“極氪”3種主力車型

  • 8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項(xiàng)亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項(xiàng)冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項(xiàng)公開賽新聞發(fā)布會成功召開。發(fā)布會上，賽事組委會發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開賽標(biāo)志、賽事獎(jiǎng)牌等相關(guān)內(nèi)容。武漢市體育局黨組成員、副局長洪旭艷，江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長梁爽出席此次發(fā)布會；武漢市社會體育指導(dǎo)中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息；江夏區(qū)文化和旅游局（體育局）局長繆璐進(jìn)行江夏區(qū)文旅推介，向社會各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
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碳化硅 mosfet介紹

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