碳化硅 mosfet 文章進入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動器

Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時序，同時將開關(guān)損耗降至最低。內(nèi)部負電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負柵極驅(qū)動偏置，以實現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。該驅(qū)動器
關(guān)鍵字： SiC MOSFET IGBT 低側(cè)柵極驅(qū)動器

布局海外市場，兩家半導(dǎo)體企業(yè)開展合作

根據(jù)合肥安賽思半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱：安賽思）官方消息，5月18日，安賽思與新加坡三福半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱：三福半導(dǎo)體）簽署戰(zhàn)略合作備忘錄儀式暨安徽大學(xué)與三福半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室揭牌儀式正式舉行。據(jù)介紹，安賽思是一家致力于研發(fā)新一代半導(dǎo)體功率器件智能驅(qū)動技術(shù)及衍生產(chǎn)品的高新技術(shù)企業(yè)，目前已成功開發(fā)了IGBT和SiC智能驅(qū)動模塊以及工業(yè)電力電子變換器、電力電子繼電器等產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋電動汽車、智能制造、機電設(shè)備和航空航天等。三福半導(dǎo)體聚焦集成電路設(shè)計、制造和封裝測試，致力于先進技術(shù)研發(fā)、成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化
關(guān)鍵字：碳化硅化合物半導(dǎo)體

這家GaN外延工廠開業(yè)!

作為第三代半導(dǎo)體兩大代表材料，SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中，圍繞新品新技術(shù)、融資并購合作、項目建設(shè)等動作，不時有新動態(tài)披露。在關(guān)注度較高的擴產(chǎn)項目方面，上個月，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設(shè)。據(jù)悉，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產(chǎn)線。項目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。而在近日，又有一個GaN外延片項目取得新進展。5
關(guān)鍵字：碳化硅氮化鎵化合物半導(dǎo)體

欠電壓閉鎖的一種解釋

了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導(dǎo)體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險操作的影響。當(dāng)提到電源或電壓驅(qū)動要求時，我們經(jīng)常使用簡化，如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設(shè)備在一定電壓范圍內(nèi)工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導(dǎo)電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導(dǎo)性。當(dāng)VDD軌降至2.95V時，接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
關(guān)鍵字：欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC

安森美2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會即將啟動

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi)，將于5月至6月舉辦面向新能源和電動汽車應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會。該系列研討會將針對汽車電氣化和智能化以及工業(yè)市場可持續(xù)性能源發(fā)展的廣泛應(yīng)用場景，共同探討最新的能效設(shè)計挑戰(zhàn)，展示針對更多縱深應(yīng)用的SiC解決方案。安森美希望借此攜手中國的“碳”路先鋒們，加速先進功率半導(dǎo)體技術(shù)的落地，實現(xiàn)應(yīng)用系統(tǒng)的最佳能效。在中國，市場對SiC的需求強勁，應(yīng)用場景日益多樣化。新能源
關(guān)鍵字：安森美碳化硅功率解決方案

碳化硅智造升級浪潮信息存儲筑基廣東天域MES核心數(shù)據(jù)底座

隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，越來越多的企業(yè)開始探索如何將人工智能技術(shù)融入業(yè)務(wù)流程中，以提升質(zhì)量、降本增效。在高精尖制造業(yè)領(lǐng)域，人工智能、自動駕駛等新興產(chǎn)業(yè)對碳化硅材料的需求日益增多，大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，可帶動原材料與設(shè)備2000億級產(chǎn)業(yè)，加快我國向高端材料、高端設(shè)備制造業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展的步伐。廣東天域聯(lián)手浪潮信息，為MES關(guān)鍵業(yè)務(wù)打造穩(wěn)定、高效、智能的數(shù)據(jù)存儲底座，讓數(shù)字機臺、智能制造"有底有數(shù)"。廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司成立于2009年，是我國最早實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)
關(guān)鍵字：碳化硅浪潮信息 MES 核心數(shù)據(jù)底座

MOSFET開關(guān)損耗簡介

本文將通過解釋MOSFET功耗的重要來源來幫助您優(yōu)化開關(guān)模式調(diào)節(jié)器和驅(qū)動器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線性和開關(guān)。在線性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過溝道，但溝道電阻相對較高?？鐪系赖碾妷汉土鬟^溝道的電流都是顯著的，導(dǎo)致晶體管中的高功耗。在開關(guān)模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動，或者足夠高以使FET處于“完全增強”狀態(tài)，在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管就像一個閉合的開關(guān)：即使大電流流過通道，功耗也會很低或中等。隨著開關(guān)模式操作接近理想情況，功耗變得可
關(guān)鍵字： MOSFET 開關(guān)損耗

Power Integrations升級你的電池管理系統(tǒng)

