碳化硅(sic) 文章 進入碳化硅(sic)技術(shù)社區(qū)
CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊
- 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布,將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn),并推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺。這項新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案,即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機械和散熱設(shè)計及其臨界控制,對于電動汽車(EV)整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅(qū)動的電動機制造商而言,該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間。該可擴展
- 關(guān)鍵字: SiC IPM
電機的應(yīng)用趨勢及控制解決方案
- 顧偉俊? (羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司?技術(shù)中心?現(xiàn)場應(yīng)用工程師)摘? 要:介紹了電機的應(yīng)用趨勢,以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動向。 關(guān)鍵詞:電機;BLDC;MCU;SiC;IPM1? 電機的應(yīng)用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的 普及深化,在與每個人息息相關(guān)的家電領(lǐng)域、車載領(lǐng) 域以及工業(yè)領(lǐng)域,各類電機在技術(shù)方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領(lǐng)域,電器的 智能化需要電器對人機交 流產(chǎn)生相應(yīng)的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間,規(guī)劃路線,然后執(zhí) 行移動以及相應(yīng)
- 關(guān)鍵字: 202003 電機 BLDC MCU SiC IPM
碳化硅(SiC)功率器件或在電動汽車領(lǐng)域一決勝負
- 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段:硅晶閘管(可控硅)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和剛顯露頭角的碳化硅(SiC)系列大功率半導(dǎo)體器件。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料,與普通的硅材料相比,碳化硅的優(yōu)勢非常突出,它不僅克服了普通硅材料的某些缺點,在功耗上也有非常好的表現(xiàn),因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。正因為如此,已經(jīng)有越來越多的半導(dǎo)體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年,SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將達到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
- 關(guān)鍵字: 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車
英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平
- 近日,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)進一步擴展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合,推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源(UPS)、電機控制和驅(qū)動以及電動汽車充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“隨著新產(chǎn)品的發(fā)布,英飛凌完善了其600V/650V細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級總監(jiān)St
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET
如何利用 SiC 打造更好的電動車牽引逆變器
- 在本文中,我們將調(diào)查電動車牽引逆變器采用 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢。我們將展示在各種負荷條件下逆變器的能效是如何提升的,包括從輕負荷到滿負荷。使用較高的運行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關(guān)頻率,以對電機繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機內(nèi)的鐵損。預(yù)計在所有這些因素的影響下,純電動車的單次充電行駛里程將提高 5-10%,同時,降低的損耗還能簡化冷卻問題。簡介近期的新聞表明,純電動車?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預(yù)期要快。這促使汽車制造商(包括現(xiàn)有制
- 關(guān)鍵字: SiC BEV 牽引逆變器
羅姆子公司SiCrystal和意法半導(dǎo)體宣布簽署碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議
- 近日,羅姆和橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;)宣布,意法半導(dǎo)體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅(SiC)晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場占有率領(lǐng)先的龍頭企業(yè)。協(xié)議規(guī)定, SiCrystal將向意法半導(dǎo)體提供總價超過1.2億美元的先進的150mm碳化硅晶片,滿足時下市場對碳化硅功率器件日益增長的需求。意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示:“該SiC襯底長期供應(yīng)協(xié)
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 晶圓
羅姆集團旗下的SiCrystal與意法半導(dǎo)體就碳化硅(SiC)晶圓長期供貨事宜達成協(xié)議
- 近日,全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆和意法半導(dǎo)體(以下簡稱“ST”)宣布,雙方就碳化硅(以下簡稱“SiC”)晶圓由羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH (以下簡稱“SiCrystal”)供應(yīng)事宜達成長期供貨協(xié)議。在SiC功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下,雙方達成超1.2億美元的協(xié)議,由SiCrystal(SiC晶圓生產(chǎn)量歐洲第一)向ST(面向眾多電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的全球性半導(dǎo)體制造商)供應(yīng)先進的150mm SiC晶圓。ST 總經(jīng)理 兼 首席執(zhí)行官(CEO) Jean-Marc Chery 說:
