碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應(yīng)用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊

奈梅亨，2023年11月6日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國際著名的先進(jìn)電子器件供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW至11 kW功率堆棧設(shè)計(jì)的高頻電源應(yīng)用，以滿足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應(yīng)用的需要。此次發(fā)布將進(jìn)一步加深雙方長期以來保持的緊密合作關(guān)系。制造商對(duì)下一代功率應(yīng)用的關(guān)鍵需求是節(jié)省空間和減輕
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司于2018年成立，旗下子公司先科電子于1991年就開始專注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)及銷售，在半導(dǎo)體行業(yè)闖蕩了32年。作為一家成熟的半導(dǎo)體企業(yè)，先之科擁有占地60畝的生產(chǎn)基地，超過1400名員工，保證了其1.8億只的日產(chǎn)能，讓其旗下產(chǎn)品可以出現(xiàn)在任何需要它們的地方。今天展會(huì)之上，先之科為我們帶來了豐富的產(chǎn)品，包括各類二極管、整流管、保護(hù)器件、三極管以及MOSFET，橫跨汽車電子、光學(xué)逆變器和通信電源等領(lǐng)域。而本次所展出的AD-SiC MOSFET令人印象深刻，其采用了分立式封裝，
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&應(yīng)能微電子（深圳）有限公司

應(yīng)能微電子股份有限公司是一家致力于接口保護(hù)器件、功率和模擬集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)、制造和銷售的半導(dǎo)體技術(shù)公司。應(yīng)能成立于2012年，其核心團(tuán)隊(duì)來自美國硅谷，全產(chǎn)品線皆為自研產(chǎn)品，目前已有500多款產(chǎn)品，90%已上為量產(chǎn)狀態(tài)。應(yīng)能微的半導(dǎo)體芯片應(yīng)用市場(chǎng)包括快速增長的消費(fèi)電子 (智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、平板電腦、高清電視、機(jī)頂盒等) ，并在通訊、安防、工業(yè)和汽車上均有廣泛的應(yīng)用。應(yīng)能微銷售總監(jiān)曾總表示，其高性能瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 產(chǎn)品系列在漏電、電容和鉗位電壓等關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)出色，硅基MOSFET產(chǎn)品
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東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線

11月2日消息，據(jù)“智新科技”官微消息，近日，首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線，完成自主封裝、測(cè)試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達(dá)175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車?yán)m(xù)航里程提升5%-8%。據(jù)悉，智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺(tái)，項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開發(fā)，2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)
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滿足市場(chǎng)對(duì)下一代碳化硅器件的需求

一些新出現(xiàn)的應(yīng)用使地球的未來充滿了激動(dòng)人心的可能性，但同時(shí)也是人類所面臨的最大技術(shù)挑戰(zhàn)之一。例如，雖然太陽能可以提供無限的能源，但要想成功商業(yè)化，設(shè)計(jì)人員必須提供更高的功率和效率，同時(shí)不增加成本或尺寸。在汽車領(lǐng)域，目前電動(dòng)汽車 (EV) 已經(jīng)非常普及，但由于人們擔(dān)心可用充電基礎(chǔ)設(shè)施、充電所需時(shí)間和續(xù)航里程有限等問題，電動(dòng)汽車的普及仍然受到了限制。在這種情況下，設(shè)計(jì)人員面臨的挑戰(zhàn)包括如何提高電氣效率、優(yōu)化動(dòng)力總成的尺寸和重量，包括主驅(qū)逆變器和車載充電器 (OBC) 等元件，并不斷降低成本。碳化硅器件的優(yōu)勢(shì)硅
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通過碳化硅(SiC)增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)

電池可以用來儲(chǔ)存太陽能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開關(guān)的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢(shì)最常用的儲(chǔ)能方法有四種，分別是電化學(xué)儲(chǔ)能、化學(xué)儲(chǔ)能、熱儲(chǔ)能和機(jī)械儲(chǔ)能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)。此外，鋰離子電池技術(shù)成熟，因
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中芯集成正式設(shè)立碳化硅公司，上汽/立訊精密/寧德時(shí)代等現(xiàn)身股東榜

10月25日，中芯集成發(fā)布公告稱，新設(shè)立合資公司芯聯(lián)動(dòng)力科技（紹興）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯聯(lián)動(dòng)力”）已完成了工商注冊(cè)登記手續(xù)，并取得紹興市越城區(qū)市場(chǎng)監(jiān)督管理局核發(fā)的《營業(yè)執(zhí)照》。根據(jù)中芯集成公告，芯聯(lián)動(dòng)力將運(yùn)營碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)項(xiàng)目，注冊(cè)資本人民幣5億元，中芯集成使用自有資金出資人民幣2.55億元，占注冊(cè)資本總額51.00%?；诤腺Y公司的股權(quán)結(jié)構(gòu)，合資公司將被納入公司合并報(bào)表范圍，系公司控股子公司。從投資股東上看，芯聯(lián)動(dòng)力創(chuàng)始股東包括中芯集成、芯聯(lián)合伙和博原資本、立訊精密家族辦公室立翎基金、上汽集團(tuán)旗
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安森美韓國碳化硅工廠擴(kuò)建完工年產(chǎn)能將超百萬片

