碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

意法半導(dǎo)體隔離柵極驅(qū)動(dòng)器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應(yīng)用伴侶

意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。這些驅(qū)動(dòng)器具有集成的高壓半橋、單個(gè)和多個(gè)低壓柵極驅(qū)動(dòng)器，非常適合各種應(yīng)用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅(qū)動(dòng)器作為優(yōu)選解決方案，在輸入部分和被驅(qū)動(dòng)的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無(wú)縫集成和優(yōu)質(zhì)性能。選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳功率轉(zhuǎn)換效率非常重要。隨著SiC技術(shù)得到廣泛采用，對(duì)可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時(shí)候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅(qū)
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通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)

晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí)，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見(jiàn)的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān)，它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān)，晶體管類(lèi)似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇?lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開(kāi)，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
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全面升級(jí)！安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析

安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開(kāi)關(guān)。M3S 系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，如太陽(yáng)能逆變器、ESS、UPS 和電動(dòng)汽車(chē)充電樁等。幫助開(kāi)發(fā)者提高開(kāi)關(guān)頻率和系統(tǒng)效率。本應(yīng)用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實(shí)用設(shè)計(jì)技巧。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
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小米首款汽車(chē)發(fā)售，碳化硅加速前行

3月28日，小米公司正式發(fā)布了小米SU7，一共有三款配置，分別是小米SU7 標(biāo)準(zhǔn)版，售價(jià)21.59萬(wàn)元；小米SU7 Pro版，售價(jià)24.59萬(wàn)元；小米SU7 Max版，售價(jià)29.99萬(wàn)元。圖片來(lái)源：小米公司2021年3月，小米創(chuàng)始人雷軍正式宣告小米造車(chē)。近三年時(shí)間過(guò)去，小米SU7正式發(fā)布，其相關(guān)供應(yīng)商也浮出水面，既有包括高通、英偉達(dá)、博世等國(guó)際供應(yīng)商，也包含了比亞迪、寧德時(shí)代、揚(yáng)杰科技等本土供應(yīng)鏈廠商。芯片領(lǐng)域，英偉達(dá)為小米汽車(chē)提供自動(dòng)駕駛芯片，小米SU7搭載了英偉達(dá)兩顆NVIDIA DRIVE Orin
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華泰證券：先進(jìn)封裝、碳化硅出海及元宇宙顯示的發(fā)展機(jī)會(huì)

華泰證券發(fā)布研報(bào)稱(chēng)，在3月20日-3月22日開(kāi)展的2024 SEMICON China(上海國(guó)際半導(dǎo)體展覽會(huì))上，華泰證券與數(shù)十家國(guó)內(nèi)外頭部半導(dǎo)體企業(yè)交流，并參加相關(guān)行業(yè)論壇，歸納出以下趨勢(shì)：1)前道設(shè)備：下游需求旺盛，國(guó)產(chǎn)廠商持續(xù)推出新品，完善工藝覆蓋度；2)后道設(shè)備：AI拉動(dòng)先進(jìn)封裝需求，測(cè)試機(jī)國(guó)產(chǎn)化提速；3)SiC：2024或是襯底大規(guī)模出海與國(guó)產(chǎn)8寸元年；4)元宇宙和微顯示：硅基OLED有望成為VR設(shè)備主流顯示方案，AI大模型出現(xiàn)可能推動(dòng)智慧眼鏡等輕量級(jí)AR終端快速增長(zhǎng)?！　∪A泰證券主要觀點(diǎn)如下：
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意法半導(dǎo)體碳化硅數(shù)位電源解決方案被肯微科技采用用于高效率可靠的服務(wù)器電源供應(yīng)器設(shè)計(jì)及應(yīng)用

服務(wù)橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）近日宣布與高效能電源供應(yīng)領(lǐng)導(dǎo)廠商肯微科技合作，設(shè)計(jì)及研發(fā)使用ST被業(yè)界認(rèn)可的碳化硅（SiC）、電氣隔離和微控制器的服務(wù)器電源參考設(shè)計(jì)技術(shù)。該參考方案是電源設(shè)計(jì)數(shù)位電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的理想選擇，尤其在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心和通信電源的領(lǐng)域。隨著人工智能（AI）、5G和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的推波助瀾下，對(duì)數(shù)位服務(wù)的需求持續(xù)成長(zhǎng)，能源及用電控制是數(shù)據(jù)中心永續(xù)發(fā)展需面對(duì)的重要課題。STDES-3KWTLCP參考設(shè)計(jì)適用于3k
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廠商“瘋狂”發(fā)力碳化硅

