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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

我國第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破

  • 　　近日，863計劃先進制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過了技術(shù)驗收。 　　通常，國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱之為第三代半導(dǎo)體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導(dǎo)率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導(dǎo)體材料的制造裝備對設(shè)備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場分布、設(shè)備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關(guān)鍵技術(shù)有很高的
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  SiC  

碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析

  • 碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析-SiC電力電子器件中，SiC二極管最先實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。2001年德國Infineon公司率先推出SiC二極管產(chǎn)品，美國Cree和意法半導(dǎo)體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  

在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

  • 　　摘要　　本文評測了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計影響較大。　　前言　　市場對開關(guān)速度、功率、機械應(yīng)力和熱應(yīng)力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限?！　拵栋雽?dǎo)體器件因電、熱、機械等各項性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認為是硅半導(dǎo)體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中，兼容硅
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  SiC  

制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開始

  • 　　接近62%的能源被白白浪費 　　美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說，而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點同樣在于能源的問題。這是一個關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。 　　 　　圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
  • 關(guān)鍵字： SiC  GaN  

ROHM SiC在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

  • 近年來，SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節(jié)能效果和對產(chǎn)品小型化、輕量化的貢獻，在新能源汽車、城市基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源，以及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產(chǎn)品相比，SiC產(chǎn)品憑借更低的開關(guān)損耗，可實現(xiàn)設(shè)備中冷卻機構(gòu)的小型化。同時，通過更高頻率的開關(guān)動作，還可實現(xiàn)線圈和電容器等周邊元器件的小型化。可見，SiC是可以同時實現(xiàn)設(shè)備節(jié)能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
  • 關(guān)鍵字： ROHM  SiC  汽車  

走過疑慮 SiC器件終迎春天

  • 在經(jīng)過多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來了春天。
  • 關(guān)鍵字： SiC  Cree  

英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號

  • 　　效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。c科技股份公司開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力?！　∮w凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已達到轉(zhuǎn)折點，考慮到成本效益，它
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  碳化硅  

1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性

  • SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當然，要進行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外，還必須具備適當?shù)目煽啃?，以及足夠的閾值電壓和以?yīng)用為導(dǎo)向的短路耐受能力等?？膳cIGBT兼容的VGS=15V導(dǎo)通驅(qū)動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
  • 關(guān)鍵字： 電源轉(zhuǎn)換器  SiC  MOSFET  逆變器  201707  

英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號

  • 　　效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力。　　英飛凌工業(yè)功率控
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三菱電機攜多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展

  • 　　三菱電機于6月27至29日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2017(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)展會中，以十款新型功率器件強勢登場，其中第7代IGBT模塊更首次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱電機展位號：E06)。　　三菱電機以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題，今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業(yè)應(yīng)用和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品?！　∽冾l家電市場　　在變頻家電應(yīng)用方面，三菱電機展出
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SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案設(shè)計

  • 人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域，人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了.
  • 關(guān)鍵字： SiC  集成技術(shù)  生物電信號  采集方案  

基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案

  • 人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域，人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何
  • 關(guān)鍵字： EEG  SiC  生物電信號采集  IMEC  

碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用

  • 功率因數(shù)校正（PFC）市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標準。由于北美沒有管理PFC的規(guī)定，能源節(jié)省和空間/成本的考慮成為在消費類產(chǎn)品、計算機和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的
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第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件

  • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
  • 關(guān)鍵字： GaN  SiC  第三代半導(dǎo)體材料  

ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強大！支持1200V 400A（BSM400D12P3G002）、600A（BSM600D12P3G001），有助于大功率應(yīng)用的高效化與小型化

  • 　　<概要>　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備用的電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。　　本產(chǎn)品通過ROHM獨有的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)及散熱設(shè)計優(yōu)化，實現(xiàn)了600A額定電流，由此，在工業(yè)設(shè)備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應(yīng)用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開關(guān)損耗降低了64%(芯片溫度150℃時)，這非常有助于應(yīng)
  • 關(guān)鍵字： ROHM  SiC  
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碳化硅（sic）介紹

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