- 關(guān)鍵字: SiC 車載
環(huán)球晶圓:硅晶圓明年回溫
- 半導(dǎo)體硅晶圓大廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭日前表示,明年半導(dǎo)體景氣仍受貿(mào)易摩擦、總體經(jīng)濟及匯率三大變數(shù)干擾,但從客戶端庫存改善、拉貨動能加溫,以及應(yīng)用擴大等來看,硅晶圓產(chǎn)業(yè)已在本季落底,明年上半年整體景氣動能升溫速度優(yōu)于預(yù)期,她預(yù)估環(huán)球晶圓明年首季與本季持平或略增,往后將會逐季成長。
- 關(guān)鍵字: 環(huán)球晶圓 硅晶圓 碳化硅
Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅(qū)動器,提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長系統(tǒng)運行時間
- 近日,Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅(qū)動器,幫助高壓/大功率系統(tǒng)設(shè)計者將電源效率提升4%,優(yōu)于競爭產(chǎn)品;功耗和碳排放減少30%。驅(qū)動器IC優(yōu)化用于工業(yè)通信系統(tǒng)的開關(guān)電源,典型應(yīng)用包括太陽能電源逆變器、電機驅(qū)動、電動汽車、儲能系統(tǒng)、不間斷電源、數(shù)據(jù)農(nóng)場及其他大功率/高效率電源等。目前,許多開關(guān)電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來提高電源效率和晶體管可靠性。但是,高開關(guān)頻率的瞬態(tài)特性會產(chǎn)生較大噪聲,影響系統(tǒng)的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 柵極驅(qū)動器
使用ADuM4136隔離式柵極驅(qū)動器和LT3999 DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動1200 V SiC電源模塊
- 簡介電動汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導(dǎo)體器件和通過柵極驅(qū)動器控制這些新型半導(dǎo)體器件開和關(guān)的策略。目前最先進的寬帶器件,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體具有更高的性能,如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗,以及高達MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅(qū)動器的性能要求,例如,,通過去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進的短路保護。本應(yīng)用筆記展示了ADuM4136 柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢,這款單通道器件的輸出驅(qū)動能
- 關(guān)鍵字: DC/DC SiC
意法半導(dǎo)體完成對碳化硅晶圓廠商Norstel AB的并購
- 近日, 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)于12月2日宣布,完成對瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB(“ Norstel”)的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后,意法半導(dǎo)體行使期權(quán),收購了剩余的45%股份。Norstel并購案總價為1.375億美元,由現(xiàn)金支付。
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 碳化硅 Norstel AB
CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布:在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學(xué)術(shù)論壇上,公司與湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司(簡稱“國芯科技”)簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議,將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā),充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢,并推動其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來,寬禁帶半導(dǎo)體功率器件(如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等)憑借多方面的性能優(yōu)勢,在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而,在各類應(yīng)用中
- 關(guān)鍵字: IGBT SiC GaN
北京經(jīng)開區(qū)第三代半導(dǎo)體現(xiàn)新突破
- 一輛新能源汽車、一組高能效服務(wù)器電源,核心功能的實現(xiàn)都離不開電力電子系統(tǒng)中半導(dǎo)體器件的支撐。碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,具有低能耗、體積小、重量輕等特點,國際上都在競相研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體制備技術(shù)。近日,記者在區(qū)內(nèi)企業(yè)世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“世紀(jì)金光”)了解到,其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實現(xiàn)小批量試產(chǎn),研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應(yīng)用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務(wù)器電源、特種電源等領(lǐng)域,實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅關(guān)鍵領(lǐng)域全面布局。
- 關(guān)鍵字: 第三代半導(dǎo)體 碳化硅 世紀(jì)金光
碳化硅(sic)介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅(sic)的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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