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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

碳化硅（sic） 文章 進入碳化硅（sic）技術社區(qū)

第三代半導體將催生萬億元市場

  • 　　日前，第三屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳舉行。與會專家學者認為，第三代半導體未來應用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導體以及下游電力電子、通訊等行業(yè)新一輪變革的突破口?！　?018年，美國、歐盟等持續(xù)加大第三代半導體領域研發(fā)支持力度，國際廠商積極、務實推進，商業(yè)化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應用逐漸廣泛。受益于整個半導體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業(yè)廣泛進入等積極因素，國內第三代半導體產業(yè)穩(wěn)步發(fā)展。但是，在材料指標、器件性能等方
  • 關鍵字： 半導體  碳化硅  

SiC MOSFET在汽車和電源應用中優(yōu)勢顯著

  • 商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。不過，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產品整體性能的改善，特別是導通電阻和開關損耗的大幅降低，這些半導體開關的應用范圍越來越廣。結果，市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高，對性能的要求越來越高。盡管主要的半導體研發(fā)機構和廠商下大力氣滿足市場要求，進一步改進MOSFET/ IGBT產品，但在某些時候，收益遞減
  • 關鍵字： SiC MOSFET  意法半導體  

ST進軍工業(yè)市場，打造豐富多彩的工業(yè)樂園

  • 近日，意法半導體（ST）在華舉辦了“ST工業(yè)巡演2019”。在北京站，ST亞太區(qū)功率分立和模擬產品器件部區(qū)域營銷和應用副總裁Francesco Muggeri分析了工業(yè)市場的特點，并介紹了ST的產品線寬泛且通用性強，能夠提供完整系統(tǒng)的支持。1 芯片廠商如何應對工業(yè)市場少量多樣的挑戰(zhàn)工業(yè)領域呈現多樣、少量的特點，需要改變消費類電子大規(guī)模生產的模式，實現少量、高質量的生產。具體地，工業(yè)的一大挑戰(zhàn)是應用的多樣化，即一個大應用下面通常有很多小的子應用，所以產品會非標準化，即一個產品只能針對某一類小應用/小客戶的需
  • 關鍵字： 電機  MCU  電源  SiC  

ROHM開發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結構※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發(fā)的系列產品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關損耗可降低約35％，非常有助于進一步降低各種設備的功耗。另外，羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  

中歐“大咖”齊聚深圳，共話第三代半導體發(fā)展

  • 最近，由深圳市科學技術協會、坪山區(qū)人民政府、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟指導，青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦，深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會，圍繞第三代半導體技術創(chuàng)新、產業(yè)發(fā)展、國際合作進行深入探討與交流，加速第三代半導體材料國產化替代進程，助力國產半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術協會黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴出席論
  • 關鍵字： 碳化硅  二極管  MOSFET  

更高效的半導體材料——碳化硅

  • 在功率電子學中，半導體基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率會高得多。巴塞爾大學的物理學家，Paul Scherrer研究所和ABB在科學期刊“應用物理快報”中解釋了阻止硅和碳結合使用的原因。能源消耗在全球范圍內不斷增長，風能和太陽能等可持續(xù)能源供應變得越來越重要。然而，電力通常遠離消費者產生。因此，高效的配電和運輸系統(tǒng)與將產生的直流電轉換成交流電的變電站和電力轉換器同樣重要。節(jié)省大筆開支現代電力電子設備必須能夠處理大電流和高電壓。目前用于場效應晶體管的半導體材料制成的晶體管現在主要基于硅技術。然而，在硅上使
  • 關鍵字： 碳化硅  

科銳宣布與德爾福科技開展汽車SiC器件合作

  • 近日，科銳宣布與德爾福科技（Delphi Technologies PLC）開展汽車碳化硅（SiC）器件合作。
  • 關鍵字： 科銳  德爾?？萍?/a>  SiC  

