第九代 v-nand 文章 進入第九代 v-nand技術(shù)社區(qū)
長江存儲再度“亮劍”,在美國起訴美光侵犯其 11 項專利
- IT之家 7 月 22 日消息,據(jù)外媒 Tomshardware 報道,中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲,日前再次將美光告上法院,在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利,涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲產(chǎn)品,并支付專利使用費。長江存儲指控稱,美光的 96 層(B27A)、128 層(B37R)、176 層(B47R)和 232 層(B58R)3D NAND Flash,以及美光的一些 DDR5 SDRA
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openKylin 成功在 RISC-V 平臺運行微信、WPS 等 X86 架構(gòu)軟件
- IT之家 7 月 19 日消息,眾所周知,在新的指令集架構(gòu)發(fā)展初期,往往采用兼容其他架構(gòu)軟件的方法來拓展自身生態(tài)體系,如蘋果公司的 Rosetta 2 和微軟的 Arm64EC,都是將 X86 架構(gòu)軟件運行在 ARM 架構(gòu)的系統(tǒng)之上。RISC-V 作為一個新興的指令集架構(gòu),亟需軟件生態(tài)的快速發(fā)展與拓展。為此,openKylin(開放麒麟)社區(qū) RISC-V SIG 開展了二進制翻譯相關(guān)工作,參與開源項目 box64 的研發(fā)。截至目前,已提交合并 20 余個 PR,增加了 GTK3、nettle
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中國開放指令生態(tài)(RISC-V)聯(lián)盟廣東省珠海中心揭牌
- 據(jù)珠海高新區(qū)消息,7月17日,中國開放指令生態(tài)(RISC-V)聯(lián)盟(英文縮寫為CRVA)廣東省珠海中心成立大會在珠海高新區(qū)舉辦。會上,CRVA廣東省珠海中心在珠海高新區(qū)揭牌成立。CRVA廣東省珠海中心是在中國開放指令生態(tài)(RISC-V)聯(lián)盟的指導(dǎo)下,由珠海中科先進技術(shù)研究院、珠海南方集成電路設(shè)計服務(wù)中心、中山大學(xué)微電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院、北京師范大學(xué)珠海分校信息技術(shù)學(xué)院、北京理工大學(xué)珠海學(xué)院信息學(xué)院、進迭時空(珠海)科技有限公司、珠海全志科技股份有限公司、極海微電子科技股份有限公司8家單位共同發(fā)起。珠海中科先
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為什么QLC可能是NAND閃存的絕唱?
- NAND 閃存已經(jīng)達到了一定的密度極限,無法再進一步擴展。
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2024 WAIC智能芯片及多模態(tài)大模型論壇
- 人工智能芯片研發(fā)及基礎(chǔ)算力平臺公司愛芯元智宣布,7月5日在2024世界人工智能大會上成功舉辦“芯領(lǐng)未來丨智能芯片及多模態(tài)大模型論壇”。論壇以“引領(lǐng)人工智能革新 造就普惠智能生活”為主題,匯聚了芯片、大模型、智能制造等領(lǐng)域的專家與意見領(lǐng)袖,共同分享大模型時代的創(chuàng)新機遇及落地成果。愛芯元智提出打造基于邊端智能的AI處理器的產(chǎn)品主張,并突出強調(diào)其“更經(jīng)濟、更高效、更環(huán)?!钡南冗M優(yōu)勢。分論壇上,愛芯元智正式發(fā)布“愛芯通元AI處理器”,展示了智能芯片與大模型深度融合的技術(shù)應(yīng)用與商業(yè)生態(tài)。云邊端加速一體化,更經(jīng)濟、更
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三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤,能否搶占先機?
