第九代 v-nand 文章進入第九代 v-nand技術(shù)社區(qū)

全國產(chǎn)自主可控高性能車規(guī)級MCU芯片發(fā)布

據(jù)武漢經(jīng)開區(qū)官微消息，11月9日，湖北省車規(guī)級芯片產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)合體2024年度大會在武漢經(jīng)開區(qū)舉行。會上，由東風汽車牽頭組建的湖北省車規(guī)級芯片產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)合體發(fā)布高性能車規(guī)級MCU芯片——DF30 ，填補國內(nèi)空白。據(jù)悉，DF30芯片是業(yè)界首款基于自主開源RISC-V多核架構(gòu)、國內(nèi)40nm車規(guī)工藝開發(fā)，全流程國內(nèi)閉環(huán)，功能安全等級達到ASIL-D的高端車規(guī)MCU芯片，已通過295項嚴格測試。DF30芯片適配國產(chǎn)自主AutoSAR汽車軟件操作系統(tǒng)，可廣泛應用于動力控制、車身底盤、電子信息、駕駛輔助等領(lǐng)域。
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AI 支持的 RISC-V 核心面向 ASIL B 級別的汽車應用

AI 支持的 RISC-V 核心面向 ASIL B 級別的汽車應用MIPS P8700 RISC-V 核心采用 RISC-V 指令集架構(gòu)（ISA），專為滿足 ASIL B 和 ISO 26262 功能安全要求的汽車應用設(shè)計。你將學到什么：為什么 ASIL B 能力對 RISC-V 的采用至關(guān)重要如何在 MIPS P8700 核心中集成 AI 加速功能關(guān)鍵特性與背景在汽車安全相關(guān)領(lǐng)域，Arm 的 Cortex-M 和 Cortex-A 系列長時間占據(jù)主導地位。然而，隨著 MIPS P8700 核心的推出，R
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三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線

據(jù)韓媒報道，三星近期將開始銷售前端和后端生產(chǎn)線的舊設(shè)備，其中包括位于中國西安的NAND工廠。報道稱，三星近期正在半導體部門（DS）實施大規(guī)模成本削減和產(chǎn)線調(diào)整，并正在考慮出售其中國半導體生產(chǎn)線的舊設(shè)備。預計出售程序?qū)⒂诿髂暾介_始，銷售的設(shè)備大部分是100級3D NAND設(shè)備。自去年以來，三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉(zhuǎn)換為200層工藝。
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長城汽車發(fā)布紫荊M100 RISC-V車規(guī)級MCU

Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty ImagesPlus via Getty Images據(jù)9月27日發(fā)布的一篇新聞稿報道，長城汽車日前宣布成功研發(fā)并推出紫荊M100車規(guī)級微控制單元（MCU）芯片，標志著其在智能化戰(zhàn)略方面取得了重要進展，并正式進軍芯片技術(shù)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。這一成果離不開長城汽車與多個合作伙伴的共同努力，并基于開源RISC-V內(nèi)核設(shè)計。紫荊M100芯片采用模塊化設(shè)計，內(nèi)核可重構(gòu)，4級流水線設(shè)計使其具備更快的處理速度、降低延遲，并滿足功能安全ASIL-B等級
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消息稱三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結(jié)構(gòu)

10 月 29 日消息，《韓國經(jīng)濟日報》當?shù)貢r間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導體存儲路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過 400，而預計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。三星目前最先進的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。報道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因為這代產(chǎn)品將調(diào)
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RISC-V 設(shè)備用上 AMD 卡皇，Milk-V Megrez 主板成功適配 RX 7900 XTX 顯卡

10 月 28 日消息，近年來隨著 RISC-V 的蓬勃發(fā)展，RISC-V 設(shè)備逐漸走入了大眾視野。然而，一直以來 RISC-V 設(shè)備無法使用高端顯卡，僅能搭配一些低端顯卡。這是因為舊款 AMD Radeon 顯卡可以與 RISC-V 上的開源 AMD GPU 驅(qū)動程序配合使用，但依賴 Display Core Next（DCN）功能的較新顯卡由于依賴浮點支持而出現(xiàn)問題。最新的 Linux 6.10 新增了 RISC-V 內(nèi)核的浮點支持，因此 RISC-V 對高端顯卡的適配也提上了日程。深圳市群
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TrendForce：預計 Q4 NAND Flash 合約價將下調(diào) 3% 至 8%

IT之家?10 月 15 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新調(diào)查，NAND Flash 產(chǎn)品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價于第三季率先下跌，預期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產(chǎn)品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買家的終端產(chǎn)品銷售不如預期，采購策略更加保守。TrendForce 預估，第四季 NAND Flash 產(chǎn)品整體合約價將出現(xiàn)季減 3% 至
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智權(quán)半導體/SmartDV力助高速發(fā)展的中國RISC-V CPU IP廠商走上高質(zhì)量發(fā)展之道

進入2024年，全球RISC-V社群在技術(shù)和應用兩個方向上都在加快發(fā)展，中國國內(nèi)的RISC-V CPU IP提供商也在內(nèi)核性能和應用擴展方面取得突破。從幾周前在杭州舉行的2024年RISC-V中國峰會以及其他行業(yè)活動和廠商活動中，可以清楚地看到這一趨勢。作為全球領(lǐng)先的IP供應商，SmartDV也從其中國的客戶和志趣相投的RISC-V CPU IP供應商那里獲得了一些建議和垂詢，希望和我們建立伙伴關(guān)系攜手在AI時代共同推動芯片產(chǎn)業(yè)繼續(xù)高速發(fā)展。SmartDV也看到了這一新的浪潮。上一次在行業(yè)慶祝RISC-V
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顛覆性成果！科學家成功研發(fā)非硅柔性芯片：成本不到1美元

