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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第九代 v-nand

終端需求疲軟 NAND Flash合約價(jià)大跌

  • 　　第2季NAND Flash終端需求太差，新出爐合約報(bào)價(jià)大跌超過10%，內(nèi)存模塊廠表示，合計(jì)整個(gè)5月現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跌幅達(dá)20%，合約價(jià)合計(jì)跌幅也超過15%，反映終端需求確實(shí)需要新刺激，目前市場(chǎng)是底部已臨，靜待反彈階段;展望第3季，市場(chǎng)認(rèn)同威剛董事長陳立白的基調(diào)，預(yù)期第3季仍會(huì)比第2季好一些，但市場(chǎng)不至于會(huì)有缺貨或價(jià)格飆漲的情況發(fā)生。
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND Flash  

NAND Flash需求急凍 模組廠瀕臨警戒線

  • 　　全球NANDFlash市場(chǎng)需求在5月進(jìn)入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機(jī)大廠亦出現(xiàn)砍單情況，記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫，市場(chǎng)五窮六絕跡象顯現(xiàn)，使得記憶體模組廠營收恐再次探底，部分廠商傳出力守2月營收低點(diǎn)的警戒線。不過，以毛利率角度來看，由于NANDFlash價(jià)格并沒有出現(xiàn)急跌，因此，模組廠5月毛利率仍可暫時(shí)守穩(wěn)在水準(zhǔn)之上。
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

  • 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì),摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù)，它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制，提供更好的讀寫速度，以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲(chǔ)要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法。
    關(guān)鍵詞：DDR NAN
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基于NAND FLASH的高速大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲(chǔ)速度低的問題，采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲(chǔ)介質(zhì)，大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心，通過使用并行處理技術(shù)和流水線技術(shù)實(shí)現(xiàn)了多片低速FLASH時(shí)高速數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，提高了整
  • 關(guān)鍵字： FLASH  NAND  大容量  存儲(chǔ)    

存儲(chǔ)器思謀發(fā)展

  • 　　存儲(chǔ)器是隨著計(jì)算機(jī)而發(fā)展起來的一種專用電子部件，用于保存數(shù)據(jù)和程序，傳統(tǒng)上計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)器稱Memory，外部設(shè)備用存儲(chǔ)器稱Storage(常用磁盤、磁帶)。上世紀(jì)50年代中期，主存曾用磁芯存儲(chǔ)器，60年代中期以來，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器開始取代磁芯存儲(chǔ)器。隨著時(shí)間的前進(jìn)，存儲(chǔ)器獲得了長足的發(fā)展。 　　
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  NAND  201105  

兩線制V/I變換器設(shè)計(jì)

  • V/I 變換器是一種可以用電壓信號(hào)控制輸出電流的電路。兩線制V/I變換器與一般V/I變換電路不同點(diǎn)在：電壓信號(hào)不是直接控制輸出電流，而是控制整個(gè)電路自身耗電電流。同時(shí)，還要從電流環(huán)路上提取穩(wěn)定的電壓為調(diào)理電路和
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  變換器  V/I  

納米器件電流-電壓(I-V)特性測(cè)試

  • 對(duì)于納米電子和半導(dǎo)體材料與薄膜，采用靈敏的電氣測(cè)量工具是十分必要的。它們提供的數(shù)據(jù)能夠幫助我們完全掌握新材料的電氣特性和新器件與元件的電氣性能。納米測(cè)量儀器的靈敏度必須要高得多，因?yàn)樾枰獪y(cè)量的電流和電
  • 關(guān)鍵字： I-V  納米器件  電流  電壓    

Gartner認(rèn)為SSD將在明年成為市場(chǎng)主流

  • 　　數(shù)年來固態(tài)硬盤正在變得越來越便宜和可靠，但相比大容量的硬盤而言，這種產(chǎn)品在容量和價(jià)格比上依然顯得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相當(dāng)于1TB的西部數(shù)據(jù)硬盤的價(jià)格。盡管如此，Gartner依然對(duì)SSD市場(chǎng)的前景十分看好，并認(rèn)為到2012年下半年，固態(tài)硬盤將成為市場(chǎng)的主流，并預(yù)期到時(shí)候的價(jià)格將會(huì)下降到每1美元1GB，這意味著主流的SSD價(jià)格將下調(diào)到100美元以下，例如64GB64美元，從而開始被大眾接受。
  • 關(guān)鍵字： NAND  SSD  

NAND FLASH在儲(chǔ)存測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 0 引言　　計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，存儲(chǔ)系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲(chǔ)空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來要達(dá)到的PB存儲(chǔ)空間，其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴(kuò)展。隨之而來產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
  • 關(guān)鍵字： FLASH  NAND  儲(chǔ)存  測(cè)試系統(tǒng)    

三星量產(chǎn)新型NAND閃存芯片

  • 　　5月13日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場(chǎng)上的任何其它NAND閃存芯片都要快。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  

NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換

  • 　　2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場(chǎng)龍頭，市占率高達(dá)36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達(dá)35.1%，兩者合計(jì)掌握70%以上NAND Flash市場(chǎng);根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計(jì)，2011年第1季NAND Flash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達(dá)53.63億美元。 　　2011年第1季全球NAND Flash市場(chǎng)變化相當(dāng)多，最大影響當(dāng)屬日本311東北強(qiáng)震，對(duì)
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  NAND  

三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

  • 　　據(jù)了解，由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND Flash  

三星、海力士擴(kuò)大NAND Flash投資

  • 　　由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  移動(dòng)設(shè)備  

利用單片機(jī)控制的數(shù)字氣壓計(jì)開發(fā)與實(shí)現(xiàn)

美光：未來NAND Flash不求市占率但求低成本

  • 　　由于智能型手機(jī)等行動(dòng)裝置應(yīng)用驅(qū)動(dòng)NANDFlash需求成長，加上日本強(qiáng)震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能，未來不排除再擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能，可行方案包括釋出代工權(quán)給華亞科生產(chǎn)，或是啟動(dòng)新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。 　　
  • 關(guān)鍵字： 美光  NAND  
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第九代 v-nand介紹

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