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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)

碳化硅(sic) 文章 進入碳化硅(sic)技術社區(qū)

羅姆SiC評估板測評:快充測試

  • 一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板,空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1)空載測試驅(qū)動空載輸出12V,gs驅(qū)動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2)加載  24轉(zhuǎn)55V  2A dcdc驅(qū)動信號波形如下:帶載 6.6k 15V驅(qū)動信號單脈沖寬度,3uS左右總結(jié)由于輕負載,溫度始終未超過50度。開關速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品,以后有對應設備
  • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

羅姆SiC評估板測評:射頻熱凝控制儀測試

  • 測試設備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源,只能使用一般的電源,且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源,所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電,又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載,可恒流或者恒壓或者恒負載,測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號,用于MOS管的驅(qū)動④示波器觀察驅(qū)動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改:兩個直流電源換成CBB電容,在Hvdc母線上加上12V電
  • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

羅姆SiC評估板測評:基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術研究

  • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板,有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實,評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm;高壓區(qū)域也有明顯的標識。
  • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

  • 本文將對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹。
  • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

碳化硅MOSFET晶體管的特征

  • 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化,一直在進行各種改良。
  • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

  • 本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。
  • 關鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較

  • 反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù),所以不僅要比較trr的數(shù)值,還要理解其波形和溫度特性,這樣有助于有效使用二極管。
  • 關鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

SiC肖特基勢壘二極管的特征,及與Si二極管的比較

  • 繼SiC功率元器件的概述之后,將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
  • 關鍵字: 碳化硅  SiC  SBD  肖基特二極管  

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

  • SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
  • 關鍵字: SiC  碳化硅  

什么是碳化硅?SiC的特性和特征

  • 碳化硅(SiC)是比較新的半導體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
  • 關鍵字: SiC  碳化硅  

ST先進SiC牽引電機逆變器解決方案

  • 意法半導體(ST)作為全球領先的汽車半導體供應商之一,多年前就開始布局新能源汽車領域,在2019年正式成立新能源車技術創(chuàng)新中心,推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標準流程開發(fā),滿足ASIL D等級。基于AutoSAR的軟件架構(gòu)和模型化的軟件算法,為客戶前期方案評估和后續(xù)開發(fā)提供了便利,大大縮短了整個研發(fā)周期。
  • 關鍵字: SiC  碳化硅  牽引逆變器  

ST第三代碳化硅技術問世 瞄準汽車與工業(yè)市場應用

  • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說明,從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關于如何利用電力科技實現(xiàn)各種節(jié)能目標的具體數(shù)據(jù),圖中是對全球電力消耗狀況的統(tǒng)計。僅就工業(yè)領域來說,如果能將電力利用效率提升1%,
  • 關鍵字: ST  碳化硅  汽車  工業(yè)  SiC  

ST:發(fā)展碳化硅技術 關鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈

  • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出,由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領域來說,如果能將電力利用效率提升1%,就能節(jié)省95.
  • 關鍵字: ST  GaN  SiC  

躋身第三代半導體市場 ST助力全球碳中和

  •   隨著第三代半導體的工藝越來越成熟和穩(wěn)定,應用在工業(yè)和電動汽車上的產(chǎn)品也變得多樣化。作為半導體行業(yè)中的佼佼者,意法半導體同樣重視第三代半導體帶來的優(yōu)勢作用,推出了有關氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的一系列產(chǎn)品,有力地推動了第三代半導體在電動汽車和工業(yè)領域上的應用發(fā)展。2022年2月意法半導體召開媒體交流會,介紹了意法半導體在全球碳中和理念的背景下,如何通過創(chuàng)新技術和推出新的產(chǎn)品系列,為世界控制碳排放做出貢獻?! ?jù)調(diào)查,工業(yè)領域中將電力利用效率提升1%,就能節(jié)約95.6億千瓦時的能源。這意味著節(jié)約了
  • 關鍵字: 意法半導體  ST  碳化硅  氮化鎵  202203  

Power Integrations推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關IC

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碳化硅(sic)介紹

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