安森美位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片200mm SiC晶圓。10月25日消息，安森美發(fā)布消息稱，其位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅（SiC）超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工，目標(biāo)明年完成設(shè)備安裝，到2025年該廠SiC半導(dǎo)體產(chǎn)量預(yù)計(jì)將增至每年100萬顆。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓，在2025年完成200mm SiC工藝驗(yàn)證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)200mm晶圓。為了支持SiC產(chǎn)能的提升，安森美計(jì)劃在未來三年內(nèi)雇傭多達(dá)1000名當(dāng)?shù)貑T工來填補(bǔ)大部分高
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安森美韓國富川碳化硅工廠擴(kuò)建正式落成

10月24日，安森美宣布其位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅(SiC)超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí)，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片200mmSiC晶圓。據(jù)介紹，新的150mm/200mmSiC先進(jìn)生產(chǎn)線及高科技公用設(shè)施建筑和鄰近停車場(chǎng)于2022年中期開始建設(shè)，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠的擴(kuò)建，體現(xiàn)了安森美致力于在棕地（既有地點(diǎn)）建立垂直整合碳化硅制造供應(yīng)鏈的戰(zhàn)略。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓開始，在2025年完成200mmSiC工藝驗(yàn)
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2024年中國碳化硅晶圓產(chǎn)能，或超全球總產(chǎn)能的50%

2023 年，中國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長領(lǐng)域，中國尤其獲得國際 IDM 的認(rèn)可，導(dǎo)致產(chǎn)量大幅增長。此前中國碳化硅材料僅占全球約 5% 的產(chǎn)能，然而業(yè)界樂觀預(yù)計(jì)，2024 年中國碳化硅晶圓在全球的占比有望達(dá)到 50%。天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能，目前這些中國企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為 6 萬片。隨著各公司產(chǎn)能釋放，預(yù)計(jì) 2024 年月產(chǎn)能將達(dá)到 12 萬片，年產(chǎn)能 150 萬。根據(jù)行業(yè)消息和市調(diào)機(jī)構(gòu)的統(tǒng)計(jì)，此前天岳先進(jìn)、天科合達(dá)合計(jì)占據(jù)全球
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瑞能半導(dǎo)體CEO:碳化硅驅(qū)動(dòng)新能源汽車邁入“加速時(shí)代”

日前，瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重舉行的2023中國國際半導(dǎo)體高管峰會(huì)（ISES，原CISES）。作為半導(dǎo)體原廠和設(shè)備制造商云集的平臺(tái)，ISES專注于高層管理，來自世界各地的半導(dǎo)體領(lǐng)域高管和領(lǐng)袖受邀聚集于此，旨在探討行業(yè)的未來趨勢(shì)和挑戰(zhàn)，分享他們?nèi)绾卧谘杆賱?chuàng)新和變化的行業(yè)中推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步。ISES通過推動(dòng)整個(gè)微電子供應(yīng)鏈的創(chuàng)新、商業(yè)和投資機(jī)會(huì)，為半導(dǎo)體制造業(yè)賦能，促進(jìn)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在峰會(huì)以“寬禁帶功率半導(dǎo)體在汽車應(yīng)用中的機(jī)遇”為主題的單元中，Markus Mose
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2024年全球超過一半的SiC晶圓可能來自中國

2023年，中國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長領(lǐng)域，尤其得到國際IDM廠商的認(rèn)可，中國廠商產(chǎn)能大幅提升。此前，來自中國的SiC材料僅占全球市場(chǎng)的5%。然而，到2024年，預(yù)計(jì)將搶占可觀的市場(chǎng)份額。該領(lǐng)域的主要中國公司，包括SICC、TankeBlue和三安，幾乎都將產(chǎn)能擴(kuò)大了千倍。我國大約有四到五家從事SiC晶體生長的龍頭企業(yè)，為測(cè)算我國SiC晶體生長產(chǎn)能提供了依據(jù)。目前，他們的月產(chǎn)能合計(jì)約為60,000單位。隨著各公司積極增產(chǎn)，預(yù)計(jì)到2024年月產(chǎn)能將達(dá)到12萬單位
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)

本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、開啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動(dòng)器IC和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦
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詳解大功率電源中MOSFET功耗的計(jì)算

功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對(duì)于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個(gè)30A單相的分布計(jì)算示例，詳細(xì)說明了上述概念。也許，今天的便攜式電源設(shè)計(jì)者所面臨的最嚴(yán)峻挑戰(zhàn)就是為當(dāng)今的高性能CPU提供電源。CPU的電源電流最近每兩年就翻一番。事實(shí)上，今天的便攜式核電源電流需求會(huì)高達(dá)60A或更多，電壓介于0.9V和1.75V之間。但是，盡管電流需求在穩(wěn)步增
關(guān)鍵字： MOSFET 開關(guān)電源

SiC主驅(qū)逆變器讓電動(dòng)汽車延長5%里程的秘訣

不斷增長的消費(fèi)需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識(shí)/環(huán)境法規(guī)約束，以及越來越豐富的可選方案，都在推動(dòng)著人們選用電動(dòng)汽車 (EV)，令電動(dòng)汽車日益普及。高盛近期的一項(xiàng)研究顯示，到 2023 年，電動(dòng)汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%；到 2030 年，預(yù)計(jì)將增長至 30%；到 2035 年，電動(dòng)汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔(dān)心充一次電后行駛里程不夠長，則是影響電動(dòng)汽車普及的主要障礙之一?？朔@一問題的關(guān)鍵是在不顯著增加成本的情況下延長車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化
關(guān)鍵字：電動(dòng)汽車逆變器 SiC MOSFET