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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

NMOS和PMOS詳解

  • 一、簡介MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
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通用智能SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶

  • 據(jù)通用智能官微消息，日前，通用智能裝備有限公司SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶。目前，SiC晶錠主要通過砂漿線/金剛石線切割，效率低和損耗高。據(jù)悉，通用智能采用激光隱切技術(shù)完成SiC晶錠分割工藝過程，并成功實現(xiàn)8寸碳化硅晶錠剝離設(shè)備的量產(chǎn)。
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8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目順利通過中期驗收

  • 據(jù)科友半導(dǎo)體官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項目階段驗收評審會召開。會上，以黑龍江省科學(xué)院原院長郭春景研究員為組長的評審專家組認(rèn)為，科友半導(dǎo)體圓滿完成了計劃任務(wù)書2023年度階段任務(wù)，成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長的新技術(shù)和新工藝，建立了碳化硅襯底生產(chǎn)的工藝流程，制定了相關(guān)工藝流程的作業(yè)指導(dǎo)書，一致同意項目通過階段驗收評審。據(jù)了解，8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目是2021年哈爾濱市科技專項計劃項目，由哈爾濱科友半導(dǎo)體承擔(dān)，旨在推動8英寸碳化硅裝備國
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碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用

  • 三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構(gòu)為四個功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負(fù)載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個信號產(chǎn)生源，一個是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個為正弦波發(fā)生器，利用三角波對正弦波進(jìn)行調(diào)制，就會得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列，調(diào)制比不同，一個正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言 三相逆變是指轉(zhuǎn)換出的交流電壓為三相，
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ROHM開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

  • ～產(chǎn)品陣容新增具有低噪聲、高速開關(guān)和超短反向恢復(fù)時間特點(diǎn)的5款新產(chǎn)品～全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4?/ R6003KND4?/ R6006KND4?/ R6002JND4?/ R6003JND4”，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機(jī)等應(yīng)用。?近年來，隨著照明用的小型電源
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英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

  • 數(shù)據(jù)中心和計算應(yīng)用對電源的需求日益增長，需要提高電源的效率并設(shè)計緊湊的電源。英飛凌科技股份公司順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率。該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標(biāo)準(zhǔn)門級和門級居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇；此外，該產(chǎn)品組合還包含穩(wěn)定可靠的超小型的PQFN
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意法半導(dǎo)體將斥資50億歐元在意大利新建SiC晶圓廠

  • 12月1日消息，近日，據(jù)外媒報道，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）將于意大利西西里島Catane投資50億歐元，新建一座碳化硅、超級半導(dǎo)體晶圓廠。該晶圓廠將專門生產(chǎn)碳化硅芯片，為電動車關(guān)鍵技術(shù)并具強(qiáng)大成長潛力。報道稱，此舉是意法半導(dǎo)體繼與格芯在法國東南部Crolles的75億歐元晶圓廠計劃后為平衡集團(tuán)在意法兩國布屬所為。值得一提的是，今年6月，意法半導(dǎo)體宣布將與三安光電在中國重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè)，預(yù)計2025年第四季度投產(chǎn)，預(yù)計到2030年碳化硅收入將超過50億美元。
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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)

  • 奈梅亨，2023年11月30日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動
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英飛凌已開始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片

  • 11月28日消息，據(jù)外媒報道，日前，英飛凌綠色工業(yè)動力部門（GIP）總裁Peter Wawer在受訪時透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機(jī)械樣品，很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品，并將在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用。在產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過大幅擴(kuò)建其Kulim工廠（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，信息稱，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC（碳化硅）功率工廠。值得一提的是該計劃
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Omdia：人工智能將在電動汽車革命中超越下一代半導(dǎo)體

  • 倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預(yù)測電動汽車 (EV) 革命將引發(fā)新型半導(dǎo)體激增，電力半導(dǎo)體行業(yè)的幾十年舊規(guī)范正面臨挑戰(zhàn)。人工智能熱潮是否會產(chǎn)生類似的影響？功率分立器件、模塊和IC預(yù)測Omdia半導(dǎo)體元件高級分析師卡勒姆·米德爾頓表示：“長期以來依賴硅技術(shù)的行業(yè)正受到新材料制造的設(shè)備的挑戰(zhàn)和推動。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開發(fā)始于上個世紀(jì)，但它們的技術(shù)成熟度與可持續(xù)發(fā)展運(yùn)動相匹配，新材料制造的設(shè)備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升?！?018 年，特斯拉首次
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Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

  • Nexperia近日宣布與三菱電機(jī)公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長的需求。三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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氮化鎵取代碳化硅，從PI開始？

  • 在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細(xì)解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)劣，以及PI對于三種產(chǎn)品未來的判斷，同時還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點(diǎn)及優(yōu)勢。在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
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了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻

  • 分立 MOSFET 數(shù)據(jù)表中重要的規(guī)格之一是漏源通態(tài)電阻，縮寫為 R DS (on)。這個 R DS (on)想法看起來非常簡單：當(dāng) FET 處于截止?fàn)顟B(tài)時，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設(shè)電流為零。當(dāng) FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過閾值電壓 (V TH ) 時，它處于“導(dǎo)通狀態(tài)”，漏極和源極通過電阻等于 R DS(on) 的溝道連接。然而，如果您熟悉 MOSFET 的實際電氣行為，您應(yīng)該很容易認(rèn)識到該模型與事實不符。首先，F(xiàn)ET 并不真正具有“導(dǎo)通狀態(tài)”。當(dāng)未處于截止?fàn)顟B(tài)時（我們在此
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東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)

  • 中國上海，2023年11月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。   截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線重點(diǎn)聚焦于12V產(chǎn)品，主要用于智能手機(jī)鋰離子電池組的保護(hù)。30V產(chǎn)品的發(fā)布為電壓高于12V的應(yīng)用提供了更廣泛的選擇，如USB充電設(shè)備電源線路的負(fù)載開關(guān)以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護(hù)。&nbs
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碳化硅 mosfet介紹

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