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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第九代 v-nand

回補(bǔ)庫存下滑 NAND Flash合約價(jià)格持續(xù)走低

  • 　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查，因?yàn)殡S身碟與記憶卡市場(chǎng)銷售依舊此未見起色，而高容量產(chǎn)品也因?yàn)橹悄苄褪謾C(jī)與平板計(jì)算機(jī)銷售不如預(yù)期而下滑，終端產(chǎn)品銷售不佳導(dǎo)致供貨商回補(bǔ)庫存力道疲弱，連帶影響合約價(jià)格面臨下滑的壓力，10月下旬NAND Flash合約價(jià)將再下跌約4-8%。 　　展望NAND Flash后市，集邦科技認(rèn)為，雖然泰國水患造成的HDD缺貨效應(yīng)使得SSD產(chǎn)品詢問度頓時(shí)增加，但SSD仍存在著與HHD價(jià)差大及SSD機(jī)種認(rèn)證程序尚需2-3個(gè)月等問題，因此，預(yù)
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高能效28 V、3.3 A LED街燈驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

  • 前言：隨著led在性能及成本幾乎各個(gè)方面的持續(xù)改進(jìn)，LED照明正在用于越來越寬的應(yīng)用領(lǐng)域，其中LED街燈就是業(yè)界關(guān)...
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9月上旬NAND Flash合約價(jià)出現(xiàn)穩(wěn)定格局

  • 　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，隨著部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶自9月起，已開始準(zhǔn)備4Q11新機(jī)型上市所需的庫存回補(bǔ)所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合約價(jià)大致維持平盤，雖然記憶卡及UFD通路市場(chǎng)的需求仍然相對(duì)平淡，但也已呈現(xiàn)止跌回穩(wěn)的狀況。
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基于CAN總線的胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)在重型車輛上的應(yīng)用研究

  • 胎壓對(duì)于道路安全、乘坐舒適度、輪胎壽命以及車輛油耗來說是一個(gè)非常重要的因素。胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)（TPMS）使用...
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ultrabook帶來新契機(jī) NAND Flash需求9月或回溫

  • 　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查，市場(chǎng)預(yù)期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應(yīng)新產(chǎn)品上市庫存回補(bǔ)需求，9月份可望逐漸開始回溫。因此，8月下旬 NAND Flash 合約價(jià)格出大多呈現(xiàn)持平，但記憶卡及U盤(UFD)通路市場(chǎng)的需求仍然相對(duì)疲軟，所以128Gb TLC合約均價(jià)格仍然下跌5%。此外，部份供貨商已將部份32Gb MLC的產(chǎn)量轉(zhuǎn)為生產(chǎn)64Gb MLC，故32Gb MLC在市場(chǎng)供給減少下合約均價(jià)小漲約3%。
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Altera發(fā)布業(yè)界第一款28-nm FPGA開發(fā)套件

  • 2011年9月7號(hào)，北京——Altera公司(NASDAQ:ALTR)今天宣布開始提供第一款帶有28-nm FPGA的開發(fā)套件——Stratix V GX FPGA信號(hào)完整性套件，在推動(dòng)業(yè)界28-nm FPGA發(fā)展方面樹立了新里程碑。這一全功能套件支持設(shè)計(jì)工程師加速高性能系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和開發(fā)，滿足了業(yè)界對(duì)提高帶寬的需求。Stratix V GX FPGA信號(hào)完整性開發(fā)套件為用戶提供的平臺(tái)能夠測(cè)量并評(píng)估從600 Mbps到12.5 Gbps的收發(fā)器鏈路性能。
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第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)報(bào)告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場(chǎng)意外下滑。 　　根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場(chǎng)降幅大于預(yù)期，主要是因?yàn)闁|芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國三星電子。
  • 關(guān)鍵字： IHS iSuppli  NAND  

第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)報(bào)告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場(chǎng)意外下滑。 　　根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場(chǎng)降幅大于預(yù)期，主要是因?yàn)闁|芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國三星電子。東芝銷售額大幅下降，拖累了整體市場(chǎng)，如表1所示。 　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  

出貨不如預(yù)期 閃存芯片價(jià)格小幅下跌

  • 　　受到諸多全球總體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定變數(shù)干擾，2011部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期，及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場(chǎng)買氣依然疲弱，但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對(duì)于記憶卡及UFD通路市場(chǎng)需求仍相對(duì)地穩(wěn)定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價(jià)小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價(jià)則下跌約4-7%。 　
  • 關(guān)鍵字： 閃存芯片  NAND  

下一代光刻技術(shù)延遲 NAND成長或趨緩

  • 　　在日前的一場(chǎng)閃存高峰會(huì)中，SanDisk公司的技術(shù)長Yoram Cedar指出，下一代光刻技術(shù)的延遲，將導(dǎo)致NAND閃存的成長趨緩。市場(chǎng)原先對(duì)閃存的展望都相當(dāng)樂觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲，閃存的成長可能需要再評(píng)估。 　
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東芝芯片業(yè)務(wù)業(yè)績可能達(dá)不到預(yù)期

  • 　　全球第二大閃存制造商?hào)|芝公司(Toshiba Corp)周三警告說，由于PC市場(chǎng)不景氣，美國和歐洲等經(jīng)濟(jì)體持續(xù)動(dòng)蕩以及日元強(qiáng)勢(shì)等原因，該公司芯片業(yè)務(wù)的利潤可能達(dá)不到預(yù)期。
  • 關(guān)鍵字： 東芝  芯片  NAND  

NAND Flash合約價(jià)續(xù)跌

  • 　　據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo)，計(jì)算機(jī)用DRAM芯片價(jià)格快速下跌，NAND Flash合約價(jià)也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅，2個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價(jià)2美元紀(jì)錄。下半年則因智能型手機(jī)(Smartphone)與平板計(jì)算機(jī) (Tablet PC)新品陸續(xù)問世，可望帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格回升。
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存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時(shí)代將再度來臨

  • 　　隨著存儲(chǔ)器容量越來越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲(chǔ)器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對(duì)手公司韓國三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)。
  • 關(guān)鍵字： 三星  存儲(chǔ)器  NAND  

納米制程遇瓶頸 業(yè)者紛紛投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)

  • 　　隨著存儲(chǔ)器容量越來越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲(chǔ)器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對(duì)手公司韓國三星電子(Samsung Electronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)。 　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  NAND  

今年游戲主機(jī)NAND flash內(nèi)存密度提高40%

  • 　　內(nèi)存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機(jī)和手持設(shè)備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。 　　今年家用游戲主機(jī)的 NAND 平均密度預(yù)計(jì)達(dá) 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設(shè)備的 NAND 平均密度則預(yù)計(jì)自去年的 87MB 增長 41.4%，達(dá) 123MB。 　　
  • 關(guān)鍵字： Sony  NAND  
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第九代 v-nand介紹

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