第九代 v-nand 文章 進入第九代 v-nand技術社區(qū)
三星、SK海力士拿到無限期豁免權(quán)
- 10月9日,韓國總統(tǒng)辦公室通報,美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準的情況下,三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導體設備,該決定一經(jīng)通報即生效。據(jù)悉,無限期豁免將通過更新Validated End-User(VEU)清單來取得。若被納入該清單,便無需額外獲得許可,代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示,“通過與相關政府的密切協(xié)調(diào),與我們在中國的半導體生產(chǎn)線運營有關的不確定性已大大消除?!盨K海力士則表示,“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信,這一決定將
- 關鍵字: 三星 SK海力士 NAND DRAM 半導體設備
1γ DRAM、321層NAND!存儲大廠先進技術競賽仍在繼續(xù)
- 盡管由于經(jīng)濟逆風、高通貨膨脹影響,存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期,但存儲大廠對于先進技術的競賽仍在繼續(xù)。對DRAM芯片而言,先進制程意味著高能效與高容量,以及更好的終端使用體驗。當前,DRAM先進制程工藝——10nm級別目前來到了第五代,美光稱之為1β DRAM,三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后,計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM,這將是美光第1代采用極紫外光(EUV)的制程技術,目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠,因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn),未來日本廠也有望導入EUV
- 關鍵字: DRAM NAND 存儲
消息稱三星電子計劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價格
- 10 月 6 日消息,據(jù)韓媒 Business Korea 報道,三星內(nèi)部認為目前 NAND Flash 供應價格過低,公司計劃今年四季度起,調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價格,漲幅在 10% 以上,預計最快本月新合約便將采用新價格?!?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來,三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略,IT之家此前曾報道,三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%,最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領域,之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務產(chǎn)量,眼下正試圖推動
- 關鍵字: 三星 NAND flash 漲價
中美科技戰(zhàn)新戰(zhàn)場!RISC-V開源芯片技術成焦點
- 中美科技競爭又有新動向。美國政府正面臨國會壓力,要求限制美國企業(yè)投入RISC-V的開源芯片技術發(fā)展,目前RISC-V的開源性使得這項技術在中國大陸獲得廣泛的應用以及發(fā)展,但如果禁止的話,可能對全球科技業(yè)的跨國合作造成沖擊。據(jù)《路透社》6日報導, 這一次的爭議焦點主要集中在RISC-V上,這是一種開放原始碼架構(gòu),與英國的安謀國際科技公司(Arm Holdings)的競爭激烈。RISC-V可應用于智能手機芯片到先進人工智能處理器等各種產(chǎn)品。一些國會議員以國家安全為由,敦促拜登政府針對RISC-V問題采取行動,
- 關鍵字: RISC-V 開源芯片
面對美國的護欄最終規(guī)則,韓國半導體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略
- 面對美國的護欄最終規(guī)則,韓國半導體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報道,隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》(CHIPS法案)資金分配和限制的國家安全護欄,韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務,并利用其在那里的成熟節(jié)點能力來針對國內(nèi)需求的產(chǎn)品。關于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響,人們有不同的意見。但有一點是肯定的:希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件,并在未來10年內(nèi)避免在中國進行實質(zhì)性產(chǎn)能擴張。商務部的新聞稿顯示,補貼接受者在
- 關鍵字: CHIPS法案 韓國半導體 DRAM NAND
集邦咨詢:2023Q4 NAND 價格預估增長 3-8%,DRAM 要開啟增長周期
- IT之家 9 月 27 日消息,存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來最長的下降周期之后,終于看到了 DRAM 市場復蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報道,伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn),已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn),預估 NAND Flash 價格回暖之后,DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損,2023 年以來已經(jīng)進行了多次減產(chǎn),目前相關效果已經(jīng)顯現(xiàn),消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現(xiàn)反彈,9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn),主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中,在 9 月產(chǎn)量下降了
- 關鍵字: 存儲 DRAM NAND Flash
第二季NAND Flash營收環(huán)比增長7.4%,預期第三季將成長逾3%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,第二季NAND Flash市場需求仍低迷,供過于求態(tài)勢延續(xù),使NAND Flash第二季平均銷售單價(ASP)續(xù)跌10~15%,而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長達19.9%,合計第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長7.4%,營收約93.38億美元。自第二季起,三星(Samsung)加入減產(chǎn)行列,且預期第三季將擴大減產(chǎn)幅度,供給收斂的同時也在醞釀漲價,供過于求態(tài)勢有望因此獲得改善。不過,由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應商家數(shù)多,在庫存仍高的情
- 關鍵字: NAND Flash TrendForce
這家RISC-V快充協(xié)議芯片原廠宣布開源!