3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據(jù)其介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計(jì)將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示，工廠已開(kāi)始安裝長(zhǎng)晶設(shè)備，預(yù)估今年12月份或者明年1月，這座工廠將會(huì)有產(chǎn)出。該工廠將主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圓，尺寸是150mm（6英寸）晶圓的1.7倍，滿足對(duì)于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求
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總投資50億美元，Wolfspeed全球最大碳化硅工廠封頂

據(jù)Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者Wolfspeed在位于美國(guó)北卡羅來(lái)納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)悉，John Palmour 碳化硅制造中心總投資50億美元，占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計(jì)將于2024年底竣工。該制造中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿足對(duì)于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求。產(chǎn)能的爬坡將為近期簽訂的客戶協(xié)議（瑞薩、英飛凌、以及其他企業(yè)等）提供支持，推動(dòng)具有重要
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Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠封頂

2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美國(guó)北卡羅來(lái)納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)官方介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，獲得了來(lái)自公共部門(mén)和私營(yíng)機(jī)構(gòu)的支持，將助力從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，提升對(duì)于能源轉(zhuǎn)型至關(guān)重要的材料的供應(yīng)。該中心占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計(jì)將于2024年底竣工，該中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿足對(duì)于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的
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Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程封頂

3月28日消息，當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解，該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠已有一些長(zhǎng)晶爐設(shè)備進(jìn)場(chǎng)，預(yù)計(jì)2024年底將完成一期工程建設(shè)，2025年上半年開(kāi)始生產(chǎn)，預(yù)計(jì)竣工達(dá)產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴(kuò)大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協(xié)議，查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
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近年來(lái)對(duì)碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增

隨著近年來(lái)對(duì)碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，市場(chǎng)研究公司TrendForce表示，對(duì)于SiC的成本降低呼聲越來(lái)越高，因?yàn)樽罱K產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個(gè)成本結(jié)構(gòu)的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢(shì)，大尺寸襯底逐漸開(kāi)始被采用，市場(chǎng)對(duì)其寄予了很高的期望。中國(guó)SiC襯底制造商天科藍(lán)半導(dǎo)體計(jì)算，從4英寸升級(jí)到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級(jí)到8英寸可以再次降低35%。與此同時(shí)，8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片，從而減少邊緣浪
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SEMICON2024收官，第三代半導(dǎo)體賽道競(jìng)爭(zhēng)激烈！

3月20日，春分時(shí)期，萬(wàn)物復(fù)蘇，SEMICON China 2024在上海新國(guó)際博覽中心拉開(kāi)了序幕?，F(xiàn)場(chǎng)一片繁忙熱鬧，據(jù)悉本次展會(huì)面積達(dá)90000平方米，共有1100家展商、4500個(gè)展位和20多場(chǎng)會(huì)議及活動(dòng)涉及了IC制造、功率及化合物半導(dǎo)體、先進(jìn)材料、芯車(chē)會(huì)等多個(gè)專(zhuān)區(qū)。本次展會(huì)中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來(lái)了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等企業(yè)，設(shè)備端則如晶盛機(jī)電、中微公司
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英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率樹(shù)立行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車(chē)、微型電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)叉車(chē)等應(yīng)用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開(kāi)關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開(kāi)關(guān)應(yīng)用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200
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英飛凌推出OptiMOS? 6200V MOSFET

英飛凌科技股份公司近日出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車(chē)、微型電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)叉車(chē)等應(yīng)用提供出色的性能。新MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開(kāi)關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開(kāi)關(guān)應(yīng)用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)
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功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？

在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。之前我們討論過(guò)功率MOSFET的雪崩效應(yīng)，今天，我們將繼續(xù)分享相關(guān)UIS (UIL)數(shù)據(jù)表的額定值。除了Ipk vs tav圖之外，大多數(shù)功率MOSFET數(shù)據(jù)表還包含一個(gè)UIS能量額定值，通常列在最大值表中。這有點(diǎn)誤導(dǎo)，因?yàn)楹苊黠@ (E=0.5Vav*Ipk*tav) 功率 M
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