9月30日消息，據(jù)媒體報道，英國Pragmatic Semiconductor公司研發(fā)了一款非硅制成的柔性可編程芯片，能夠在彎曲時運行機器學習工作負載，制造成本不到1美元。這款名為Flex-RV的32位微處理器基于開源RISC-V架構(gòu)，采用了金屬氧化物半導體氧化銦鎵鋅(IGZO)技術(shù)，直接在柔性塑料上制造，打破了傳統(tǒng)硅芯片的剛性限制。Flex-RV的運行速度可達60kHz，功耗低于6毫瓦，雖然無法與硅微芯片的千兆赫茲速度相媲美，但其速度對于智能包裝、標簽和可穿戴醫(yī)療電子產(chǎn)品等應用來說已經(jīng)足夠。Flex-R
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IAR全面支持國科環(huán)宇AS32X系列RISC-V車規(guī)MCU

全球領(lǐng)先的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)軟件解決方案供應商IAR與北京國科環(huán)宇科技股份有限公司（以下簡稱“國科環(huán)宇”）聯(lián)合宣布，最新版本IAR Embedded Workbench for RISC-V將全面支持國科環(huán)宇AS32X系列RISC-V MCU，雙方將共同助力中國汽車行業(yè)開發(fā)者的創(chuàng)新研發(fā)，同時將不斷深化合作，擴展在行業(yè)的技術(shù)探索及生態(tài)完善。AS32X系列MCU基于32位RISC-V雙核鎖步架構(gòu)設(shè)計，滿足功能安全ASIL-B等級要求，主頻高達180MHz，綜合算力達516DMIPS，benchmark跑分可達4.
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三星電子開發(fā)出其首款基于第八代V-NAND的車載SSD

三星電子今日宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD。三星新款AM9C1車載SSD憑借行業(yè)前沿的速度和更高的可靠性，成為適配車載應用端側(cè)人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產(chǎn)品AM991，能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4,400MB/s和400MB/s。三星半導體基于第八代V-NAND技術(shù)的車載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲器事業(yè)部汽車業(yè)務負責人Hyunduk Cho表示：“我們正在與全球自動駕駛汽車廠商合作，為這些企業(yè)提
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三星首款！第八代V-NAND車載SSD發(fā)布：讀取4400MB/s

9月24日消息，今日，三星電子宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND 技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。相比前代產(chǎn)品AM991，AM9C1能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4400MB/s和400MB/s。三星表示，AM9C1能滿足汽車半導體質(zhì)量標準AEC-Q1003的2級溫度測試標準，在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內(nèi)能保持穩(wěn)定運行。據(jù)介紹，AM9C1采用三星5nm主控，用戶可將TLC狀態(tài)切換至SLC模式，以此大幅提升讀寫速度。其中，讀取速度高達4700MB/s，寫入速度高達1
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長城汽車聯(lián)合開發(fā)的RISC-V車規(guī)級MCU芯片成功點亮

9月24日消息，日前，長城汽車宣布，其聯(lián)合開發(fā)的RISC-V車規(guī)級MCU芯片——紫荊M100已完成研發(fā)，并成功點亮。紫荊M100是長城汽車牽頭聯(lián)合多方研發(fā)的首顆基于開源RISC-V內(nèi)核設(shè)計的車規(guī)級MCU芯片，其將為未來智能駕駛、智能座艙等創(chuàng)新應用構(gòu)建基石。它采用模塊化設(shè)計，內(nèi)核可重構(gòu)，4級流水線設(shè)計使其具備更快的處理速度和更少的耗時，同時便于未來的升級擴展。滿足功能安全ASIL-B等級要求，支持國密，并符合ISO21434網(wǎng)絡信息安全標準。紫荊M100是長城汽車"軟硬一體"智能化戰(zhàn)略的
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思爾芯加入甲辰計劃，共推RISC-V生態(tài)

據(jù)甲辰計劃官微消息，日前，思爾芯（S2C）宣布正式加入甲辰計劃(RISC-V Prosperity 2036)。思爾芯將利用其芯神瞳原型驗證系統(tǒng)，為包括SG2380和香山在內(nèi)的高性能RISC-V處理器及IP提供演示平臺，助力業(yè)界開發(fā)符合各類商業(yè)應用的解決方案。據(jù)了解，“甲辰計劃”由ASE實驗室、PLCT實驗室和算能（Sophgo）聯(lián)合發(fā)起，旨在推動RISC-V在未來12年內(nèi)實現(xiàn)從數(shù)據(jù)中心到桌面辦公、從移動設(shè)備到智能物聯(lián)網(wǎng)的全方位信息產(chǎn)業(yè)覆蓋，打造開放標準體系及開源系統(tǒng)軟件棧。該計劃的核心目標是圍繞SG23
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2024二季度NAND Flash出貨增長放緩，AI SSD推動營收季增14%

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，由于Server（服務器）終端庫存調(diào)整接近尾聲，加上AI推動了大容量存儲產(chǎn)品需求，2024年第二季NAND Flash（閃存）價格持續(xù)上漲，但因為PC和智能手機廠商庫存偏高，導致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%，平均銷售單價上漲了15%，總營收達167.96億美元，較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應商已恢復盈利狀態(tài)，并計劃在第三季擴大產(chǎn)能，以滿足AI和服務器的強勁需求，但由于PC和智能手機今年上半年市場表現(xiàn)不佳，
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