碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

未來(lái)十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的速度穩(wěn)增

　　在未來(lái)十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。　　據(jù)有關(guān)報(bào)告稱(chēng)，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測(cè)，未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
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SiC集成技術(shù)在生物電信號(hào)采集設(shè)計(jì)

SiC集成技術(shù)在生物電信號(hào)采集設(shè)計(jì), 人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開(kāi)發(fā)無(wú)線(xiàn)腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來(lái)診斷癲癇病人，可穿戴的無(wú)線(xiàn)EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無(wú)線(xiàn)EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體
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Microsemi公司推出工業(yè)級(jí)碳化硅功率模塊系列產(chǎn)品

　　致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC)日前宣布，推出新一代工業(yè)溫度碳化硅(SiC)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊。新產(chǎn)品非常適用于要求高性能和高可靠性的大功率開(kāi)關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業(yè)應(yīng)用。該功率模塊系列還擴(kuò)展了溫度范圍，以滿(mǎn)足下一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對(duì)于功率密度、工作頻率和效率的更高要求。　　SiC技術(shù)比硅材料提供更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和更好的熱傳導(dǎo)性
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第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立難分高下

　　進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。　　SiC早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但直到1955年，才有生長(zhǎng)高品質(zhì)碳化硅的方法出現(xiàn);到了1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進(jìn)入市場(chǎng);進(jìn)入21世紀(jì)后，SiC的商業(yè)應(yīng)用才算全面鋪開(kāi)。相對(duì)于Si，SiC的優(yōu)點(diǎn)很多：有10倍的電場(chǎng)強(qiáng)度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂
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飛兆發(fā)布碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案

為努力實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并滿(mǎn)足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計(jì)人員在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。然而，在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、高密度電源、汽車(chē)以及井下作業(yè)等領(lǐng)域，要想增強(qiáng)這些關(guān)鍵設(shè)計(jì)性能，設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度就會(huì)提高，同時(shí)還會(huì)導(dǎo)致總體系統(tǒng)成本提高。
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Microsemi推出新型SiC肖特基二極管

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)廣泛的工業(yè)應(yīng)用，包括太陽(yáng)能逆變器、電焊機(jī)、等離子切割機(jī)、快速車(chē)輛充電、石油勘探。
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天域半導(dǎo)體聯(lián)合中科院發(fā)力“硅”產(chǎn)業(yè)

　　記者從東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司獲悉，該公司投資碳化硅(SiC)材料這一高科技領(lǐng)域，連續(xù)砸進(jìn)1.8億元，正與中科院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合，進(jìn)行“第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”，是我國(guó)首家、全球第五家專(zhuān)業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)外延片生產(chǎn)、研發(fā)和銷(xiāo)售的高科技企業(yè)。　
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羅姆在“功率元器件”的發(fā)展與“電源IC技術(shù)”的變革

為了防止地球溫室化，減少CO2排放量已成為人類(lèi)的課題。為了減少CO2排放量，節(jié)電與提高電壓的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)務(wù)之急。在這種背景下，羅姆通過(guò)用于LED照明的技術(shù)貢獻(xiàn)于節(jié)電，通過(guò)功率元器件提升轉(zhuǎn)換效率。
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科銳推出低基面位錯(cuò)4H碳化硅外延片

LED 領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位錯(cuò)(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯(cuò)材料的外延漂移層的總基面位錯(cuò)密度小于1 cm-2，引起Vf偏移的基面位錯(cuò)容量小于0.1 cm-2。
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科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片

　科銳材料產(chǎn)品經(jīng)理 Vijay Balakrishna博士表示：“科銳擁有在碳化硅領(lǐng)域100毫米外延片的強(qiáng)大量產(chǎn)能力。最新的150毫米技術(shù)將進(jìn)一步提升碳化硅晶圓片的標(biāo)準(zhǔn)?？其J的垂直整合能力確保能夠?yàn)榭蛻?hù)提供針對(duì)高品質(zhì)150毫米碳化硅外延片的完整解決方案，并為電力電子市場(chǎng)的領(lǐng)先企業(yè)提供穩(wěn)定的供貨保障。
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科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片

LED領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出高品質(zhì)、低微管的150毫米 4H N型碳化硅外延片?？其J通過(guò)推出更大直徑的外延片，從而繼續(xù)引領(lǐng)碳化硅材料市場(chǎng)的發(fā)展。此項(xiàng)最新技術(shù)能夠降低設(shè)備成本，并能夠利用現(xiàn)有150毫米設(shè)備工藝線(xiàn)。新型150毫米外延片擁有高度均一的厚度為100微米的外延層，并已開(kāi)始訂購(gòu)。
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開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件

進(jìn)入21世紀(jì)，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)將會(huì)有更大的發(fā)展，這需要我國(guó)電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努...
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英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列

在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電能品質(zhì)國(guó)際研討會(huì)與展覽會(huì)”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC(碳化硅)產(chǎn)品市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。這個(gè)革命性的新產(chǎn)品系列，立足于英飛凌在SiC技術(shù)開(kāi)發(fā)以及高質(zhì)量、大批量生產(chǎn)方面十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)。
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具有快速開(kāi)關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管

由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對(duì)全球變暖，電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來(lái)越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中，功率損耗的降低可以改善
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超過(guò)20kV：半導(dǎo)體元件的世界最高耐壓

　　日本京都大學(xué)工學(xué)研究系電子工學(xué)專(zhuān)業(yè)教授木本恒暢等人的研究小組，試制出了耐壓高達(dá)21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十?dāng)?shù)kV的半導(dǎo)體功率元件，但超過(guò)20kV的尚為首次，“是半導(dǎo)體元件中的世界最高值”(木本)。　　該二極管的設(shè)想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如，日本的電網(wǎng)電壓為6.6kV，因此要求耐壓達(dá)到20kV。據(jù)稱(chēng)目前是使用3～4個(gè)數(shù)kV的GTO來(lái)確保耐壓的。如果使用耐壓超過(guò)20kV的SiC制PiN二極管，一個(gè)即可滿(mǎn)足要求。由此，轉(zhuǎn)換器及冷卻器等便可實(shí)現(xiàn)
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