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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第九代 v-nand

NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析

  • 什么是SLC？SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。SLC技術(shù)特點(diǎn)是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數(shù)據(jù)時(shí)通過對浮置閘極的電荷加電壓，
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淡季效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵 NANDFlash合約價(jià)下跌

  • 　　根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，受第一季淡季效應(yīng)的影響，零售市場的記憶卡與隨身碟需求持續(xù)疲軟，再加上OEM客戶的新機(jī)種上市時(shí)間點(diǎn)，最快也會落于2Q12，使得NANDFlash下游客戶端皆持續(xù)采取保守的庫存策略，以降低營運(yùn)風(fēng)險(xiǎn)。在買方購買意愿不強(qiáng)的情況下，賣方過去采取的降價(jià)促銷策略效果有限，價(jià)格若繼續(xù)下跌，恐將侵蝕自身的獲利水平，使得部分賣方降價(jià)意愿已大幅降低。上述因素乃是造成3月下旬NANDFlash合約價(jià)呈現(xiàn)微幅走跌的原因。集邦科技表示，2012年上半
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盡管UFS出現(xiàn)，但eMMC NAND閃存仍然具有活力

  • 　　雖然符合新的通用閃存卡(UFS)規(guī)范的產(chǎn)品出現(xiàn)，2013年將在移動(dòng)NAND閃存市場引發(fā)新的技術(shù)競爭，但較舊的嵌入多媒體存儲卡(eMMC)標(biāo)準(zhǔn)在許多手機(jī)和平板電腦中仍將保持統(tǒng)治地位，屆時(shí)出貨量將強(qiáng)勁增長37%。 　　據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)與嵌入存儲市場簡報(bào)，2013年eMMC解決方案的出貨量預(yù)計(jì)達(dá)到7.111億個(gè)，高于2012年的5.203億個(gè)。 　　尚沒有關(guān)于UFS的預(yù)測，但eMMC憑借其增強(qiáng)的安全性與出色性能，預(yù)計(jì)繼續(xù)強(qiáng)勁增長，這種勢頭至少能保持到2015年，屆時(shí)在手機(jī)和其它消費(fèi)電子
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快速響應(yīng)的V/I電路的設(shè)計(jì)方法介紹

  • 0 引言　　本文通過電流驅(qū)動(dòng)負(fù)載，設(shè)計(jì)了一種具有快速響應(yīng)的電壓轉(zhuǎn)電流電路，同時(shí)采用PSPICE里的實(shí)際模型對電路進(jìn)行了仿真，仿真響應(yīng)時(shí)間為百ns。故該電路的設(shè)計(jì)對高速網(wǎng)絡(luò)中有一定的參考價(jià)值?！　? 電壓轉(zhuǎn)電流的理
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存儲技術(shù)變局為中國制造帶來了什么機(jī)遇？

  • 縱觀半導(dǎo)體發(fā)展歷史，一種新興技術(shù)的出現(xiàn)，影響的不只是個(gè)別公司的興衰，更是推動(dòng)了某個(gè)產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型，新技術(shù)是變革者趕超傳統(tǒng)技術(shù)列強(qiáng)的利器，也是產(chǎn)業(yè)升級的動(dòng)力源，當(dāng)年的光盤存儲技術(shù)興起，就帶動(dòng)了中國整體光盤機(jī)產(chǎn)業(yè)，現(xiàn)在，我們又將迎來新一輪的存儲技術(shù)變局---以NAND FLASH為代表的半導(dǎo)體存儲技術(shù)會給我們的本土企業(yè)帶來了什么機(jī)遇?這里結(jié)合自己的體會聊做分析。
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Altera發(fā)售Cyclone V系列

  • Altera公司今天宣布，開始發(fā)售其28-nm Cyclone V FPGA。Cyclone V器件是目前市場上功耗最低、成本最低的28-nm FPGA。該系列通過集成，前所未有的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高性能、低系統(tǒng)成本和低功耗，非常適合工業(yè)、無線、固網(wǎng)、軍事和汽車等市場應(yīng)用。Cyclone V系列完成了Altera的28-nm定制系列產(chǎn)品的全系列發(fā)售，提供多種器件以滿足用戶的各類設(shè)計(jì)需求——從最大帶寬到最低功耗。
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TDK開發(fā)eSSD系列 NAND閃存和閃存控制器一體化

  • 　　TDK株式會社成功開發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤eSSD系列，并從4月起開始銷售。eSSD系列是通過多芯片封裝技術(shù)(MCP)、把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型閃存一芯化的Serial ATA(SATA) 3Gbps SSD。 　　該產(chǎn)品在尺寸僅為17mm×17mm的208-ball BGA封裝(球柵陣列封裝)面積上實(shí)現(xiàn)了1GByte~4GByte的閃存容量，與將閃存和SSD控制器分別進(jìn)行安裝的情況相比，不僅可以縮小基板的尺寸，而且還可以降低安裝成本。因此，
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針對納米器件的脈沖I-V測試小技巧

  • 在對納米器件進(jìn)行電流-電壓（I-V）脈沖特征分析時(shí)通常需要測量非常小的電壓或電流，因?yàn)槠渲行枰謩e加載很小的電流或電壓去控制功耗或者減少焦耳熱效應(yīng)。這里，低電平測量技術(shù)不僅對于器件的I-V特征分析而且對于高電
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利用屏幕截圖和TLP進(jìn)行ESD保護(hù)元件的大電流性能鑒定

  • Ashton博士說在正常工作條件下，ESD保護(hù)元件應(yīng)該保持在不動(dòng)作狀態(tài)，同時(shí)不會對電子系統(tǒng)的功能造成任何影響，這...
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NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

  • 　　日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長。 　　受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
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NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

  • 　　日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長。 　　受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
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2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)市場存儲報(bào)告，由于經(jīng)濟(jì)形勢糟糕和泰國洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量下降，2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%。 　　2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營業(yè)收入略有增長，從11.6億美元上升到11.7億美元，如圖2所示。 　　第四季度NOR營業(yè)收入下降的主要原因，是10月泰國發(fā)生洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國的硬盤工廠，造成硬盤短缺，導(dǎo)致PC銷量下降。NOR營業(yè)收入減少的其它原因包括：在全球經(jīng)濟(jì)黯
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蘋果轉(zhuǎn)單海力士　三星NAND營收比重略減

  • 　　市場研究機(jī)構(gòu)DIGITIMESResearch專桉經(jīng)理徐康沛分析指出，全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉(zhuǎn)予海力士(Hynix)的影響，2011年第四季NANDFlash營收較前季約減少5%，DRAM營收則微增，使NANDFlash佔(zhàn)該公司記憶體營收比重降至38%，佔(zhàn)全球NANDFlash營收比重亦續(xù)降至34.6%。 　　反觀海力士，其NANDFlash佔(zhàn)公司營收比重則維持在30%，佔(zhàn)全球NANDFlash營
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利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

  • 利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新,引言
    嵌入式系統(tǒng)在各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)的維護(hù)與升級也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高，開發(fā)者必須能夠針對系統(tǒng)進(jìn)行升級和維護(hù)，以延長系統(tǒng)的使用周期，
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固態(tài)硬盤每GB容量價(jià)格將跌破1美元

  • 　　1GB 1美元——這很久以來就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻，而根據(jù)DRAMeXchange的最新報(bào)告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價(jià)格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn)，閃存芯片的成本也會進(jìn)一步降低，每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預(yù)計(jì)，在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤，而后者的主流容量也將升至 128GB。 　　隨著Intel Ivy Bridge處
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第九代 v-nand介紹

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