安森美為20歲慶生，“高能效電子創(chuàng)新”顯示旺盛活力

  • 1999年從摩托羅拉半導體部剝離時，安森美只是一家年營業(yè)額12億美元的標準半導體供應商，2018年已達到年營收近60億美元，轉型成為領先的高能效創(chuàng)新的半導體方案供應商。過去的20年，是半導體技術飛躍發(fā)展的20年，也是并購重組頻繁的20年，很多中小公司在并購浪潮中淹沒了，而安森美卻逐漸壯大，形成了自己的特色和穩(wěn)定的市場。安森美的成功經驗是什么？如今的特色和對未來的觀察是什么？近日，安森美半導體戰(zhàn)略、營銷及方案工程高級副總裁David Somo和中國區(qū)銷售副總裁謝鴻裕接受了電子產品世界等媒體的采訪。1 靠創(chuàng)新
  • 關鍵字： 汽車  傳感器  碳化硅  云電源  

SiC: 為何被稱為是新一代功率半導體？

  • 　　王?瑩?（《電子產品世界》編輯，北京?100036）　　SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優(yōu)勢。據SiC廠商羅姆基于IHS的調查顯示，2025年整個市場規(guī)模將達到約23億美元。在應用中，在光伏和服務器市場最大，正處于發(fā)展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。　　不過，制約SiC發(fā)展的關鍵是價格，主要原因有兩個：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應地下降，羅姆等公司已經有6英
  • 關鍵字： 201909  新一代功率半導體  SiC  

華為出手第三代半導體材料 性能實現千倍提升

  • 華為出資7億元全資控股，剛剛于今年4月23日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手，投資了山東天岳先進材料科技有限公司，持股達10%。山東天岳是我國第三代半導體材料碳化硅龍頭企業(yè)。
  • 關鍵字： 華為  半導體  碳化硅  

SiC將達23億美元規(guī)模，技術精進是主攻方向

  • ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優(yōu)勢。在應用中，在光伏和服務器市場最大，正處于發(fā)展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。? ? ? 不過，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價格，主要原因有兩個，一個是襯底，一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應地下降，ROHM等公司已經有6英寸的晶圓片。在技術方面，眾廠商競爭
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  

CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級碳化硅功率模塊高溫柵極驅動器創(chuàng)新成果

  • 中國北京，2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關材料國際會議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅動器”的論文，并介紹公司在該領域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術官Pierre Delatte將于19日在該會議上發(fā)表該文章。當今，碳化硅（SiC）在汽車制造商的大力追捧下方興未艾，碳化硅技術可以提供更高的能效和增加功率密度；在工業(yè)應用方面，越來越多的人則
  • 關鍵字： CISSOID  碳化硅  功率模塊  高溫柵極驅動器  

Cree將投資10億美元，擴大SiC（碳化硅）產能

  • 此次產能擴大，將帶來SiC（碳化硅）晶圓制造產能的30倍增長和SiC（碳化硅）材料生產的30倍增長，以滿足2024年之前的預期市場增長 5年的投資，充分利用現有的建筑設施North Fab，并整新200mm設備，建造采用最先進技術的滿足汽車認證的生產工廠 投資：4.5億美元用于North Fab；4.5億美元用于材料超級工廠（mega factory）；1億美元用于伴隨著業(yè)務增長所需要的其它投入
  • 關鍵字： 碳化硅  碳化硅基氮化鎵  工廠  

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個機型， 產品陣容豐富且支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101

  • 　　全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型，該系列產品支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產品陣容豐富，擁有13個機型?！　OHM于2010年在全球率先成功實現SiC MOSFET的量產，在SiC功率元器件領域，ROHM始終在推動領先的產品開發(fā)和量產體制構建。在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質，并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特
  • 關鍵字： ROHM  SiC  MOSFET  

安森美半導體將在APEC 2019演示 用先進云聯接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案

  • 　　2019年3月14日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開發(fā)平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應用廣泛的電源方案，使用戶能在一個具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設計之前對系統(tǒng)性能有信心?！　trata Developer S
  • 關鍵字： 安森美  SiC   
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碳化硅（sic）介紹

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