- 內(nèi)存和存儲芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達60TB的企業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD),專為滿足企業(yè)用戶的需求而設(shè)計。得益于全新主控,三星表示未來甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤。對比2020年發(fā)布的上一代BM1733,BM1733采用了第5代V-NAND技術(shù)的QLC閃存、堆疊層數(shù)為96層、最大容量為15.36TB,顯然BM1743的存儲密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤容量上限為32TB,此次推出的BM1743固態(tài)硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是,目前三星在該細分市場將面臨的競爭相對較少,因
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鎧俠產(chǎn)能滿載 傳7月量產(chǎn)最先進NAND Flash產(chǎn)品
- 《科創(chuàng)板日報》4日訊,鎧俠產(chǎn)線稼動率據(jù)悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內(nèi)量產(chǎn)最先進存儲芯片(NAND Flash)產(chǎn)品,借此開拓因生成式AI普及而急增的數(shù)據(jù)存儲需求。據(jù)悉,鎧俠將開始量產(chǎn)的NAND Flash產(chǎn)品堆疊218層數(shù)據(jù)存儲元件,和現(xiàn)行產(chǎn)品相比,存儲容量提高約50%,寫入數(shù)據(jù)時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ)
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RISC-V CPU進入mini-ITX主板
- Milk-V 宣布推出 Jupiter,這是一款預(yù)裝了 RISC-V 處理器的迷你 ITX 主板。作為一家受人尊敬的微控制器和 RISC-V 產(chǎn)品供應(yīng)商,Milk-V 與即將發(fā)貨的 Jupiter 一起帶來了“適合所有人的 RISC-V”。Milk-V Jupiter 的核心是 SpacemiT K1 或 M1 處理器,這是由八個 SpacemiT X60 CPU 內(nèi)核驅(qū)動的處理器。處理器及其內(nèi)核的規(guī)格因您的來源而異;我們的最佳估計是,K1 和 M1 是幾乎相同的 CPU,其內(nèi)核在 1.6 到
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半導(dǎo)體設(shè)計迎來「開源潮」
- 越來越多的企業(yè)開始采用開源規(guī)格。
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中國移動發(fā)布安全MCU芯片:40納米工藝、極其安全
- 7月1日消息,近日,中國移動旗下的中移芯昇發(fā)布了一款大容量低功耗+PUF+物理防側(cè)信道攻擊的安全MCU芯片“CM32M435R”,采用40納米功耗工藝,基于業(yè)界領(lǐng)先的高性能32位RISC-V內(nèi)核,綜合性能達到國內(nèi)領(lǐng)先水平。它有三個主要特點:一是高安全。雙核設(shè)計,安全子系統(tǒng)由安全內(nèi)核獨立控制,具備更高安全等級。同時支持物理防克隆PUF、TEE和防側(cè)信道攻擊,支持豐富的加密算法。二是高性能。主頻高達120MHz,F(xiàn)lash容量達到512KB,SRAM容量達到144KB,并支持USB、以太網(wǎng)、SDIO、DCMI
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奕斯偉計算公司在最新的RISC-V邊緣計算SoC中將SiFive CPU、Imagination GPU和自有NPU結(jié)合集成
- 今天,北京奕斯偉計算技術(shù)股份有限公司(以下簡稱“奕斯偉計算”)與Imagination Technologies和SiFive聯(lián)合宣布,奕斯偉EIC77系列SoC中的圖形和計算加速功能由Imagination的GPU IP、SiFive的CPU IP,以及奕斯偉計算的專有神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)單元NPU無縫集成而成?!癆I時代,面對千行百業(yè)被重塑的巨大機遇,奕斯偉計算正在構(gòu)建基于RISC-V的智能計算未來,”奕斯偉計算副董事長王波表示,“算力是AI的核心驅(qū)動力,我們已推出EIC77系列SoC,以滿足客戶更多應(yīng)用場景的不
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NAND市場,激戰(zhàn)打響
- 隨著人工智能(AI)相關(guān)半導(dǎo)體對高帶寬存儲(HBM)需求的推動,NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前,NAND 閃存市場的競爭正在加劇,存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力,以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月,三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開始量產(chǎn),這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢?眾所周知,平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分,
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鎧俠結(jié)束減產(chǎn)?兩座NAND工廠開工率提高至100%
- 據(jù)日經(jīng)新聞報道,鑒于市場正在復(fù)蘇,日本存儲芯片廠商鎧俠已結(jié)束持續(xù)20個月的減產(chǎn)行動,且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱,鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠的生產(chǎn)線開工率提高至100%。而隨著業(yè)務(wù)好轉(zhuǎn),債權(quán)銀行已同意為6月份到期的5,400億日元(34.3億美元)貸款進行再融資。他們還將設(shè)立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月,為應(yīng)對需求低迷的市場環(huán)境,鎧俠發(fā)布聲明稱,將調(diào)整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產(chǎn),將晶圓生產(chǎn)量減少約30%,并表示會繼續(xù)根據(jù)
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RISC-V 開源芯片新紀元:毛德操新書發(fā)布,共筑中國芯未來
- RISC-V,作為一種開源的精簡指令集架構(gòu),近年來在半導(dǎo)體行業(yè)取得了顯著的發(fā)展。2023年,它被麻省理工科技評論評為十大突破性技術(shù)之一,更有機構(gòu)預(yù)測未來將與英特爾x86和ARM架構(gòu)形成三分天下的格局。據(jù)機構(gòu)分析,2023年,RISC-V架構(gòu)芯片的出貨量超過100億顆,僅用12年就走完了傳統(tǒng)架構(gòu)30年的發(fā)展歷程。預(yù)計未來幾年,RISC-V的采用率將以40%的年復(fù)合增長率增長。 目前,RISC-V架構(gòu)在我國也吸引了大量的關(guān)注,近年來一直被積極研究、發(fā)展。但是,現(xiàn)如
- 關(guān)鍵字: RISC-V 新書發(fā)布會 開源 嵌入式系統(tǒng)
第九代 v-nand介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對第九代 v-nand的理解,并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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