電池組，無疑是電動汽車心臟般的存在，它不僅是車輛動力之源，更是決定車輛成本高低的關(guān)鍵因素。作為電動汽車中最昂貴的單個組件，電池組承載了車輛行駛所需的大部分能量，而其內(nèi)部的每一個電池單元都需要經(jīng)過精密的監(jiān)測和控制，以維持其長久且安全的使用壽命。電池管理系統(tǒng)（BMS），作為電池組的“大腦”，其任務(wù)繁重且關(guān)鍵。它要實時監(jiān)控每一個電池單元的健康狀況，確保它們的平衡與穩(wěn)定；還要負責(zé)操作電池組的加熱和冷卻系統(tǒng)，確保電池在各種環(huán)境條件下都能維持最佳的工作狀態(tài)；此外，BMS還需實時報告電池的充電狀態(tài)，以便駕駛員能夠準(zhǔn)確了
關(guān)鍵字： BMS 電動汽車碳化硅 Power Integrations

一文詳解電池充電器的反向電壓保護

處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負載之間連接一個二極管，但是由于二極管正向電壓的原因，這種做法會產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很簡潔，但是二極管在便攜式或備份應(yīng)用中是不起作用的，因為電池在充電時必須吸收電流，而在不充電時則須供應(yīng)電流。另一種方法是使用圖 1 所示的 MOSFET 電路之一。圖 1：傳統(tǒng)的負載側(cè)反向保護對于負載側(cè)電路而言，這種方法比使用二極管更好，因為電源 (電池) 電壓增強了 MOSFET，因而產(chǎn)生了更少的壓降和實質(zhì)上更高的電導(dǎo)。該電路的 NMOS 版本比 PM
關(guān)鍵字： MOSFET 電源電壓反轉(zhuǎn)

解析LLC諧振半橋變換器的失效模式

在功率轉(zhuǎn)換市場中，尤其對于通信/服務(wù)器電源應(yīng)用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為最具挑戰(zhàn)性的議題。對于功率密度的提高，最普遍方法就是提高開關(guān)頻率，以便降低無源器件的尺寸。零電壓開關(guān)(ZVS)拓撲因具有極低的開關(guān)損耗、較低的器件應(yīng)力而允許采用高開關(guān)頻率以及較小的外形，能夠以正弦方式對能量進行處理，開關(guān)器件可實現(xiàn)軟開閉，因此可以大大地降低開關(guān)損耗和噪聲。在這些拓撲中，移相ZVS全橋拓撲在中、高功率應(yīng)用中得到了廣泛采用，因為借助功率MOSFET的等效輸出電容和變壓器的漏感可以使所有的開關(guān)工作在ZVS狀態(tài)下
關(guān)鍵字： LLC MOSFET ZVS 變換器

談?wù)剮追N常用的MOSFET驅(qū)動電路

一、MOS管驅(qū)動簡述MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。在使用MOSFET設(shè)計開關(guān)電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設(shè)計方案。更細致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET，其驅(qū)動電路，驅(qū)動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關(guān)性能。當(dāng)電源IC與MOS管選定之
關(guān)鍵字： MOSFET

Microchip推出基于dsPIC? DSC的新型集成電機驅(qū)動器將控制器、柵極驅(qū)動器和通信整合到單個器件

為了在空間受限的應(yīng)用中實現(xiàn)高效、實時的嵌入式電機控制系統(tǒng)，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC?數(shù)字信號控制器（DSC）的新型集成電機驅(qū)動器系列。該系列器件在一個封裝中集成了dsPIC33 數(shù)字信號控制器（DSC）、一個三相MOSFET柵極驅(qū)動器和可選LIN 或 CAN FD 收發(fā)器。這種集成的一個顯著優(yōu)勢是減少電機控制系統(tǒng)設(shè)計的元件數(shù)量，縮小印刷電路板（PCB）尺寸，并降低復(fù)雜性。該系列器件的支持資源包括開發(fā)板、參考設(shè)計、應(yīng)用筆記和 Micr
關(guān)鍵字： dsPIC 數(shù)字信號控制器 MOSFET 電機控制

Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比

在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢，因此我們不難理解為何它已成為電動汽車（EV）、數(shù)據(jù)中心和太陽能/可再生能源等許多應(yīng)用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣
關(guān)鍵字： Qorvo SiC MOSFET

英飛凌為汽車應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7

英飛凌科技股份公司近日推出其最新先進功率MOSFET?技術(shù)——?OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的?48 V板網(wǎng)應(yīng)用。它專為滿足高要求汽車應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造，包括電動汽車的汽車直流-直流轉(zhuǎn)換器、48 V電機控制（例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS））、48 V電池開關(guān)以及電動
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET OptiMOS

P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用領(lǐng)域

Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加，P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應(yīng)用P溝道的簡易性使其對低壓變換器（<120 V）和非隔離的負載點更具吸引力。因為無需電荷泵或額外的電壓源，高端側(cè)（HS）P溝道MOSFET易于驅(qū)動，具有設(shè)計簡單、節(jié)省空間，零件數(shù)量少等特點，提升了成本效率。本文通過對N 溝道和P溝道MOSFETs進行比較，介紹Littelfuse P溝道功率
關(guān)鍵字： 202404 P溝道功率MOSFET MOSFET