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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第九代 v-nand

NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計

  • NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
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中小功率光伏陣列I-V特性測試技術(shù)研究

  • 摘要：這里采用一種基于動態(tài)電容充電方法，結(jié)合高速A／D采樣和數(shù)據(jù)處理，實現(xiàn)對光伏陣列的現(xiàn)場I-V特性測試。該方法具有安全性高、體積小、成本低、精度高等特點，并可用于更大功率的光伏陣列現(xiàn)場測試。詳細介紹了系統(tǒng)
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基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn)

  • 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
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全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元

  • 　　據(jù)媒體報道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭，市場份額達到了34.6%。 　　集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存出貨環(huán)比增長了大約5%，而平均銷售價格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。 　　集邦科技指出，三星電子
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Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

  • 　　外電報導，全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報：受內(nèi)存價格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續(xù)第2季繳出虧損成績單;營收年減7.2%至2.55兆韓元;營損達1,675億韓元，遜于去年同期的營益2,940億韓元。根據(jù)彭博社調(diào)查，分析師平均預期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據(jù)Thomson Reuters調(diào)查，分析師原先預期Hynix Q4
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基于RC7235的多種V.35接口轉(zhuǎn)換和光纖MODEM方案

  • 本文討論的ASIC芯片RC7235集成度較高，帶有豐富的接口，只需簡單的外圍電路，即可靈活構(gòu)成多種應(yīng)用方案，如實現(xiàn)...
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應(yīng)用AT89S52單片機和DS18B20嵌入式數(shù)字溫度傳感器設(shè)計的V-T曲線控制補償系統(tǒng)

  • 為加快我國衛(wèi)星電源分系統(tǒng)的數(shù)字化設(shè)計．充分體現(xiàn)數(shù)字電路體積小、重量輕、功耗低、適
    應(yīng)性強和可靠性高等優(yōu)點，提高電源分系統(tǒng)的電能重量比，本文以DSl8820作為溫度傳感器,并采用單片機控制系統(tǒng)進行數(shù)據(jù)的采集、計
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蘋果去年買進了全球NAND閃存的1/4

  • 　　根據(jù)市場研究機構(gòu)Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報告指出，蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ，憑借著這么大的采購量，蘋果拿到的成本價格可說是出乎意料之外的低。 　　Sacconaghi 報告指出，蘋果產(chǎn)品在2011 年第四季消耗了容量總數(shù)高達14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 為30% 。這么大的量，自然讓蘋果購買NAND 快閃記憶體有很大的折扣，大約是每GB 價格為0.6
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基于單片IC構(gòu)成的廉價100KHZ V-F轉(zhuǎn)換器

  • 電路的功能以往一提到F-F轉(zhuǎn)換器，往往選用混合集成組件，而本電路使用了單片V-F轉(zhuǎn)換器，這是一種廉價的100KHZ V-F轉(zhuǎn)換器標準電路，它把0~10V的輸入電壓轉(zhuǎn)換成0~100KHZ的脈沖串。用光耦合器或光纖傳輸，可以把模擬信號
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點燃高速傳輸接口戰(zhàn)局: USB3.0 V.S. eSATA

  • 但是，誰有這么多時間和耐性做完所有這種分析和測試——當然JEDEC除外！本文將告訴您在測試您設(shè)計的散熱完整性時如何安全地繞過這些步驟。 通過訪問散熱數(shù)據(jù)，您可以將散熱數(shù)據(jù)用于您正使用的具體封裝。這
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V-MOS管測試

Altera續(xù)發(fā)售Arria V FPGA

  • Altera公司今天宣布，開始發(fā)售其28-nm Arria V FPGA。Arria V器件是目前市場上支持10.3125-Gbps收發(fā)器技術(shù)、功耗最低的中端FPGA。利用該系列的創(chuàng)新特性，在無線、廣播等市場上，設(shè)計人員可以定制滿足下一代系統(tǒng)的低功耗、寬帶和低成本需求。Arria V器件是公司于2011年上半年發(fā)售Stratix V系列產(chǎn)品之后發(fā)售的另一28-nm系列產(chǎn)品，表明了Altera承諾交付滿足用戶各類設(shè)計需求的器件。
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力晶將繼續(xù)擴大NAND Flash產(chǎn)能

  • 　　力晶在2012年起將會大幅降低標準型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm 4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會以NAND FLASH填補，后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點也轉(zhuǎn)移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠未來，力晶仍會保留DRAM技術(shù)，待3D-IC以及TSV的技術(shù)成熟時，將會以記憶體為中心做芯片組的整合，力圖成為大中華地區(qū)各技術(shù)領(lǐng)域最完整之晶圓廠。 　　隨著力晶正式宣布將產(chǎn)能逐步擴大至Flash產(chǎn)品上，加上原先代工如LCD Driver及非標準型DRAM產(chǎn)品，希望明年標準
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驅(qū)動 WLED 未必需要 4 V 的電壓

  • 白光發(fā)光二極管(WLED)應(yīng)用相當普遍，主要原因在于白光發(fā)光二極管可用于提供便攜式電子產(chǎn)品顯示器的背光。一...
  • 關(guān)鍵字： 升壓轉(zhuǎn)換器  I-V  WLED  
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第九代 v-nand介紹

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