- 隨著PD3.1協(xié)議的市場應用越來越多,市場對PD3.1協(xié)議控制器也提出了更多的要求,如何更好地確保協(xié)議的穩(wěn)定性的同時增加更多系統(tǒng)級功能,這對傳統(tǒng)PD協(xié)議控制器提出了更大的挑戰(zhàn)。廣芯微電子宣布開源基于RISC-V內(nèi)核的PD控制器,以支持客戶更好地部署快充系統(tǒng)和差異化功能。芯片框圖UM3506 SoC 芯片創(chuàng)新性地集成了基于 RISC-V ISA 的 32 位微處理器內(nèi)核作為通用的集中式 TCPM 管理器。優(yōu)化后的 RISC-V 內(nèi)核配合片上 FLASH 閃存/SRAM 存儲器、增強的外設和廣泛的系統(tǒng)資源,在
- 關鍵字: RISC-V 快充協(xié)議
NAND Flash第四季價格有望止跌回升
- 近日,三星(Samsung)為應對需求持續(xù)減弱,宣布9月起擴大減產(chǎn)幅度至50%,減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主,據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,其他供應商預計也將跟進擴大第四季減產(chǎn)幅度,目的加速庫存去化速度,預估第四季NAND Flash均價有望因此持平或小幅上漲,漲幅預估約0~5%。價格方面,如同年初TrendForce集邦咨詢預測,NAND Flash價格反彈會早于DRAM,由于NAND Flash供應商虧損持續(xù)擴大,銷售價格皆已接近生產(chǎn)成本,供應商為了維持營運而選擇擴大減產(chǎn),以期帶動價
- 關鍵字: NAND Flash Wafer TrendForce
蘋果與Arm達成長期協(xié)議,加強合作的同時不忘布局RISC-V
- 9月6日,軟銀旗下芯片設計公司Arm提交給美國證券交易委員會(SEC)的首次公開募股(IPO)文件顯示,蘋果已與Arm就芯片技術授權(quán)達成了一項“延續(xù)至2040年以后”的新合作協(xié)議。目前,Arm拒絕就其提交文件以外的內(nèi)容發(fā)表評論,蘋果也沒有立即回復置評請求。Arm IPO吸引各路巨頭Arm在科技行業(yè)扮演著不可或缺的角色,它將其芯片設計授權(quán)給包括蘋果在內(nèi)的500多家公司,已經(jīng)占據(jù)了智能手機芯片領域95%以上的市場份額,包括平板電腦等,實際上已經(jīng)完全控制了整個移動芯片領域。從Apple Watch到iPhone
- 關鍵字: 蘋果 Arm RISC-V IPO 軟銀
Milk-V 推出 Meles SBC:配 2GHz 平頭哥 TH1520 四核 RISC-V 處理器
- IT之家 9 月 6 日消息,Milk-V 近日推出了名為 Meles 的單板計算機(SBC),其外觀接近于樹莓派 Model B。Meles 的大小和端口均和樹莓派 Model B 類似,只是并沒有使用基于 ARM 的處理器,而是使用基于 RISC-V 架構(gòu)的 2GHz 平頭哥曳影 T-Head TH1520 四核處理器。IT之家在此附上 Meles 單板計算機端口如下:1 個 HDMI 2.0 端口1 個千兆端口4 個 USB 3.0 主機端口1 個 USB 2.0 Type-C 端口1 個
- 關鍵字: RISC-V
RISC-V邁入高性能,量產(chǎn)落地是關鍵!
- 這是最好的一屆RISC-V中國峰會,雖已落幕一周,但它流傳的故事依舊激昂人心,它引發(fā)的話題仍未褪色,它帶來的啟發(fā)依舊值得我們細細品味。 后摩爾時代,芯片制造工藝遭遇瓶頸,在產(chǎn)業(yè)從技術到商業(yè)不斷循環(huán)的“Tick-Tock”式迭代規(guī)律下,RISC-V開源指令集橫空出世,開辟了芯片商業(yè)模式更迭的嶄新篇章。如今,萬物互聯(lián)已成必然,計算場景復雜多變,RISC-V設計的初衷便是覆蓋各種計算場景,這與時代需求完美契合。無論從商業(yè)還是技術角度, RISC-V進入高性能應用場景已成必然。 在2
- 關鍵字: RISC-V 賽昉科技
使用NAND門的基本邏輯門
- 邏輯門主要有三種類型,即 AND 門、OR 門和 NOT 門。每種邏輯門都有自己不同的邏輯功能。因此,在這些基本邏輯門的幫助下,我們可以得到任何邏輯函數(shù)或任何布爾或其他邏輯表達式?;具壿嬮T的真值表:了解每個邏輯門的功能對熟悉轉(zhuǎn)換非常重要。1.NOT 邏輯門:這種邏輯門是數(shù)字邏輯電路中最簡單的一種。該邏輯門只有兩個端子,一個用于輸入,另一個用于輸出。門的輸入是二進制數(shù),即只能是 1 或 0。邏輯門輸出端的輸出總是與輸入端相反,也就是說,如果輸入端為 1,則輸出端為 0,反之亦然??赡艹霈F(xiàn)的級數(shù)由 2a 計
- 關鍵字: NAND 邏輯門
第九代 v-nand介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對第九代 v-nand的理解,并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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